Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido,...

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CIP: H01L21/00, Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas (procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de dispositivos cubiertos por los grupos 31/00 a 49/00, o de sus partes constitutivas, ver estos grupos; procedimientos de una sola etapa cubiertos por otras subclases, ver las subclases apropiadas, p. ej. C 23 C, C 30 B; producción por vía fotomecánica de superficies texturadas, materiales a este efecto o sus originales, aparatos especialmente adaptados a este efecto, en general G 03 F) [2]

Notas:
  • Los grupos 21/70 a 21/98 tienen prioridad sobre los grupos 21/02 a 21/68. [2]

Subcategorías:

Inventos patentados en esta categoría

1.-

Un dispositivo óptico para distribuir emisiones radiantes de un emisor de luz, comprendiendo el dispositivo óptico: una sección de transferencia ; y una sección de eyección situada sobre la sección de transferencia , pudiendo dicha sección de transferencia accionarse para su colocación sobre un emisor de luz y accionarse para transferir una emisión radiante desde dicho emisor de luz a dicha sección de eyección , estando dicha sección de eyección conformada de tal modo que la emisión se redistribuye externamente en un ángulo sólido, caracterizado porque dicha sección de eyección...

2.-

Celda de memoria, que comprende:~ una región de canal situada entre una región de fuente y una región de drenaje , estando formadas dicha región de fuente y dicha región de drenaje dentro de un sustrato de semiconductor dopado , y caracterizada por que comprende: dos regiones de potencial mínimo en el sustrato de semiconductor , siendo cada una de dichas regiones de potencial mínimo una región del sustrato de semiconductor, en la cual el dopante está ausente, siendo cada una de las regiones de potencial mínimo capaz de almacenar por lo menos un portador de carga; estando cada una de dichas regiones de potencial...

3.-

Método de fabricación de un dispositivo de memoria de almacenamiento de carga, que comprende: formar una máscara submicrónica mediante las etapas siguientes: formar un primer islote de nitruro de silicio sobre un sustrato ; formar una capa de polisilicio sobre dicho primer islote de nitruro de silicio ; atacar químicamente el material de polisilicio de dicha capa de polisilicio para formar cuatro estructuras de polisilicio en las paredes laterales de dicho primer islote de nitruro de silicio ; eliminar dicho primer islote de nitruro de silicio ; y atacar químicamente tres de dichas...

4.-

Un aparato de MEMS, que comprende: un sustrato ; un electrodo , en el que el electrodo está ubicado sobre el sustrato ; una capa transparente , estando ubicada la capa transparente sobre el electrodo , y comprendiendo la capa transparente SiO2; una capa de captura de carga, estando ubicada la capa de captura de carga sobre la capa transparente e incluye un material que tiene una densidad de captura de carga para manipular la acumulación de la carga sobre la capa transparente , y en el que la capa de captura de carga sirve de capa barrera de ataque químico y es resistente a XeF2; un...

5.-

Cámara de tratamiento por vacío con disposición de bobinas para crear un campo magnético en la cámara en donde la disposición de bobinas comprende como mínimo una primera bobina parcial y una segunda bobina parcial, en donde la primera bobina parcial y la segunda bobina parcial se encuentran en sección transversal una junto a otra, preferentemente en un plano, de tal manera que como mínimo cada una zona parcial de la primera bobina sigue esencialmente el trayecto de una zona parcial de la segunda bobina, en donde la distancia de la primera zona parcial a la segunda zona parcial es como mínimo un tamaño aproximado menor que la sección transversal de una bobina...

6.-

Un procedimiento para revestir un sustrato a presión atmosférica, que comprende las etapas de: mezclar una masa controlada de material semiconductor y una corriente de gas inerte; vaporizar el material semiconductor a presión sustancialmente atmosférica calentando la mezcla de material semiconductor y corriente de gas inerte para crear una mezcla fluida que tiene una temperatura por encima de la temperatura de condensación del material semiconductor; dirigir la mezcla fluida a sustancialmente la presión atmosférica sobre el sustrato que tiene una temperatura por debajo de la temperatura de condensación del material semiconductor; y depositar una capa del material semiconductor sobre una superficie del sustrato.

