PROCEDIMIENTO PARA REALIZAR OPERACIONES DE ESCRITURA Y LECTURA EN UNA MEMORIA MATRICIAL PASIVA Y APARATO PARA LA REALIZACION DEL PROCEDIMIENTO.
Un procedimiento para efectuar operaciones de escritura y lectura en un conjunto de celdas de memoria de direccionamiento matricial que comprenden un material eléctricamente polarizable que presenta remanencia de polarización,
en particular un material electreto o ferroeléctrico, en el cual un valor lógico almacenado en una celda de memoria está representado por un estado real de polarización de la celda de memoria y se determina detectando un flujo de carga hacia o desde dicha celda de memoria en respuesta a la aplicación de unas tensiones sobre las líneas de palabras y las líneas de bits para direccionar las celdas de memoria del conjunto, en el cual la detección del flujo de carga en particular se basa en detectar un componente de flujo de carga provocado por un cambio de polarización en dicho material polarizable, y en el cual se efectúan operaciones de escritura y lectura bajo el control de un dispositivo de circuito de control, caracterizado por registrar una respuesta de carga dinámica de una o más celdas de memoria durante una operación de lectura, limitar el grado de polarización en el material polarizable durante cada operación de lectura a un valor que depende de la respuesta de carga dinámica registrada según defina el dispositivo de circuito de control, estando dicho valor comprendido entre más de cero y un límite superior más bajo que la magnitud de saturación de la polarización y consistente con unos criterios predeterminados para la detección fiable del estado lógico de un elemento de memoria, y controlar las operaciones de escritura y lectura según una información real de la respuesta de carga instantánea.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: THIN FILM ELECTRONICS ASA.
Nacionalidad solicitante: Noruega.
Dirección: P.O. BOX 1872 VIKA,0124 OSLO.
Inventor/es: NORDAL, PER-ERIK, GUDESEN, HANS, GUDE, JOHANSSON, MATS, BRIMS, PER.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 6 de Julio de 2001.
Fecha Concesión Europea: 16 de Marzo de 2005.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G11C11/22 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad). › que utilizan elementos ferroeléctricos.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Mozambique, Federación de Rusia, Sudán, Sierra Leona, Tayikistán, Turkmenistán, República Unida de Tanzania, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Guinea-Bissau, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.
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