.Revestimiento de partes determinadas de la superficie, p. ej. por medio de máscaras [4]

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CIP: C23C16/04, .Revestimiento de partes determinadas de la superficie, p. ej. por medio de máscaras [4]

Entorno:
  • Deposición química o revestimiento por descomposición; Deposición por contacto (difusión en estado sólido 8/00 a 12/00) [4]

Inventos patentados en esta categoría

  1. 1.-

    Procedimiento para el tratamiento con plasma de unas piezas de trabajo en forma de cuerpos huecos, en el que dentro de una cámara del reactor es puesta en vacío por lo menos parcialmente una zona de tratamiento, un gas de proceso se introduce en la zona de tratamiento, en particular en la pieza de trabajo, y mediante una energía electromagnética irradiada se genera un plasma en el entorno de por lo menos una parte de la superficie de la pieza de trabajo, caracterizado por que el plasma durante una excitación de...

  2. 2.-

    Procedimiento de realización de un microcomponente que comprende un apilamiento sobre un sustrato , incluyendo el apilamiento una primera capa depositada según un primer motivo y una segunda capa depositada según un segundo motivo, diferente del primer motivo, caracterizado porque el primer motivo está formado a través de una abertura de una máscara llevada a una primera temperatura (T1), y porque el segundo motivo está formado a través de la misma abertura de la misma máscara llevada a una segunda temperatura (T2), diferente de la primera temperatura.

  3. 3.-

    Un procedimiento de formación de películas delgadas, para plasmatizar una mezcla de gases, consistiendo, lamezcla de gases, en un gas de monómero y un gas reactivo oxidante, y para la formación de una película delgada,sobre una superficie de un substrato, encontrándose formada, la película delgada, por un óxido, el cual comprende:una primera etapa de formación de una primera película delgada, mediante la plasmatización de una mezcla degases, al mismo tiempo que se varía el factor de relación de los caudales de flujo del gas monómero, con respecto algas...

  4. 4.-

    Procedimiento de filtración que permite proteger, como mínimo, un instrumento (16, 16') de medida y control de los parámetros del proceso de tratamiento de los recipientes, utilizado en una máquina que realiza, en una zona de tratamiento, el depósito de un recubrimiento de partículas sobre la pared de dichos recipientes por formación de un plasma a partir de un gas precursor, cuyo instrumento de medición está sometido a un ciclo continuo de variaciones de presión que van de un valor que corresponde a casi vacío, durante...

  5. 5.-

    Procedimiento de aluminización por depósito en fase vapor para la protección contra la oxidación a alta temperatura de una pieza metálica de turbomáquina que comprende agujeros y/o cavidades que comunican con el exterior, procedimiento de acuerdo con el cual al menos un precursor gaseoso del depósito que hay que realizar, que comprende un compuesto del aluminio, es llevado en contacto con las superficies de la pieza dispuesta en el interior del recinto, caracterizado porque comprende las etapas consistentes en: cargar la pieza metálica que hay que aluminizar en el interior de un recinto; purgar con argón la atmósfera en el interior del recinto...

  6. 6.-

    Procedimiento de dosificación de substratos porosos por una matriz obtenida por infiltración química en fase gaseosa utilizando un gas reactivo que contiene por lo menos un precursor gaseoso del material de la matriz, comprendiendo el procedimiento: - la carga de substratos a densificar en una zona de carga de un horno, - el calentamiento de los substratos en el horno a fin de llevarlos a una temperatura a la cual el material de matriz deseado es formado a partir del o de los precursores gaseosos contenidos en el gas reactivo, - la admisión del gas reactivo por un extremo del horno, y - el calentamiento del gas reactivo, después de entrada en el horno, pasando por una zona...

  7. 7.-

    REVESTIMIENTO BARRERA.

    . Ver ilustración. Solicitante/s: SIDEL S.A.. Inventor/es:

    Revestimiento de barrera al gas dispuesto sobre un sustrato polimérico, comprendiendo el dicho revestimiento una capa barrera con base en óxido de silicio, que está recubierta de una capa protectora de carbono amorfo hidrogenado, caracterizado porque la capa barrera presenta un espesor comprendido entre 8 y 20 nanómetros y porque la capa protectora presenta un espesor inferior a 20 nanómetros.

  8. 8.-

    METODO PARA DEPOSITAR UN REVESTIMIENTO DE BARRERA SOBRE UN SUBSTRATO PLASTICO.

