APARATO OPTOELECTRONICO DE DIRECCIONAMIENTO MATRICIAL Y MEDIOS DE ELECTRODOS DEL MISMO.
Aparato optoelectrónico direccionable matricialmente que comprende un medio funcional (3) en forma de material optoelectrónicamente activo dispuesto en una capa global emparedada entre un primer y un segundo medios de electrodos (EM1,
EM2), cada uno con electrodos paralelos (1;2), en forma de cinta, en el que los electrodos (2) del segundo medio de electrodos (EM2) están orientados en ángulo respecto de los otros electrodos (1) del primer medio de electrodos (EM1), en el que los elementos funcionales (5) están conformados en volúmenes del material activo (3) definidos en las superposiciones respectivas entre los electrodos (1) del primer medio de electrodos (EM1) y los electrodos (2) del segundo medio de electrodos (EM2) para proporcionar una formación direccionable matricialmente con los electrodos (1, 2) en contacto con el material activo (3) en el que un elemento funcional (5) del material activo puede ser activado aplicando una tensión a los electrodos que se entrecruzan (1, 2) que definen el elemento para conformar un pixel emisor de luz, absorbente de luz, reflectante o polarizante en un dispositivo de pantalla o alternativamente mediante luz incidente para conformar un pixel en un detector óptico y emitir una tensión mediante los electrodos (1, 2) que se entrecruzan en el pixel, siendo dicho material activo (3) en ambos casos, seleccionado como un material orgánico o inorgánico y capaz de acuerdo con la función pretendida, ya sea de emitir, absorber, reflejar o polarizar luz tras ser activado por una corriente aplicada o para emitir una tensión o corriente de salida cuando es estimulado por una luz incidente o en ambos supuestos, por medio de lo cual la dirección de un pixel (5) en cualquiera de los casos tiene lugar dentro de un esquema de direccionamiento matricial, y en el que los electrodos (1, 2) de al menos uno de los medios de electrodos (EM1; EM2) están hechos de material transparente o translúcido.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: THIN FILM ELECTRONICS ASA.
Nacionalidad solicitante: Noruega.
Dirección: P.O. BOX 1872 VIKA,0124 OSLO.
Inventor/es: NORDAL, PER-ERIK, GUDESEN, HANS, GUDE, LEISTAD, GEIRR, I..
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 1 de Noviembre de 2002.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G11C11/22 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad). › que utilizan elementos ferroeléctricos.
- G11C5/02 G11C […] › G11C 5/00 Detalles de memorias cubiertos por el grupo G11C 11/00. › Disposición de elementos de almacenamiento, p. ej. bajo la forma de una matriz.
- H01L29/41 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › caracterizados por su forma, dimensiones relativas o disposición relativa.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Mozambique, Federación de Rusia, Sudán, Sierra Leona, Tayikistán, Turkmenistán, República Unida de Tanzania, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Zambia, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Guinea-Bissau, Guinea Ecuatorial, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.
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