7.-

Dispositivo de texturización mecánica de una oblea de silicio , destinada a constituir una célula fotovoltaica, que comprende una pluralidad de puntas de carburo de tungsteno y un soporte que comprende una pluralidad de alojamientos adaptados cada uno para alojar con deslizamiento una punta de carburo de tungsteno y medios para mantener apoyada cada una de la pluralidad de puntas contra la oblea de silicio según una fuerza constante independiente de las variaciones de grosor de dicha oblea.

8.-

Un aparato de tratamiento en vacío que comprende: • un recipiente de tratamiento en vacío , que comprende un elemento de bloqueo de carga entre uninterior (i) de dicho recipiente y un exterior (e) de dicho recipiente , de tal manera que dichoelemento de bloqueo de carga comprende una disposición de válvula externa (1a, 1b) entre uncompartimiento de dicho elemento de bloqueo de carga y dicho exterior (e), y una disposición de válvulainterna entre dicho compartimiento y el resto de dicho interior (i), de tal modo que dicho elemento debloqueo de carga se ha concebido como un elemento de bloqueo de carga en ambos sentidos, obidireccional,...

9.-

Un conjunto de soporte para el alojamiento temporal de uno o más laminados de células solares mientrasdichos laminados solares son transportados a través de una planta de laminación, comprendiendo dicholaminado de células solares: una capa de células solares de material de silicio, una capa de encapsulación superior y una inferior dematerial de EVA que cubren la parte superior y la parte inferior de dicha capa de células solares, una capa de protección superior e inferior que cubren dichas capas de encapsulación superior e inferior,respectivamente, teniendo dicha capa de encapsulación una temperatura de fusión específica y unatemperatura de curado específica, siendo dicha temperatura de fusión inferior a dicha temperatura de curado, ycomprendiendo dicho conjunto de soporte: una carcasa...

10.-

Procedimiento para fabricar un elemento de construcción semiconductor con una zona superficial dopada selectivamente, que presenta: Preparar un substrato portador semiconductor dopado ; Producir una capa de separación en una superficie del substrato portador semiconductor; Precipitar una capa semiconductora dopada sobre la capa de separación; Disolver la capa semiconductora dopada del substrato portador semiconductor; en el cual los parámetros de proceso, que comprenden al menos un parámetro del grupo temperatura de proceso, desarrollo de la temperatura de proceso y duración del proceso, se eligen de manera que mediante difusión de cuerpo sólido dopantes de la capa de separación se difunden en la capa semiconductora precipitada,...

11.-

Procedimiento para el tratamiento de substratos, particularmente para la fabricación de módulos fotovoltaicos, dondeen una etapa del procedimiento se eliminan capas resistentes de los substratos mediante pulverizaciones ohumedecimiento con ayuda de una solución de proceso introducida en un ciclo, donde los substratos en primerlugar se humedecen o rocían en un módulo de extracción principal y luego en un módulo de extracción sucesivo con la solución de proceso y la solución de proceso se acumula en recipientes bajo de los módulos, donde para elmódulo de extracción principal y el módulo de post-extracción o sucesivo respectivamente al menos se...

12.-

Un material dieléctrico artificial que comprende: una pluralidad de partículas adheridas juntas, comprendiendo la pluralidad de partículas un material dieléctrico;yal menos una fibra conductora incorporada en cada partícula de la pluralidad de partículas; caracterizado porque cada partícula de la pluralidad de partículas comprende una matriz de fibras conductoras .

13.-

Procedimiento de puesta al desnudo de un circuito integrado por ablación de una envoltura de polímero querecubre inicialmente el circuito integrado, caracterizado por el hecho de que comprende una aplicacióncombinada de una radiación láser y de un plasma sobre la envoltura que recubre inicialmente el circuitointegrado, realizándose la aplicación co 5 mbinada en un mismo recinto .

