METODO PARA LA LECTURA DE UN DISPOSITIVO DIRECCIONABLE POR MATRIZ PASIVA Y DISPOSITIVO PARA LLEVAR A CABO EL MISMO.

Método para la lectura de un dispositivo direccionable por matriz pasiva,

particularmente un dispositivo de memoria o un dispositivo sensor con celdas direccionables individualmente para almacenar un valor lógico proporcionado por un valor de carga dispuesto en una celda, de manera que el dispositivo comprende material polarizable eléctricamente que muestra histéresis, particularmente un material ferroeléctrico, de manera que el dispositivo comprende un primer y segundo juegos de electrodos con electrodos paralelos que forman, respectivamente, líneas de palabras y líneas de bits en el dispositivo, de manera que los electrodos de la línea de palabras (WL) y los electrodos de la línea de bits (BL) están dispuestos ortogonalmente entre sí y en contacto con el material polarizable en superficies opuestas del mismo, de manera tal que las celdas del dispositivo comprenden estructuras similares a un condensador definidas en un volumen del material polarizable en los cruces entre líneas de palabras y líneas de bits, de manera que una celda del dispositivo puede ser dispuesta en uno o dos estados de polarización o se puede cambiar entre éstos al aplicar un voltaje Vs mayor que el voltaje coercitivo Vc del material polarizable entre una línea de palabras (WL) y una línea de bits (BL) de direccionado de la celda, de manera que cada línea de bits (BL) está conectada a un medio de detección, de manera que el método comprende un protocolo de impulsos de voltaje con un ciclo de lectura y ciclo de escritura/borrado, de manera que cada uno de los medios de detección durante el ciclo de lectura detecta las cargas que fluyen entre su línea de bits asociada (BL) y las celdas conectadas con esta línea de bits, comprendiendo dicho método secuencias de temporización para los potenciales eléctricos en todas las líneas de palabras y de bits, activando en un ciclo de lectura una línea de palabras seleccionada por aplicación de un nivel de voltaje por lo menos igual a Vs a la misma y manteniendo el nivel de voltaje en todas las líneas de bits que cruzan igual a 0 o viceversa, de manera que el valor lógico almacenado en cada celda conectada con la línea de palabras activa se puede determinar al detectar un valor de cargo en la respectiva línea de bits en sus medios de detección asociados manteniendo simultáneamente todas las líneas de palabras inactivas a nivel de voltaje 0 o Vs, según sea aplicable; comprendiendo dicho método un ciclo de regeneración para la reescritura de información que se perdió en el ciclo de lectura.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: THIN FILM ELECTRONICS ASA.

Nacionalidad solicitante: Noruega.

Dirección: P.O. BOX 1872 VIKA,0124 OSLO.

Inventor/es: KARLSSON, CHRISTER, BRIMS, PER.

Fecha de Publicación: 1 de Abril de 2007.

Fecha Solicitud PCT: 29 de Octubre de 2002.

Clasificación Internacional de Patentes:

G11C11/22 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad). › que utilizan elementos ferroeléctricos.
G11C7/10 G11C […] › G11C 7/00 Disposiciones para escribir una información o para leer una información en una memoria digital (G11C 5/00 tiene prioridad; circuitos auxiliares para memorias que utilizan dispositivos semiconductores G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/4193). › Disposiciones de interfaz para entrada/salida [I/O] de datos, p. ej. circuitos de control de entrada/salida [I/O] de datos, memorias intermedias de entrada/salida [I/O] de datos.
G11C8/18 G11C […] › G11C 8/00 Disposiciones para seleccionar una dirección en una memoria digital (circuitos auxiliares para memorias que utilizan dispositivos semiconductores G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/4193). › Circuitos de sincronización o de reloj; Generación o gestión de señales de control de dirección, p. ej. para las señales de selección de dirección de línea [RAS] o de selección de dirección de columna [CAS].

Clasificación PCT:

G11C11/22 G11C 11/00 […] › que utilizan elementos ferroeléctricos.
G11C7/10 G11C 7/00 […] › Disposiciones de interfaz para entrada/salida [I/O] de datos, p. ej. circuitos de control de entrada/salida [I/O] de datos, memorias intermedias de entrada/salida [I/O] de datos.
G11C8/18 G11C 8/00 […] › Circuitos de sincronización o de reloj; Generación o gestión de señales de control de dirección, p. ej. para las señales de selección de dirección de línea [RAS] o de selección de dirección de columna [CAS].

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Finlandia, Chipre, Oficina Europea de Patentes.

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