CIP-2021 : H01L 21/441 : Depósito de materiales conductores o aislantes para los electrodos.

CIP-2021HH01H01LH01L 21/00H01L 21/441[5] › Depósito de materiales conductores o aislantes para los electrodos.

Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:

H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.

H01L 21/441 · · · · · Depósito de materiales conductores o aislantes para los electrodos.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Procedimiento para la creación de contactos eléctricos y contactos así creados.

(26/06/2014) La presente invención se refiere a un procedimiento para la creación de contactos eléctricos en dispositivos optoelectrónicos y electrónicos, incluyendo células solares de alta y baja concentración, lámina delgada, diodos emisores de luz orgánicos (OLEDs), y en general, cualquier dispositivo en el que se requiera extraer o inyectar corriente por medio de contactos eléctricos. El procedimiento comprende dos etapas: (a) deposición del material de contacto sobre el sustrato final, mediante la transferencia inducida por láser (LIFT) de dicho material desde un sustrato donante al sustrato final, utilizando preferiblemente láser pulsado y (b) sinterizado…

PROCEDIMIENTO PARA LA CREACIÓN DE CONTACTOS ELÉCTRICOS Y CONTACTOS ASÍ CREADOS.

(30/05/2014). Ver ilustración. Solicitante/s: ABENGOA SOLAR NEW TECHOLOGIES, S.A. Inventor/es: MORALES FURIO,MIGUEL, DELGADO SÁNCHEZ,José María, SÁNCHEZ-CORTEZÓN,Emilio, COLINA BRITO,Mónica Alejandra, MOLPECERES ALVAREZ,Carlos Luis, SÁNCHEZ ANIORTE,María Isabel, MURILLO GUTIÉRREZ,Joaquín.

La presente invención se refiere a un procedimiento para la creación de contactos eléctricos en dispositivos optoelectrónicos y electrónicos, incluyendo células solares de alta y baja concentración, lámina delgada, diodos emisores de luz orgánicos (OLEDs), y en general, cualquier dispositivo en el que se requiera extraer o inyectar corriente por medio de contactos eléctricos. El procedimiento comprende dos etapas: (a) deposición del material de contacto sobre el sustrato final, mediante la transferencia inducida por láser (LIFT) de dicho material desde un sustrato donante al sustrato final, utilizando preferiblemente láser pulsado y (b) sinterizado del material de contacto mediante una fuente láser, preferiblemente láser continuo. Los contactos así creados presentan unas excelentes propiedades de conductividad y adherencia, así como altas relaciones entre la altura (espesor) y anchura de los mismos.

CONTACTOS OHMICOS ESTABLES PARA PELICULAS DELGADAS DE SEMICONDUCTORES II-VI QUE CONTIENEN TELURO, TIPO P.

(16/05/1995) UN CONTACTO OHMICO ESTABLE PARA PELICULAS DELGADAS DE SEMICONDUCTORES II-VI QUE CONTIENEN TELURO, TIPO P, Y DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS QUE INCORPORAN TALES CONTACTOS. UN CONTACTO OHMICO DE ACUERDO CON LA INVENCION COMPRENDE UNA CAPA FORMADORA DE CONTACTO DEPOSITADA SOBRE UNA PELICULA DELGADA DE TIPO P DE UN SEMICONDUCTOR II-VI QUE CONTIENE TELURO. PREFERIBLEMENTE, LA CAPA QUE FORMA CONTACTO ES COBRE QUE TIENE UN ESPESOR DE 2 NM APROXIMADAMENTE. SE DEPOSITA UNA CAPA AISLANTE EN LA FORMADORA DE CONTACTO PARA AISLAR LAS CAPAS DEPOSITADAS SUBSIGUIENTEMENTE DE LA PELICULA DELGADA. LA CAPA AISLANTE PUEDE SER CARBONO O UNA CAPA DELGADA…

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