PROCEDIMIENTOS PARA ALMACENAR DATOS EN MEMORIAS NO VOLATILES.
Un procedimiento para almacenar datos en una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (FRAM) no volátil,
particularmente una memoria en la cual un material ferroeléctrico de la memoria es un polímero ferroeléctrico, en el cual las localizaciones de memoria son suministradas como elementos de una matriz y se accede a ellas a través de unos electrodos que forman líneas de palabra y de bit de la matriz y en el cual las operaciones de lectura destructiva de las localizaciones de memoria son seguidas por operaciones de reescritura, estando caracterizado el procedimiento por las sucesivas etapas de: (a) almacenar una pluralidad de copias idénticas de dichos datos en una pluralidad de localizaciones de memoria, no teniendo dichas localizaciones de memoria ninguna línea de palabra común; (b) leer una primera línea de palabra en su totalidad, comprendiendo dicha primera línea de palabra al menos una primera copia de dichas copias idénticas de dichos datos, reescribir de nuevo en dicha primera línea de palabra los datos leídos en dicha primera línea de palabra, y transferir los datos leídos en dicha primera línea de palabra a un circuito lógico de control de memoria; (c) leer una subsiguiente línea de palabra en su totalidad, comprendiendo dicha subsiguiente línea de palabra al menos una subsiguiente copia de dichas copias idénticas de dichos datos, reescribir de nuevo en dicha subsiguiente línea de palabra los datos leídos en dicha subsiguiente línea de palabra, y transferir los datos leídos en dicha subsiguiente línea de palabra a dicho circuito lógico de control de memoria; (d) repetir la etapa (c) hasta que dichos datos leídos en dichas líneas de palabra que comprenden copias de dichas copias idénticas de dichos datos hayan sido transferidos a dicho circuito lógico de control de memoria; (e) detectar cualquier error de bit comparando bit a bit dichos datos, leídos en dichas líneas de palabra que comprenden copias de dicha pluralidad de copias idénticas de dichos datos, en dicho circuito lógico de control de memoria, o incluyendo con dichos datos un código de corrección de error (ECC); y (f) escribir los datos corregidos en las celdas de memoria de dichas localizaciones de memoria que contienen errores de bits, cuando en la etapa (e) se hayan detectado errores de bits.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: THIN FILM ELECTRONICS ASA.
Nacionalidad solicitante: Noruega.
Dirección: P.O. BOX 1872 VIKA,0124 OSLO.
Inventor/es: TORJUSSEN, LARS, SUNDELL, KARLSSON, CHRISTER.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 10 de Abril de 2003.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G06F11/16 FISICA. › G06 CALCULO; CONTEO. › G06F PROCESAMIENTO ELECTRICO DE DATOS DIGITALES (sistemas de computadores basados en modelos de cálculo específicos G06N). › G06F 11/00 Detección de errores; Corrección de errores; Monitorización (detección, corrección o monitorización de errores en el almacenamiento de información basado en el movimiento relativo entre el soporte de registro y el transductor G11B 20/18; monitorización, es decir, supervisión del progreso del registro o reproducción G11B 27/36; en memorias estáticas G11C 29/00). › Detección o corrección de errores en un dato por redundancia en el hardware.
- G06F12/16 G06F […] › G06F 12/00 Acceso, direccionamiento o asignación en sistemas o arquitecturas de memoria (entrada digital a partir de, o salida digital hacia soportes de registro, p. ej. hacia unidades de almacenamiento de disco G06F 3/06). › Protección contra la pérdida de contenidos de memoria.
Clasificación PCT:
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania.
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