    . Solicitante/s: BECTON, DICKINSON AND COMPANY. Inventor/es:

    LA PRESENTE INVENCION ES UN RECIPIENTE DE PLASTICO CUBIERTO CON UN REVESTIMIENTO DE BARRERA DE MULTIPLES CAPAS. EL REVESTIMIENTO DE BARRERA DE MULTIPLES CAPAS ES UTIL PARA PROPORCIONAR UNA BARRERA EFICAZ CONTRA PERMEABILIDAD DE GAS EN RECIPIENTES Y PARA AMPLIAR LA DURACION DE RECIPIENTES, ESPECIALMENTE DISPOSITIVOS DE PLASTICO PARA RECOGIDA DE SANGRE EVACUADA.

  9. 9.-

    CIRCUITO DE VACIO PARA UN DISPOSITIVO DE TRATAMIENTO DE UN RECIPIENTE CON LA AYUDA DE UN PLASMA A BAJA PRESION.

    . Solicitante/s: SIDEL ACTIS SERVICES. Inventor/es:

    La invención se relaciona con el dominio de dispositivos para el tratamiento de un recipiente con la ayuda de un plasma a baja presión en el cual el plasma es creado por excitación de un gas gracias a ondas electromagnéticas. El dispositivo en el cual el tratamiento por plasma a baja presión tiene por objeto efectuar un depósito de material sobre las paredes del recipiente. Por esto, es necesario aportar en la cavidad de tratamiento un gas precursor que será ionizado bajo forma de plasma. Ventajosamente, el dicho documento prevé entonces que los medios de inyección del gas precursor lleven un inyector montado sobre la tapa de la cavidad.

  10. 10.-

    Método para el tratamiento por plasma de un sustrato hueco , que comprende las etapas siguientes: a) situar una pluralidad de fuentes de ionización de energía (7 a 10; 107 a 112) todas ellas a lo largo de la parte del sustrato que se va a tratar, b) inyectar un gas de proceso en el interior del sustrato, conteniendo dicho gas un precursor para la creación de plasma, y c) mantener la presión en el interior del tubo dentro de un rango predeterminado, caracterizado porque comprende además la etapa de: d) energizar a partir de una única...

  11. 11.-

    DENSIFICACION DE UNA ESTRUCTURA POROSA (III).

    . Ver ilustración. Solicitante/s: DUNLOP AEROSPACE LIMITED. Inventor/es:

    UN PROCEDIMIENTO PARA LA DENSIFICACION DE UNA ESTRUCTURA POROSA QUE CONSISTE EN INCLUIR EN LA ESTRUCTURA UN CUERPO DE MATERIALES QUE COMPRENDA UN ELEMENTO SUSCEPTOR QUE SEA MAS SUSCEPTIBLE A CALENTARSE DEBIDO A UNA RADIACION ELECTROMAGNETICA QUE EL OTRO MATERIAL DEL CUERPO, EXPONER DICHA ESTRUCTURA POROSA A UN GAS DE HIDROCARBUROS Y APLICAR SIMULTANEAMENTE UN CAMPO ELECTROMAGNETICO A DICHA ESTRUCTURA POROSA CON LO QUE DICHO ELEMENTO SUSCEPTOR PROVOCARA, AL MENOS EN PARTE, EL CALENTAMIENTO DE LA ESTRUCTURA POROSA A UNA TEMPERATURA EN LA QUE EL GAS QUE SE INFILTRA EN LA ESTRUCTURA POROSA DEPOSITE CARBONO DENTRO DE DICHA ESTRUCTURA POROSA.

  12. 12.-

    Dispositivo para el tratamiento superficial de un recipiente, del tipo en el que el tratamiento se realiza por medio de un plasma a baja presión por excitación de un fluido reactivo, merced a ondas electromagnéticas de tipo de microondas, y del tipo en el que el recipiente está colocado en un recinto de material conductor, en cuyo interior se introducen las microondas por intermedio de un dispositivo de acoplamiento, caracterizado porque el recinto es cilíndrico de revolución, alrededor de un eje principal (A1) del recipiente...

  13. 13.-

    DENSIFICACION DE UNA ESTRUCTURA POROSA (II).