14.-

Procedimiento de evaluación del envejecimiento por fatiga a vibración de un conjunto electrónico, en el que- se miden una o varias magnitudes cinemáticas en uno o varios puntos particulares que experimentan elmovimiento vibratorio, caracterizado porque: - se establece un modelo dinámico que relaciona las magnitudes cinemáticas medidas y unas tensionesmecánicas experimentadas en unos puntos críticos con relación a la fatiga a vibración, denominándose estemodelo observador de estado, - se infiere de las tensiones mecánicas calculadas según el observador de estado un estado de daño decada uno de los puntos críticos, estados de daño que caracterizan el envejecimiento que se persigue, - se integra la cadena medidas cinemáticas - observador de estado - cálculo de los estados...

15.-

Un aparato para realizar un proceso de menisco de fluido sobre un objeto , teniendo el objeto una primerasuperficie y una segunda superficie, que comprende: (a) por lo menos un depósito de contención que contiene un fluido que forma un menisco de fluido (b) un accesorio de sujeción para sujetar el objeto de tal modo que por lo menos una porción del meniscode fluido está en contacto con y se transfiere a por lo menos una porción de la segunda superficie del objeto; y (c) un elemento de interacción de fluido configurado para interactuar con la por lo menosuna porción del menisco de fluido que se transfirió a la segunda superficie; caracterizado porque el elemento de interacción de fluido está configurado para proporcionar un gas sobrepor lo menos una porción de la primera superficie...

16.-

Una tarjeta de transacción, que comprende: una lámina sustancialmente plana que tiene una superficie frontal , una superficie trasera y un bordeperiférico continuo ; una banda magnética , en la superficie trasera, almacenando la banda magnética información que es legible porun lector magnético, comprendiendo la información una serie de dígitos a partir 5 de los cuales el lector de tarjetasmagnéticas puede obtener información acerca de una cuenta asociada con la tarjeta o de un titular de la tarjeta;en la que al menos una porción de la lámina plana es de carbono; caracterizada porque la superficie frontal incluye bandas entrelazadas de cadenas repetidas de las palabras "BLACK CARD" todo en letrasmayúsculas, lo que proporciona a...

17.-

Procedimiento para romper discos u obleas de semiconductores, así como láminas de cerámica y vidrio, o sustratos similares, a lo largo de líneas de rotura controlada que se extienden de forma rectilínea y están marcadas con una ligera incisión en la cara superior del disco semiconductor, utilizando una cuña de rotura dispuesta en la cara inferior del disco semiconductor o similar de forma alineada con la correspondiente línea de rotura controlada y al menos un contrasoporte que se apoya en la cara superior del disco semiconductor o similar y provoca una contrapresión en el momento en el que la cuña presiona contra la cara inferior...

18.-

Un sistema para inducir una transformación de material predeterminada en un material diana predeterminado, comprendiendo el sistema: - un sustrato acoplado termicamente a un disipador de calor y circuito excitador para proporcionar potencia a una disposición de dispositivos que emiten luz de estado sólido dispuesta superficialmente sobre el sustrato, produciendo el sistema una densidad de potencia de salida de la luz de al menos aproximadamente 50 mW/cm2 caracterizado por que el sistema es capaz de producir luz en una longitud de onda menor que aproximadamente 425 nm y el sistema comprende ademas al menos un elemento óptico que incluye una disposición de microlente reflectiva, refractiva o difractiva que colima la salida de la luz.

19.-

Procedimiento de liberación de obleas en el cual se libera la oblea más superior de un laminado de oblea obtenido por laminado de muchas o una pluralidad de obleas, que comprende las etapas de: presionar la oblea más superior a lo largo de una dirección de un eje desplazado un ángulo en el intervalo de 15 a 75 grados desde un eje de la línea de hábito del cristal de la oblea más superior en sentido horario o antihorario; doblar hacia arriba la parte periférica de la oblea posición más superior para producir un esfuerzo de flexión en la oblea más superior en la dirección del eje desplazado por el ángulo; introducir un fluido en un espacio entre la superficie inferior de la oblea más superior y la...

