CIP-2021 : C23C 16/04 : Revestimiento de partes determinadas de la superficie, p. ej. por medio de máscaras.
CIP-2021 › C › C23 › C23C › C23C 16/00 › C23C 16/04[1] › Revestimiento de partes determinadas de la superficie, p. ej. por medio de máscaras.
Notas[t] desde C21 hasta C30: METALURGIA
Notas[g] desde C23C 16/00 hasta C23C 20/00: Deposición química o revestimiento por descomposición; Deposición por contacto
C QUIMICA; METALURGIA.
C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.
C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04).
C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00).
C23C 16/04 · Revestimiento de partes determinadas de la superficie, p. ej. por medio de máscaras.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
RECIPIENTES HUECOS CON SUPERFICIES INTERIORES INERTES O IMPERMEABLES PRODUCIDAS POR REACCION SUPERFICIAL ASISTIDA POR PLASMA O POLIMERIZACION SOBRE LA SUPERFICIE.
(01/08/1999) SE SUMINISTRA LA POLIMERIZACION ASISTIDA Y LA DEPOSICION DE UN REVESTIMIENTO SUPERFICIAL INTERNO MUY FINO EN UN ENVASE DE PLASTICO O DE METAL SIN UN INCREMENTO INDESEABLE EN LA TEMPERATURA DE LA SUPERFICIE DEL ENVASE PARA CAMBIAR LAS PROPIEDADES SUPERFICIALES DE LA SUPERFICIE DE PLASTICO INTERNA DE UN ENVASE MEDIANTE LA REACCION DE LA SUPERFICIE CON UN GAS REACTIVO QUE HAYA SIDO ENERGIZADO PARA PRODUCIR PLASMA O LA SUPERFICIE SE ACTIVA MEDIANTE UN PLASMA O GAS REACTIVO DE MANERA QUE SE VUELVA RECEPTIVA A UNA REACCION SUPERFICIAL ADICIONAL. ELLO COMPRENDE LA COLOCACION DEL ENVASE EN UN CERRAMIENTO, LA INSERCION DE MEDIOS PARA EL SUMINISTRO DE UN GAS REACTANTE EN EL INTERIOR DEL ENVASE, EL CONTROL SELECTIVO DE LA PRESION DENTRO DEL CONTENEDOR Y DENTRO DEL ENVASE, LA LIMPIEZA DE LA SUPERFICIE DEL ENVASE A REVESTIR IN SITU,…
PRODUCTO, PROCEDIMIENTO Y APARATO DE INFILTRACION/DEPOSITO QUIMICO ENFASE VAPOR CON GRADIENTE DE PRESION.
(16/02/1999). Solicitante/s: THE B.F. GOODRICH COMPANY. Inventor/es: PURDY, MARK, J., RUDOLPH, JAMES, W., BOK, LOWELL, D.
LA INVENCION SE REFIERE AL CAMPO DE COMPUESTOS DE ALTA TEMPERATURA REALIZADOS MEDIANTE LA INFILTRACION DE VAPOR QUIMICO Y DEPOSICION DE UNA MATRIZ DE UNION EN UNA ESTRUCTURA POROSA. EN CONCRETO, LA INVENCION SE REFIERE A PROCEDIMIENTOS DE GRADIENTE DE PRESION PARA FORZAR LA INFILTRACION DE UN GAS REACTIVO EN UNA ESTRUCTURA POROSA, A UN APARATO PARA LLEVAR A CABO ESTOS PROCEDIMIENTOS, Y A LOS PRODUCTOS RESULTANTES. LA INVENCION ES PARTICULARMENTE UTIL PARA EL PROCESAMIENTO SIMULTANEO DE CVI/CVD DE GRANDES CANTIDADES (CIENTOS) DE DISCOS DE FRENO DE AERONAVES.
APARATO Y METODO PARA TRATAR UNA OBLEA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR.
(01/12/1997). Solicitante/s: COBRAIN N.V. Inventor/es: BRASSEUR, GUY JEAN JACQUES.