    . Ver ilustración. Solicitante/s: DUNLOP AEROSPACE LIMITED. Inventor/es:

    LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO DE DENSIFICACION DE UNA ESTRUCTURA POROSA, QUE CONSISTE EN: PROPORCIONAR A DICHA ESTRUCTURA UN CUERPO DE MATERIAL QUE INCLUYE UN ELEMENTO SUSCEPTOR DE FIBRAS DE UN MATERIAL QUE ES MAS SUSCEPTIBLE AL CALENTAMIENTO POR RADIACION ELECTROMAGNETICA QUE EL OTRO MATERIAL DEL CUERPO; EXPONER DICHA ESTRUCTURA POROSA A HIDROCARBURO GASEOSO Y APLICAR SIMULTANEAMENTE UN CAMPO ELECTROMAGNETICO A DICHA ESTRUCTURA POROSA, CON LO CUAL DICHO ELEMENTO SUSCEPTOR PROVOCA, AL MENOS EN PARTE, EL CALENTAMIENTO DE LA ESTRUCTURA POROSA HASTA UNA TEMPERATURA A LA CUAL EL GAS QUE SE INFILTRA EN DICHA ESTRUCTURA DEPOSITA CARBONO EN EL INTERIOR DE LA CITADA ESTRUCTURA.

  14. 14.-

    DENSIFICACION DE UNA ESTRUCTURA POROSA (I).

    . Ver ilustración. Solicitante/s: DUNLOP AEROSPACE LIMITED. Inventor/es:

    UN PROCEDIMIENTO PARA LA DENSIFICACION DE UNA ESTRUCTURA POROSA QUE CONSISTE EN INCLUIR EN LA ESTRUCTURA UN CUERPO DE MATERIALES QUE COMPRENDA UNA HOJA DELGADA DE METAL DE UN ELEMENTO SUSCEPTOR QUE SEA MAS SUSCEPTIBLE A CALENTARSE DEBIDO A UNA RADIACION ELECTROMAGNETICA QUE EL OTRO MATERIAL DEL CUERPO, EXPONER DICHA ESTRUCTURA POROSA A UN GAS DE HIDROCARBUROS Y APLICAR SIMULTANEAMENTE UN CAMPO ELECTROMAGNETICO A DICHA ESTRUCTURA POROSA CON LO QUE DICHO ELEMENTO SUSCEPTOR PROVOCARA, AL MENOS EN PARTE, EL CALENTAMIENTO DE LA ESTRUCTURA POROSA A UNA TEMPERATURA EN LA QUE EL GAS QUE SE INFILTRA EN LA ESTRUCTURA POROSA DEPOSITE CARBONO DENTRO DE DICHA ESTRUCTURA POROSA.

  15. 15.-

    Procedimiento para la infiltración de un cuerpo poroso preformado (P) con carbono calentando el cuerpo (P) de distintas partes (A, B, C, ...) hasta alcanzar una temperatura a la cual un gas que contiene carbono puede descomponerse para depositar carbono en los poros de dicho cuerpo, comprendiendo el procedimiento colocar el cuerpo (P) adyacente a un elemento calentador de múltiples partes de modo que sus partes queden alineadas con las partes correspondientes del cuerpo, y alimentar energía al elemento calentador para calentar el cuerpo mientras que se expone dicho cuerpo a un gas que contiene carbono y que puede...

  16. 16.-

    PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE UN DISPOSITIVO MICROMECANICO.

    . Solicitante/s: ROBERT BOSCH GMBH. Inventor/es:

    Procedimiento para la fabricación de un dispositivo micromecánico con las etapas: preparación de un substrato con una región de anclaje , formación de una capa de sacrificio sobre el substrato dejando libre la región de anclaje ; deposición de una capa adhesiva sobre la capa de sacrificio y la región de anclaje ; formación de una máscara sobre la capa adhesiva ; deposición de una capa galvánica sobre la región no enmascarada de la capa adhesiva ; y retirada de la máscara y de la capa de sacrificio.