20.-

Dispositivo para el ensamblaje automático de los componentes de elementos fotovoltaicos en un proceso de fabricación que se desarrolla de forma continua, en el que diferentes partes de las instalaciones colaboran en una secuencia determinada, con las siguientes características: a) al menos 2 líneas de fabricación para el suministro sincronizado de sustratos, b) al menos 2 puentes de equipamiento (A, B) para el ensamblaje de sustratos, láminas y cristales de vidrio, c) un dispositivo de apilamiento para una alimentación de láminas y una cinta transportadora para la alimentación de cristales de vidrio, d) dispositivos para el centrado y aspiración de las láminas sobre un bastidor de transporte de láminas así como para el centrado y aspiración de las placas de vidrio sobre un bastidor...

21.-

Procedimiento para detectar anomalías en un sustrato semiconductor, tal como microfisuras penetrantes o no penetrantes, en particular en un sustrato de silicio policristalino, que comprende las etapas de: a) proporcionar un sustrato semiconductor, b) realizar una imagen de inspección I del sustrato iluminando el sustrato con una retroiluminación que tiene longitudes de onda dentro del intervalo del infrarrojo cercano, de manera que dichas microfisuras penetrantes y no penetrantes son menos transparentes que el sustrato o no son transparentes, c) generar una imagen K a partir de a imagen I por procesamiento de imagen, d) generar la imagen B por binarización de la imagen K, e) examinar la imagen I usando la imagen B para determinar las localizaciones de dichas microfisuras penetrantes y no penetrantes en...

22.-

Procedimiento para reducir la rugosidad de superficies no amorfas de cuerpos sólidos.El objeto principal de la presente invención es reducir la rugosidad de superficies no amorfas de cuerpos sólidos a los valores más bajos posibles, en el umbral de la corrugación atómica, sin reducir sus calidades cristalinas con el fin de que preserven sus propiedades funcionales. Para ello, se define un procedimiento donde un flujo pulsado de material a ser depositado se dirige hacia la superficie sólida cuya rugosidad se pretende disminuir, a la vez que se modula periódicamente la temperatura de la superficie a una frecuencia similar que aquella usada para el flujo pulsado

23.- PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA ACONDICIONAR LAMINAS SEMICONDUCTORAS Y/O HIBRIDAS.

. Solicitante/s: ERS ELECTRONIC GMBH. Inventor/es:

Procedimiento para el acondicionamiento de láminas y/o híbridos semiconductores, que comprende las etapas de: preparar un espacio que está por lo menos parcialmente encerrado y tiene un dispositivo de soporte de lámina/híbrido que está situado en su interior y tiene el propósito de soportar una lámina y/o híbrido semiconductor; y conducir un fluido seco a través del dispositivo de soporte de lámina/híbrido para tratar con calor el dispositivo de soporte de lámina/híbrido ; en el que por lo menos una porción del fluido que abandona el dispositivo de soporte de lámina/híbrido se usa para acondicionar la atmósfera en el interior del espacio.

24.- APARATO DE ROTACION PLANETARIA IMPULSADO POR GAS Y METODOS PARA FORMAR CAPAS DE CARBURO DE SILICIO.

. Solicitante/s: CREE, INC.. Inventor/es:

Aparato de rotación impulsado por gas para su uso con un flujo de gas impulsor, comprendiendo el aparato: a) un elemento de base que tiene una superficie (151A) superior; b) un plato principal que recubre la superficie superior del elemento de base; y c) un plato satélite que recubre el plato principal; d) en el que el aparato está adaptado para dirigir el flujo de gas impulsor entre la superficie (151A) superior del elemento de base y el plato principal, de tal manera que el plato principal se haga rotar con respecto al elemento de base mediante el flujo del gas impulsor; y dirigir al menos una parte del flujo de gas impulsor desde entre la superficie superior del elemento de base y el plato principal hasta entre el plato principal y el plato satélite, de tal manera que el plato satélite se haga rotar con respecto al plato principal mediante al menos una parte del flujo de gas impulsor.

25.- MIEMBRO DE TRANSFERENCIA DE OBLEAS CON CONDUCTIVIDAD ELECTRICA Y METODO PARA SU FABRICACION.