LA PRESENTE INVENCION PROPORCIONA UN DISPOSITIVO PARA TRATAR UNA OBLEA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR A UNA DETERMINADA TEMPERATURA CON GAS Y/O VAPOR, QUE COMPRENDE: UNA ESCLUSA DE SUMINISTRO PARA SUMINISTRAR UNA OBLEA (W) DE MATERIAL SEMICONDUCTOR; UN ESPACIO DE TRATAMIENTO EN EL CUAL PUEDE SER COLOCADA UNA OBLEA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR A TRAVES DE LA ESCLUSA DE SUMINISTRO; UNA ENTRADA DE GAS PARA ADMINISTRAR GAS Y/O VAPOR DENTRO DEL ESPACIO DE TRATAMIENTO; MEDIOS DE BOMBA PARA LLEVAR AL ESPACIO DE TRATAMIENTO, Y MANTENERLO, A SOBREPRESION, Y UNA PARTE DE MESA PARA SOPORTAR LA OBLEA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR QUE TIENE UNA MASA RELATIVA A LAS PARTES QUE LA RODEAN, TAL QUE DURANTE EL TRATAMIENTO PREVALECE UNA TEMPERATURA APROXIMADAMENTE CONSTANTE EN EL ESPACIO DE TRATAMIENTO.
METODO PARA LA FABRICACION DE MONOCRISTALES GRANDES.
(16/02/1997). Solicitante/s: AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.. Inventor/es: VICHR, MIROSLAV, HOOVER, DAVID SAMUEL.
SE DESCRIBE UN METODO PARA PRODUCIR GRANDES CRISTALES INDIVIDUALES.SE PRODUCE UN CRISTAL INDIVIDUAL DE DIAMANTE DE GRADO ELECTRONICO CON UN GROSOR DE 100-1000 MICRONES Y UN AREA SUSTANCIALMENTE MAYOR DE 1 CM2 Y QUE TIENE UNA ALTA PERFECCION CRISTALINA, QUE PUEDE SER UTILIZADO EN APLICACIONES MECANICAS OPTICAS ,ELECTRONICAS U OTRAS.UNA LAMINA DE DIAMANTE CRISTALINO SE DEPOSITA PRIMERO SOBRE UN CRISTAL PRINCIPAL EN GRANO Y LAS LAMINAS DE DIAMANTE RESULTANTES SE PUEDEN SEPARAR DEL CRISTAL EN GRANO POR MEDIOS FISICOS MECANICOS Y QUIMICOS.EL CRISTAL PRINCIPAL PUEDE RESTAURARSE POR CRECIMIENTO EPITAXIAL CON SU USO REPETIDO COMO CRISTAL EN GRANO EN POSTERIORES OPERACIONES.SE PUEDE LOGRAR UN GRAN CRISTAL PRINCIPAL DE DIAMANTE EN GRANO AL COMBINAR LOS PEQUEÑOS CRISTALES EN GRANO ORIENTADOS POR FUSION EPITAXIAL LATERAL.DESDE AQUI NO HAY LIMITE DE VECES EN QUE SE PUEDEN REPETIR LOS PASOS DE COMBINACION DEL CRISTAL.SE PUEDEN FABRICAR GRANDES SECTORES DE DIAMANTE COMPARABLES EN TAMAÑO A LOS DE SILICONA.
METODOS Y APARATO PARA REVESTIR VIDRIO.
(16/02/1997). Solicitante/s: ELF ATOCHEM NORTH AMERICA, INC.. Inventor/es: GUTHRIE, ROGER THACKSTON, BARKALOW, RAYMOND WILLIAM.
APARATO MEJORADO PARA REVESTIR ENVASES QUE TENGAN UNA SEPARACION MINIMA ENTRE EL CUERPO Y LA REGION DE ACABADO QUE CONSTA DE UNA CUBIERTA DE REVESTIMIENTO Y DE MEDIOS PARA SUMINISTRAR MATERIALES DE REVESTIMIENTO AL REVESTIMIENTO. LA MEJORA CONSISTE EN QUE UN SUMINISTRO DE AIRE NO TURBULENTO, CONTROLADO SE DIRIGE HACIA ABAJO A TRAVES DEL CHORRO DE MATERIAL DE REVESTIMIENTO . UN SOPLADOR PROPORCIONA UN AIRE DE PROCESO A UN PLENO Y UNA PLACA ATENUADORA ANGULAR CON UNA PLURALIDAD DE AGUJEROS PEQUEÑOS DISTRIBUYE EL AIRE DE PROCESO DE MANERA UNIFORME, PARA EVITAR QUE SE FORMEN ONDAS ESTACIONARIAS Y REGIONES CON UNA VELOCIDAD DEL AIRE ALTA O BAJA. SE PUEDEN SUPERPONER VARIAS PLACAS ATENUADORAS PARA PERMITIR LA EXTRACCION DE LAS PARTICULAS MEDIANTE EL MOVIMIENTO DE LAS PLACAS, UNAS RESPECTO A OTRAS.
PROCEDIMIENTO PARA DEPOSITAR UN REVESTIMIENTO DURO EN UN ORIFICIO DE BOQUILLA.