  17. 17.-

    LA DEPOSICION AYUDADA CON PLASMA DE UN REVESTIMIENTO SUPERFICIAL INTERIOR MUY FINO DENTRO DE UN ENVASE DE PLASTICO O DE METAL SE CONSIGUE UTILIZANDO SUBSTANCIAS INORGANICAS, INERTES, INSOLUBLES, TALES COMO SILICE, U OXIDOS DE METAL INSOLUBLES, O UTILIZANDO MEZCLAS DE SUBSTANCIAS, POR EJEMPLO DE METALES, OXIDOS DE METAL, SALES DE METAL Y RADICALES DE CARBONO Y/O ORGANICOS. DE MANERA QUE SE FORMA UNA CELOSIA O ESTRUCTURA FLEXIBLE, UTILIZANDO DIFERENTES CAPAS DE TALES ESTRUCTURAS. ESTO COMPRENDE LA COLOCACION DEL ENVASE EN UN CERRAMIENTO EN EL QUE SE HA OBTENIDO EL VACIO, LA COLOCACION DE UN VAPORIZADOR QUE CONTENGA EL MATERIAL INORGANICO, INERTE DE UNA CONSTITUCION PREDETERMINADA DENTRO DEL ENVASE,...

  18. 18.-

    PROCEDIMIENTO PARA EL TRATAMIENTO DE PLASMA.

    . Solicitante/s: BECTON, DICKINSON AND COMPANY. Inventor/es:

    UN APARATO Y METODO PARA FACILITAR EL PROCESAMIENTO DE PLASMA Y EN PARTICULAR DEPOSICION DE VAPOR MEJORADO DE PLASMA QUIMICA, POLIMERIZACION DE PLASMA O TRATAMIENTO DE PLASMA DE MATERIALES DE BARRERA EN LA SUPERFICIE INTERIOR DE RECIPIENTES . LOS MATERIALES DE BARRERA SON UTILES PARA PROPORCIONAR UNA BARRERA EFECTIVA CONTRA PERMEABILIDAD DE GAS Y/O AGUA EN RECIPIENTES Y PARA AMPLIAR LA DURACION DE RECIPIENTES, ESPECIALMENTE DISPOSITIVOS DE PLASTICO DE RECOGIDA DE SANGRE EVACUADA.

  19. 19.-

    APARATO PARA SER UTILIZADO EN PROCEDIMIENTOS DE INFILTRACION/DEPOSITO QUIMICO EN FASE DE VAPOR.

    . Solicitante/s: THE B.F. GOODRICH COMPANY. Inventor/es:

    LA INVENCION SE REFIERE A UN APARATO PARA USO EN PROCEDIMIENTOS DE INFILTRACION Y DEPOSICION DE VAPOR QUIMICO (CVI/CVD). EN CONCRETO, LA INVENCION SE REFIERE A UN PRECALENTADOR PARA CALENTAR UN GAS REACTIVO EN EL INTERIOR DE UN HORNO DE CVI/CVD, Y A UN APARATO PARA DEPOSITAR UNA MATRIZ EN UN GRUPO DE ESTRUCTURAS POROSAS MEDIANTE UN PROCEDIMIENTO DE CVI/CVD DE GRADIENTE DE PRESION. LA INVENCION ES PARTICULARMENTE UTIL PARA EL PROCESAMIENTO SIMULTANEO DE CVI/CVD DE GRANDES CANTIDADES (CIENTOS) DE DISCOS DE FRENO DE AERONAVES.

  20. 20.-

    SE SUMINISTRA LA POLIMERIZACION ASISTIDA Y LA DEPOSICION DE UN REVESTIMIENTO SUPERFICIAL INTERNO MUY FINO EN UN ENVASE DE PLASTICO O DE METAL SIN UN INCREMENTO INDESEABLE EN LA TEMPERATURA DE LA SUPERFICIE DEL ENVASE PARA CAMBIAR LAS PROPIEDADES SUPERFICIALES DE LA SUPERFICIE DE PLASTICO INTERNA DE UN ENVASE MEDIANTE LA REACCION DE LA SUPERFICIE CON UN GAS REACTIVO QUE HAYA SIDO ENERGIZADO PARA PRODUCIR PLASMA O LA SUPERFICIE SE ACTIVA MEDIANTE UN PLASMA O GAS REACTIVO DE MANERA QUE SE VUELVA RECEPTIVA A UNA REACCION SUPERFICIAL ADICIONAL. ELLO COMPRENDE LA COLOCACION DEL ENVASE EN UN CERRAMIENTO, LA INSERCION DE MEDIOS PARA EL SUMINISTRO DE UN GAS REACTANTE EN EL INTERIOR DEL ENVASE, EL CONTROL SELECTIVO DE LA PRESION DENTRO...

  21. 21.-

    PRODUCTO, PROCEDIMIENTO Y APARATO DE INFILTRACION/DEPOSITO QUIMICO ENFASE VAPOR CON GRADIENTE DE PRESION.