. Ver ilustración. Solicitante/s: NIPPON OIL CORPORATION NIPPON OIL CORPORATION. Inventor/es:

Un miembro de transferencia para transferir al menos un artículo en procesos de fabricación de máquinas de precisión como dispositivos de pantalla de cristal líquido y semiconductores, que comprende: un cuerpo que tiene un material compuesto reforzado con fibra de carbono; caracterizado por una parte de polímero conductor de la electricidad dispuesta sobre dicho cuerpo, teniendo dicha parte de polímero conductor de la electricidad una porción para un contacto con el al menos un artículo durante la transferencia del al menos un artículo, y estando dicha parte de polímero conductor de la electricidad eléctricamente conectada al menos a una parte de las fibras de carbono del material compuesto reforzado con fibras de carbono de dicho cuerpo.

26.- PROCEDIMIENTO DE SECADO DE SUSTRATOS DE SILICONA.

. Ver ilustración. Solicitante/s: ICTOP ENTWICKLUNGS GMBH. Inventor/es:

Un procedimiento de secado de la superficie de un sustrato , comprendiendo el sustrato silicio, que comprende: sumergir el sustrato en un baño líquido que comprende una solución acuosa de HF , separar el sustrato del baño líquido , siendo la superficie del sustrato hidrófoba cuando se separa del baño líquido, que se caracteriza porque el sustrato es separado del baño, por medio de lo cual la velocidad relativa de separación entre el sustrato y la superficie de la solución acuosa de HF está entre 0, 1 cm/s y 20 cm/s, permitiendo que el líquido del baño drene desde la superficie hidrófoba del sustrato para producir un sustrato seco; y porque, después de separar el sustrato del baño líquido, se dirige sobre la superficie del sustrato seco un gas que comprende una mezcla de O2/O3 que forma una superficie hidrófila sobre el sustrato.

27.- DISPOSITIVO PARA EL DEPOSITO DE SUSTRATOS.

. Ver ilustración. Solicitante/s: ASTEC HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH. Inventor/es:

El dispositivo para el depósito de substratos (S), especialmente obleas o substratos de silicio para la fabricación de elementos fotovoltaicos, con dos paredes opuestas , donde al menos están previstos dos soportes en forma de barras conectados a las paredes , donde los soportes están previstos para mantener los substratos (S) afianzados en una posición vertical, paralela a las paredes , mediante piezas de parada , muestra que se ha previsto al menos un contra- soporte con forma de barra conectado a ambas paredes , que está colocado, con respecto a los soportes , de tal forma, que limita un movimiento vertical de los substratos (S) con respecto a las paredes , y una carga o descarga de los substratos (S) de forma oblicua con respecto a la dirección vertical (V) es posible.

28.- METODO FLUOROMETRICO PARA AUMENTAR LA EFICACIA DEL PROCESO DE LAVADO Y RECUPERACION DEL AGUA EN LA FABRICACION DE CHIPS DE SEMICONDUCTORES.

. Solicitante/s: NALCO CHEMICAL COMPANY. Inventor/es:

Un método para limpiar un chip de semiconductor durante la fabricación del chip de semiconductor, que comprende las etapas de: a) limpiar el chip de semiconductor mediante un proceso de lavado para retirar las impurezas de la superficie del chip, sumergiendo el chip repetidas veces en una disolución acuosa de lavado; b) monitorizar fluorométricamente las impurezas fluorescentes de la disolución de lavado al tiempo que se sumerge el chip, para determinar la concentración de las impurezas en dicha disolución de lavado; c) correlacionar los valores fluorométricos de dichas impurezas con la concentración de dichas impurezas; d) observar un aumento en la concentración de las impurezas durante el proceso de lavado como se determina en la etapa c); y e) determinar que el chip esta limpio, entendiendo que el proceso de lavado se ha completado cuando la concentración de impurezas en la disolución de lavado deja de aumentar en la etapa d) y se mantiene constante.

