Sistema y procedimiento para reducir el esfuerzo de tensión de programación en dispositivos de celdas de memoria.

Una memoria OTP programable una vez (300), que comprende:

una primera línea de palabra global (GWL1);



un primer conjunto de líneas de bits (BL1-BLJ);

una primera línea de palabra local (LWL11);

un primer conjunto de celdas de memoria OTP (C11 - 1J) acopladas a la primera línea de palabra local y acopladas al primer conjunto de líneas de bits, respectivamente; y

un primer controlador de línea de palabra local (LD11) configurado para generar una primera señal confirmada en la línea de palabra local en respuesta a la recepción de una segunda señal confirmada de la primera línea de palabra global y una tercera señal confirmada, en la que la tercera señal confirmada se genera en respuesta al menos a uno de un primer conjunto de señales de programación de línea de bits;

un primer conjunto de controladores de línea de bits (BD1 - BDJ) configurado para aplicar tensiones de programación en el primer conjunto de líneas de bits basado en el primer conjunto de señales de programación de línea de bits (bl1 - blj); respectivamente, y

una compuerta OR de entrada múltiple (330-1) configurada para generar la tercera señal confirmada en respuesta a al menos una de las primeras señales de programación de línea de bits que se está confirmando.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2017/017725.

Solicitante: QUALCOMM INCORPORATED.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 5775 MOREHOUSE DRIVE SAN DIEGO, CA 92121-1714 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.

Inventor/es: YOON,Sei Seung, KOTA,ANIL, GRUBELICH,BJORN.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • G11C17/16 FISICA.G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 17/00 Memorias de sólo lectura programables una sola vez; Memorias semipermanentes, p. ej. tarjetas de información que pueden ser reemplazadas a mano. › utilizando uniones fusibles eléctricamente.
  • G11C17/18 G11C 17/00 […] › Circuitos auxiliares, p. ej. para la escritura en la memoria.
  • G11C8/08 G11C […] › G11C 8/00 Disposiciones para seleccionar una dirección en una memoria digital (circuitos auxiliares para memorias que utilizan dispositivos semiconductores G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/4193). › Circuitos de control de líneas de palabras, p. ej. circuitos de excitación, de potencia, de arrastre hacía arriba (pull-up), de empuje hacía abajo (pull-down), circuitos de precarga, circuitos de igualación, para líneas de palabras.
  • G11C8/12 G11C 8/00 […] › Circuitos de selección de grupo, p. ej. para la selección de un bloque de memoria, la selección de un circuito integrado, la selección de una red de celdas.
  • G11C8/14 G11C 8/00 […] › Organización de líneas de palabras; Disposición de líneas de palabras.

PDF original: ES-2776390_T3.pdf

 

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