CIP-2021 : H01L 21/337 : con unión PN.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/337 · · · · · · con unión PN.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Método para fabricar un JFET de triple implante.
(08/04/2020). Solicitante/s: United Silicon Carbide Inc. Inventor/es: BHALLA,ANUP, LI,ZHONGDA.
Un método para crear un JFET (o 'transistor de efecto de campo de unión o juntura'), que comprende:
a. aplicar una primera máscara a una lámina u oblea para formar una primera capa de enmascaramiento dura y estampada en la parte superior de la oblea, de manera que la oblea comprende una región de deriva superior y una región de drenaje inferior ;
b. aplicar tres implantes a la porción 'no enmascarada' de la parte superior de la oblea para formar una región de la compuerta inferior (605b), una región del canal horizontal y una región de la compuerta superior (605a) en la parte o porción superior de la región de deriva ;
c. formar una región de la fuente en una parte o porción de la región de la compuerta superior;
d. conectar las regiones de la compuerta superior y la compuerta inferior (605a, 605b).
PDF original: ES-2794629_T3.pdf