29.-

EN UNA ESTACION DE CARGA Y DESCARGA PARA INSTALACIONES DE ELABORACION DE SEMICONDUCTORES EL PROBLEMA CONSISTE EN GARANTIZAR UN EQUIPAMIENTO ADECUADO DE RECIPIENTES DE TRANSPORTE, QUE SIRVEN COMO ALMACEN PARA OBJETOS EN FORMA DE DISCO Y SE ABREN LATERALMENTE. UN TRASBORDADOR DEBE SE POSIBLE A ELECCION TAMBIEN A PARTIR DE UNA CANTIDAD GRANDE DE RECIPIENTE DE TRANSPORTE DE ESTE TIPO, DONDE DEBE CONSEGUIRSE UN CAMBIO DE RECIPIENTE DE TRANSPORTE BAJO CONDICIONES VENTAJOSAS ERGONOMICAS. DE ACUERDO CON LA INVENCION SE ACOPLA EL RECIPIENTE DE TRANSPORTE PARA TRANSBORDO DE LOS OBJETOS EN FORMA DE DISCO CON LA TAPA DEL RECIPIENTE POR MEDIO DE UN CIERRE DE FUERZA DE APLICACION FIJA A UN CIERRE DE UNA ABERTURA DE ALIMENTACION. LA ABERTURA DE ALIMENTACION Y EL RECIPIENTE DE TRANSPORTE SE ABREN AL MISMO TIEMPO POR MEDIO DE UNA RECEPCION CONJUNTA...

30.- PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA EL TRATAMIENTO DE COMPONENTES DISPUESTOS SOBRE UN SUBSTRATO, ESPECIALMENTE DE CHIPS DE SEMICONDUCTORES.

. Ver ilustración. Solicitante/s: ALPHASEM AG. Inventor/es:

Procedimiento para el tratamiento de componentes electrónicos dispuestos sobre un substrato , en el que los componentes son colocados sobre el substrato y son impulsados por una herramienta para la unión duradera con el substrato, dado el caso, utilizado un adhesivo y son sometidos a una presión de prensado y, dado el caso, a un tratamiento térmico, siendo colocados sobre el substrato varios componentes unos detrás de otros para formar un grupo y siendo sometido a continuación todo el grupo al mismo tiempo a la presión de prensado y, dado el caso, al tratamiento térmico.

31.- DISPOSITIVO DE PRENSION ELECTROSTATICA DE UNA LAMINA DE COMPONENTE ELECTRONICO.

. Ver ilustración. Solicitante/s: SEMCO ENGINEERING S.A. Inventor/es:

Dispositivo de prensión electrostática de una lámina de componente electrónico o análogo, del tipo de dispositivo que comprende un órgano de prensión de la lámina , dotado de medios de mantenimiento positivo de esta última adherida contra una superficie globalmente plana del órgano de prensión, este órgano de prensión comprendiendo un soporte rígido plano y fino, y por lo menos un electrodo asociado a unos medios alejados de alimentación por energía eléctrica, este electrodo siendo colocado sobre una de las caras del soporte plano , caracterizado porque el soporte es de metal difícilmente alterable, el electrodo siendo colocado sobre una de las caras del soporte plano quedando confinado casi en su totalidad entre dos placas de un material aislante, mientras que la otra cara del soporte , totalmente plana, está prevista para ser la portadora de la lámina.

32.- RODILLO DE TRANSPORTE, DISPOSITIVO DE RETENCION Y SISTEMA DE TRANSPORTE PARA MATERIAL DE TRANSPORTE PLANO.

. Ver ilustración. Solicitante/s: RENA SONDERMASCHINEN GMBH. Inventor/es:

Dispositivo de retención para presionar material de transporte esencialmente plano, en el que - el dispositivo de retención de forma esencialmente cilíndrica posee una realización de al menos dos partes, - está constituido por un eje y al menos un casquillo , y - el diámetro interior del casquillo es mayor que el diámetro exterior del eje y - el eje y el casquillo del dispositivo de retención están acoplados, caracterizado porque - en el eje está montado un arrastrador en forma de pasador que está dirigido fuera del eje y que encaja en una escotadura sobre al menos un lado del casquillo.