CAPAS DE MEMORIA PLEGADAS.

Un dispositivo de memoria volumétrica ferroeléctrica o electret,

en el cual se proporciona en sándwich un material (1) de memoria ferroeléctrica o electret entre capas (2; 4) de electrodo primera y segunda, respectivamente, que comprende electrodos a modo de bandas paralelas primera y segunda que forman líneas(2a) de palabras y líneas de bit (4a) de un conjunto (M) ordenado de memoria de matriz direccionable, en el cual las líneas (2) de palabras y las líneas (4) de bit del conjunto (M) ordenado están orientadas sustancialmente según ángulos rectos entre si, en el cual las celdas de memoria están definidas en volúmenes de material (1) de memoria dispuestos a modo de sándwich entre líneas (2) de palabras y líneas (4) de bit cruzadas correspondientes, y en el cual una pluralidad de conjuntos ordenados de memoria están dispuestos en al menos una pila (S) tal que, la al menos una pila de conjuntos ordenados de memoria realiza el dispositivo de memoria con una configuración volumétrica, caracterizado porque una pila (S) de conjuntos (M) ordenados de memoria está formada con dos o más estructuras (R) a modo de cinta estando plegadas y/o trenzadas entre sí, comprendiendo cada estructura (R) un sustrato (3) flexible de material no conductor, que las capas (2:4) de electrodo primera y segunda, respectivamente, están proporcionadas en cada superficie del sustrato, tal que las capas (2, 4) de electrodo comprenden, cada una, los electrodos (2a, 4a) proporcionados a modo de banda paralela que se extienden a lo largo de la estructura (R) a modo de cinta y una capa de material (1) de memoria cubre una de las capas de electrodo de la misma y se extiende interrumpida entre los bordes de la estructura a modo de banda; porque cada formación (M) ordenada de memoria de la pila (S) está formada por partes que se solapan de un par de estructuras (R) contiguas a modo de cintas plegadas y/o trenzadas de forma que se cruzan de forma sustancialmente ortogonal; y porque las líneas (2a) de palabras y la capa (1) de memoria de un conjunto (M) ordenado de memoria en una pila (S) están contenidas en la primera estructura (R) a modo de cinta de un par de estructuras contiguas de este tipo y las líneas (4a) de bit contenidas en la segunda estructura (R) a modo de banda de las mismas.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: THIN FILM ELECTRONICS ASA.

Nacionalidad solicitante: Noruega.

Dirección: P.O. BOX 1872 VIKA,0124 OSLO.

Inventor/es: NORDAL, PER-ERIK, GUDESEN, HANS, GUDE.

Fecha de Publicación: 16 de Abril de 2006.

Fecha Solicitud PCT: 29 de Noviembre de 2002.

Clasificación Internacional de Patentes:

G11C11/22 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad). › que utilizan elementos ferroeléctricos.
H01L27/13 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › combinado con componentes pasivos de película delgada o gruesa.

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Mozambique, Federación de Rusia, Sudán, Sierra Leona, Tayikistán, Turkmenistán, República Unida de Tanzania, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Zambia, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Guinea-Bissau, Guinea Ecuatorial, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.

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