    . Solicitante/s: THE B.F. GOODRICH COMPANY. Inventor/es:

    LA INVENCION SE REFIERE AL CAMPO DE COMPUESTOS DE ALTA TEMPERATURA REALIZADOS MEDIANTE LA INFILTRACION DE VAPOR QUIMICO Y DEPOSICION DE UNA MATRIZ DE UNION EN UNA ESTRUCTURA POROSA. EN CONCRETO, LA INVENCION SE REFIERE A PROCEDIMIENTOS DE GRADIENTE DE PRESION PARA FORZAR LA INFILTRACION DE UN GAS REACTIVO EN UNA ESTRUCTURA POROSA, A UN APARATO PARA LLEVAR A CABO ESTOS PROCEDIMIENTOS, Y A LOS PRODUCTOS RESULTANTES. LA INVENCION ES PARTICULARMENTE UTIL PARA EL PROCESAMIENTO SIMULTANEO DE CVI/CVD DE GRANDES CANTIDADES (CIENTOS) DE DISCOS DE FRENO DE AERONAVES.

  22. 22.-

    APARATO Y METODO PARA TRATAR UNA OBLEA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR.

    . Solicitante/s: COBRAIN N.V. Inventor/es:

    LA PRESENTE INVENCION PROPORCIONA UN DISPOSITIVO PARA TRATAR UNA OBLEA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR A UNA DETERMINADA TEMPERATURA CON GAS Y/O VAPOR, QUE COMPRENDE: UNA ESCLUSA DE SUMINISTRO PARA SUMINISTRAR UNA OBLEA (W) DE MATERIAL SEMICONDUCTOR; UN ESPACIO DE TRATAMIENTO EN EL CUAL PUEDE SER COLOCADA UNA OBLEA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR A TRAVES DE LA ESCLUSA DE SUMINISTRO; UNA ENTRADA DE GAS PARA ADMINISTRAR GAS Y/O VAPOR DENTRO DEL ESPACIO DE TRATAMIENTO; MEDIOS DE BOMBA PARA LLEVAR AL ESPACIO DE TRATAMIENTO, Y MANTENERLO, A SOBREPRESION, Y UNA PARTE DE MESA PARA SOPORTAR LA OBLEA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR QUE TIENE UNA MASA RELATIVA A LAS PARTES QUE LA RODEAN, TAL QUE DURANTE EL TRATAMIENTO PREVALECE UNA TEMPERATURA APROXIMADAMENTE CONSTANTE EN EL ESPACIO DE TRATAMIENTO.

  23. 23.-

    METODO PARA LA FABRICACION DE MONOCRISTALES GRANDES

    . Solicitante/s: AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.. Inventor/es:

    SE DESCRIBE UN METODO PARA PRODUCIR GRANDES CRISTALES INDIVIDUALES.SE PRODUCE UN CRISTAL INDIVIDUAL DE DIAMANTE DE GRADO ELECTRONICO CON UN GROSOR DE 100-1000 MICRONES Y UN AREA SUSTANCIALMENTE MAYOR DE 1 CM2 Y QUE TIENE UNA ALTA PERFECCION CRISTALINA, QUE PUEDE SER UTILIZADO EN APLICACIONES MECANICAS OPTICAS ,ELECTRONICAS U OTRAS.UNA LAMINA DE DIAMANTE CRISTALINO SE DEPOSITA PRIMERO SOBRE UN CRISTAL PRINCIPAL EN GRANO Y LAS LAMINAS DE DIAMANTE RESULTANTES SE PUEDEN SEPARAR DEL CRISTAL EN GRANO POR MEDIOS FISICOS MECANICOS Y QUIMICOS.EL CRISTAL PRINCIPAL PUEDE RESTAURARSE POR CRECIMIENTO EPITAXIAL CON SU USO REPETIDO COMO CRISTAL EN GRANO EN POSTERIORES OPERACIONES.SE PUEDE LOGRAR UN GRAN CRISTAL PRINCIPAL DE DIAMANTE EN GRANO AL COMBINAR LOS PEQUEÑOS CRISTALES EN GRANO ORIENTADOS POR FUSION EPITAXIAL LATERAL.DESDE AQUI NO HAY LIMITE DE VECES EN QUE SE PUEDEN REPETIR LOS PASOS DE COMBINACION DEL CRISTAL.SE PUEDEN FABRICAR GRANDES SECTORES DE DIAMANTE COMPARABLES EN TAMAÑO A LOS DE SILICONA.

