CIP-2021 : H01L 21/461 : para cambiar las características físicas o la forma de su superficie, p. ej. grabado, pulido, recortado.

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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:

H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.

H01L 21/461 · · · · · para cambiar las características físicas o la forma de su superficie, p. ej. grabado, pulido, recortado.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Composición acuosa alcalina de grabado y de limpieza y procedimiento de tratamiento de la superficie de sustratos de silicio.

(08/02/2019) Una composición acuosa alcalina de grabado y de limpieza que comprende: (A) al menos un hidróxido de amonio cuaternario; preferiblemente seleccionado del grupo que consiste en hidróxido de tetrametilamonio e hidróxido de tetraetilamonio; y (B) al menos un componente seleccionado del grupo que consiste en (b1) ácidos sulfónicos solubles en agua y sus sales solubles en agua de fórmula general I: (R1-SO3-)nXn+ (I), (b2) ácidos fosfónicos solubles en agua y sus sales solubles en agua de fórmula general II: R-PO32-(Xn+)3-n (II), (b3) ésteres de ácido sulfúrico solubles en agua y sus sales solubles en agua de fórmula general III: (RO-SO3-)nXn+ (III), (b4) ésteres de ácido fosfórico solubles en agua y sus sales solubles en agua de…

Control del comportamiento electromecánico de estructuras en un dispositivo de sistemas microelectromecánicos.

(17/09/2014) Un aparato de MEMS, que comprende: un sustrato ; un electrodo , en el que el electrodo está ubicado sobre el sustrato ; una capa transparente , estando ubicada la capa transparente sobre el electrodo , y comprendiendo la capa transparente SiO2; una capa de captura de carga, estando ubicada la capa de captura de carga sobre la capa transparente e incluye un material que tiene una densidad de captura de carga para manipular la acumulación de la carga sobre la capa transparente , y en el que la capa de captura de carga sirve de capa barrera de ataque químico y es resistente a XeF2; un…

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