Método de deposición por vapor.

Un proceso de química combinatoria en el que se vaporiza material desde cada una de al menos dos fuentes (3,

4) y se deposita sobre un único sustrato (1), en el que:

el trayecto del material vaporizado desde cada fuente (3, 4) al sustrato (1) está parcialmente interrumpido por una máscara (5) asociada, en donde hay una única máscara (5) para una fuente (3, 4) dada;

el posicionamiento de la máscara (5) en un plano paralelo al plano definido por el sustrato (1) es tal que el material se deposita sobre el sustrato (1) en un grosor que se incrementa sustancialmente de manera continua en una dirección a lo largo del sustrato (1);

un plano adicional está definido por el centro de la fuente (3, 4) asociado a esa máscara (5) y el centro del sustrato (1), y que interseca un borde de la máscara (5);

el borde de la máscara (5) que interseca el plano adicional está dentro de un área del plano adicional definido por H1, H2, C2 y C1, en donde el área definida por H1, H2, C2 y C1 es la región dentro del área cuadrilátera del plano adicional definido por los puntos de los extremos del sustrato que caen dentro del plano adicional (A1, A2) y los puntos de los extremos de la fuente que caen dentro del plano adicional (C1, C2) que está a una distancia perpendicular mayor que Hy desde el plano definido por el sustrato (1), en donde Hy viene dado por:**Fórmula**

en la que:

E es la distancia de fuente a máscara, estando definida dicha distancia como la distancia perpendicular desde la fuente (3, 4) al plano que contiene la máscara (5);

F es la distancia de máscara a sustrato, estando dicha distancia definida como la distancia perpendicular desde el plano que contiene la máscara (5) al plano definido por el sustrato (1);

A es el tamaño del sustrato, estando dicho tamaño del sustrato definido como la separación entre los puntos de los extremos del sustrato que caen dentro del plano adicional (A1, A2); y

C es el tamaño de la fuente, estando dicho tamaño de la fuente definido como la separación entre los puntos de los extremos de la fuente que caen dentro del plano adicional (C1, C2);

y en donde cada máscara (5) es móvil pero no se mueve en el transcurso del proceso de deposición.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/GB2004/004255.

Solicitante: THE UNIVERSITY OF SOUTHAMPTON.

Inventor/es: GUERIN,SAMUEL, HAYDEN,BRIAN ELLIOTT.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C23C14/04 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (aplicación de líquidos o de otros materiales fluidos sobre las superficies, en general B05; fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; mecanizado del metal por acción de una fuerte concentración de corriente eléctrica sobre un objeto por medio de un electrodo B23H; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; pinturas, barnices, lacas C09D; esmaltado o vidriado de metales C23D; medios para impedir la corrosión de materiales metálicos, las incrustaciones, en general C23F; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D, C25F; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04; detalles de aparatos de sonda de barrido, en general G01Q; fabricación de dispositivos semiconductores H01L; fabricación de circuitos impresos H05K). › C23C 14/00 Revestimiento por evaporación en vacío, pulverización catódica o implantación de iones del material que constituye el revestimiento (tubos de descarga provistos de medios que permiten la introducción de objetos o de un material para ser expuestos a la descarga H01J 37/00). › Revestimiento de partes determinadas de la superficie, p. ej. por medio de máscaras.
  • C23C14/22 C23C 14/00 […] › caracterizado por el proceso de revestimiento.
  • C23C16/04 C23C […] › C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00). › Revestimiento de partes determinadas de la superficie, p. ej. por medio de máscaras.

PDF original: ES-2599844_T3.pdf

 

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