CIP-2021 : H01L 21/328 : Procedimientos que comportan varias etapas para la fabricación de dispositivos de tipo bipolar,
p. ej. diodos, transistores, tiristores.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/328 · · · · Procedimientos que comportan varias etapas para la fabricación de dispositivos de tipo bipolar, p. ej. diodos, transistores, tiristores.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
METODO DE FABRICACION DE UN DISPOSITIVO DE SEMICONDUCTORES.
(01/09/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Inventor/es: NORSTROM, HANS.
EN UN PROCEDIMIENTO PARA ATACAR SELECTIVAMENTE CON ACIDO EN LA FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, UNA CAPA AMORFA DEL MATERIAL SEMICONDUCTOR SE DEPOSITA SOBRE UN SUSTRATO CRISTALINO DEL MISMO MATERIAL SEMICONDUCTOR. AL MENOS UNA CAPA DE DIELECTRICO SE DEPOSITA SOBRE LA CAPA AMORFA A FIN DE EVITAR LA CRISTALIZACION DE LA CAPA AMORFA . LA CAPA DIELECTRICA ES DEPOSITADA PREFERIBLEMENTE CON AYUDA BIEN SEA DE UNA TECNICA PECVD, SACVD, MBE O CENTRIFUGA. LA ESTRUCTURA RESULTANTE ESTA CONFIGURADA Y LA CAPA DE DIELECTRICO Y LA CAPA SEMICONDUCTORA AMORFA SON QUITADAS POSTERIORMENTE MEDIANTE ATAQUE POR ACIDO DENTRO DE UNA ZONA PREDETERMINADA . EL PROCEDIMIENTO PUEDE FORMAR UNA SUB-ETAPA EN LA FABRICACION DE UN TRANSISTOR BIPOLAR CON UNA ESTRUCTURA BASE-EMISOR AUTO-REGISTRADA.