  24. 24.-

    METODOS Y APARATO PARA REVESTIR VIDRIO.

    . Solicitante/s: ELF ATOCHEM NORTH AMERICA, INC.. Inventor/es:

    APARATO MEJORADO PARA REVESTIR ENVASES QUE TENGAN UNA SEPARACION MINIMA ENTRE EL CUERPO Y LA REGION DE ACABADO QUE CONSTA DE UNA CUBIERTA DE REVESTIMIENTO Y DE MEDIOS PARA SUMINISTRAR MATERIALES DE REVESTIMIENTO AL REVESTIMIENTO. LA MEJORA CONSISTE EN QUE UN SUMINISTRO DE AIRE NO TURBULENTO, CONTROLADO SE DIRIGE HACIA ABAJO A TRAVES DEL CHORRO DE MATERIAL DE REVESTIMIENTO . UN SOPLADOR PROPORCIONA UN AIRE DE PROCESO A UN PLENO Y UNA PLACA ATENUADORA ANGULAR CON UNA PLURALIDAD DE AGUJEROS PEQUEÑOS DISTRIBUYE EL AIRE DE PROCESO DE MANERA UNIFORME, PARA EVITAR QUE SE FORMEN ONDAS ESTACIONARIAS Y REGIONES CON UNA VELOCIDAD DEL AIRE ALTA O BAJA. SE PUEDEN SUPERPONER VARIAS PLACAS ATENUADORAS PARA PERMITIR LA EXTRACCION DE LAS PARTICULAS MEDIANTE EL MOVIMIENTO DE LAS PLACAS, UNAS RESPECTO A OTRAS.

  25. 25.-

    LA PRESENTE INVENCION SE DIRIGE A UN PROCESO PARA REVESTIR LAS SUPERFICIES INTERIORES DE UN ORIFICIO EN UN SUBSTRATO QUE FORMA UNA BOCA DE INYECCION DE COMBUSTIBLE DE LECHADA. EN UNA EJEMPLIFICACION ESPECIFICA, LA BOCA ES PARTE DE UN SISTEMA DE INYECCION DE COMBUSTIBLE PARA METER UNA LECHADA DE CARBON-AGUA EN UN GRAN MOTOR DIESEL MULTICILINDRICO DE VELOCIDAD MEDIA. CON EL OBJETO DE RETARDAR LA EROSION DEL ORIFICIO, SE COLOCA EL SUBSTRATO EN UNA CAMARA DE REACCION DE DEPOSICION DE VAPOR QUIMICO (DVQ). SE HACE PASAR UN...

  26. 26.-

    METODO PARA DEPOSITAR TUNGSTENO O SILICIO EN UN PROCESO CVD NO AUTO LIMITADO Y DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR FABRICADO CON EL

    . Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es:

    UN METODO PARA DEPOSITAR TUNGSTENO SOBRE UN SUBSTRATO UTILIZANDO REDUCCION DE SILICIO, EN DONDE EL PROCESO NO ES LIMITATIVO CON RELACION AL ESPESOR DEL SILICIO QUE PUEDE SER CAMBIADO POR EL TUNGSTENO. SE PROVEE UN SUBSTRATO DE SILICIO CON AL MENOS UN AREA DE SILICIO TENIENDO ESPESOR PREDETERMINADO Y SE EXPONE EL SUBSTRATO A UN FLUJO DE GAS DE HEXAFLUORURO DE TUNGSTENO EN UN ENTORNO QUIMICO DE DEPOSICION DE VAPOR. AJUSTANDO EL NIVEL DE FLUJO DE GAS WF6 Y LOS PARAMETROS DEL PROCESO CVD, TALES COMO PRESION, TEMPERATURA Y TIEMPO DE DEPOSICION, EL ESPESOR DEL SILICIO CAMBIADO POR EL TUNGSTENO SE PUEDE AJUSTAR DE ACUERDO PARA CAMBIAR TODO EL ESPESOR. UNA NUEVA ESTRUCTURA TENIENDO UN PUENTE DE TUNGSTENO SEMIENDIDO Y TAMBIEN SE DESCUBREN FUENTE DE TUNGSTENO Y CAPAS DE DRENAJE METALIZADAS.

  27. 27.-

    COMPRENDE LOS SIGUIENTES PASOS: (A) LA PREPARACION DE UN SUSTRATO PARA LA FORMACION DE LA PELICULA DEPOSITADA MEDIANTE LA IRRADIACION SELECTIVA DE LA SUPERFICIE DE UN MIEMBRO DE BASE CON UN HAZ DE ENERGIA DE UNA ONDA ELECTROMAGNETICA O UN HAZ DE ELECTRONES A TRAVES DE UNA ATMOSFERA DE UN GAS REACTIVO PARA CONSEGUIR REGIONES DONDE LOS NUCLEOS DE CRISTAL SE FORMAN SELECTIVAMENTE SOBRE LA SUPERFICIE; (B) FORMANDO UNA PELICULA DEPOSITADA SOBRE DICHO SUSTRATO MEDIANTE LA INTRODUCCION DE ESPECIES ACTIVADAS (A) FORMADAS POR DESCOMPOSICION DE UN COMPUESTO (SX) CONTENIENDO SILICIO Y UN HALOGENO Y UNAS ESPECIES ACTIVADAS (B) FORMADAS DE UNA SUSTANCIA QUIMICA (B) PARA LA FORMACION DE LA PELICULA, LA CUAL ES MUTUA Y QUIMICAMENTE REACTIVA CON LAS...

  28. 28.-

    UTIL DE CORTE Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACION.

    . Solicitante/s: KRUPP WIDIA GMBH. Inventor/es:

    PARA AUMENTAR LA RESISTENCIA AL IMPACTO Y A LA FRACTURA DE LOS ENCASTRES CORTANTES DEL METODO ANTERIOR SE PROPONE QUE SUS SUPERFICIES DE CORTE, EN PARTICULAR LAS SUPERFICIES PRINCIPALES, QUE ESTAN SUJETAS AL MAYOR TENSOR Y A TENSIONES DE COMPRESION DURANTE EL CORTE NO DEBERIAN ESTAR REVESTIDOS. EL REVESTIMIENTO SE APLICA SOLO EN LA REGION DEL CORTE CORTANTE EFECTIVO, PREFERENTEMENTE POR PLASMA CVD.

  29. 29.-

    Perfeccionamientos en los dispositivos de corredera reguladora diafragmática, para regular el paso de medios fluidos, granulados, gaseosos y similares fluyentes, con elementos diafragmáticos introducibles por todos lados en el canal de paso, transversalmente a la pared de ese canal, por una o varias aberturas, por ejemplo una ranura periférica, de la mencionada pared, elementos diafragmáticos que en todas las posiciones de regulación, con excepción de la posición enteramente cerrada, dejan una abertura de paso semejante sin lugares angostos o a manera de ranuras, por ejemplo una abertura de paso poligonal o redonda en posición esencialmente concéntrica en el canal,...

  30. 30.-

    Distribuidor giratorio de presión para una máquina de carrusel de tratamiento de cuerpos huecos que comprende varios puestos de tratamiento idénticos destinados cada uno a encargarse al menos de un cuerpo hueco, comprendiendo este distribuidor giratorio dos coronas coaxiales, una fija y la otra giratoria, que están en contando entre sí de manera estanca por caras de contacto respectivas enfrentadas definiendo un plano (P) de unión, comprendiendo la corona giratoria orificios de comunicación adecuados para conectarse cada uno a al menos un puesto de tratamiento y que desembocan en la cara...

  31. 31.-

    Procedimiento para la separación química en fase gaseosa asistida por plasma para el recubrimiento o bien el decapado del material en la pared interior de un cuerpo hueco , en especial de un material no metálico, con una superficie transversal, una extensión longitudinal y al menos una abertura , que presenta los siguientes pasos: - Introducción del cuerpo hueco que hay que recubrir sobre su lado interior en una cámara de vacío con un lado interior puesto a tierra, habiéndose dispuesto en el interior de la cámara de vacío un electrodo de alta frecuencia de gran área. - Posicionamiento del...

  32. 32.-

    Aparato para el depósito por plasma activado en fase de vapor (PECVD) de una capa delgada de un material con efecto barrera sobre una pared interna de un recipiente , comprendiendo este aparato : - un estructura que recibe el recipiente y una zona de presencia de plasma, estando esta estructura atravesada por un tubo que comprende un eje (A1), y presentando una abertura interna que desemboca en la zona de presencia de plasma definida por el volumen interno del recipiente y una abertura externa que desemboca en el exterior...