(01/02/1995) LA PRESENTE INVENCION SE DIRIGE A UN PROCESO PARA REVESTIR LAS SUPERFICIES INTERIORES DE UN ORIFICIO EN UN SUBSTRATO QUE FORMA UNA BOCA DE INYECCION DE COMBUSTIBLE DE LECHADA. EN UNA EJEMPLIFICACION ESPECIFICA, LA BOCA ES PARTE DE UN SISTEMA DE INYECCION DE COMBUSTIBLE PARA METER UNA LECHADA DE CARBON-AGUA EN UN GRAN MOTOR DIESEL MULTICILINDRICO DE VELOCIDAD MEDIA. CON EL OBJETO DE RETARDAR LA EROSION DEL ORIFICIO, SE COLOCA EL SUBSTRATO EN UNA CAMARA DE REACCION DE DEPOSICION DE VAPOR QUIMICO (DVQ). SE HACE PASAR UN GAS DE LA REACCION EN UNA CAMARA A UNA TEMPERATURA DE GAS POR DEBAJO DE SU TEMPERATURA DE REACCION Y…
METODO PARA DEPOSITAR TUNGSTENO O SILICIO EN UN PROCESO CVD NO AUTO LIMITADO Y DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR FABRICADO CON EL.
(01/11/1994). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: JOSHI, RAJIV V.
UN METODO PARA DEPOSITAR TUNGSTENO SOBRE UN SUBSTRATO UTILIZANDO REDUCCION DE SILICIO, EN DONDE EL PROCESO NO ES LIMITATIVO CON RELACION AL ESPESOR DEL SILICIO QUE PUEDE SER CAMBIADO POR EL TUNGSTENO. SE PROVEE UN SUBSTRATO DE SILICIO CON AL MENOS UN AREA DE SILICIO TENIENDO ESPESOR PREDETERMINADO Y SE EXPONE EL SUBSTRATO A UN FLUJO DE GAS DE HEXAFLUORURO DE TUNGSTENO EN UN ENTORNO QUIMICO DE DEPOSICION DE VAPOR. AJUSTANDO EL NIVEL DE FLUJO DE GAS WF6 Y LOS PARAMETROS DEL PROCESO CVD, TALES COMO PRESION, TEMPERATURA Y TIEMPO DE DEPOSICION, EL ESPESOR DEL SILICIO CAMBIADO POR EL TUNGSTENO SE PUEDE AJUSTAR DE ACUERDO PARA CAMBIAR TODO EL ESPESOR. UNA NUEVA ESTRUCTURA TENIENDO UN PUENTE DE TUNGSTENO SEMIENDIDO Y TAMBIEN SE DESCUBREN FUENTE DE TUNGSTENO Y CAPAS DE DRENAJE METALIZADAS.
PROCESO PARA LA FORMACION DE PELICULA DEPOSITADA.
(16/08/1994) COMPRENDE LOS SIGUIENTES PASOS: (A) LA PREPARACION DE UN SUSTRATO PARA LA FORMACION DE LA PELICULA DEPOSITADA MEDIANTE LA IRRADIACION SELECTIVA DE LA SUPERFICIE DE UN MIEMBRO DE BASE CON UN HAZ DE ENERGIA DE UNA ONDA ELECTROMAGNETICA O UN HAZ DE ELECTRONES A TRAVES DE UNA ATMOSFERA DE UN GAS REACTIVO PARA CONSEGUIR REGIONES DONDE LOS NUCLEOS DE CRISTAL SE FORMAN SELECTIVAMENTE SOBRE LA SUPERFICIE; (B) FORMANDO UNA PELICULA DEPOSITADA SOBRE DICHO SUSTRATO MEDIANTE LA INTRODUCCION DE ESPECIES ACTIVADAS (A) FORMADAS POR DESCOMPOSICION DE UN COMPUESTO (SX) CONTENIENDO SILICIO Y UN HALOGENO Y UNAS ESPECIES ACTIVADAS (B) FORMADAS DE UNA SUSTANCIA QUIMICA (B) PARA LA FORMACION DE LA PELICULA, LA CUAL ES MUTUA Y QUIMICAMENTE REACTIVA CON LAS ESPECIES (A) EN EL INTERIOR DEL ESPACIO FORMADO EN LA PELICULA, EN EL CUAL DICHO SUSTRATRO ES DISPUESTO…
UTIL DE CORTE Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACION.
(01/01/1994). Solicitante/s: KRUPP WIDIA GMBH. Inventor/es: KONIG, UDO.
PARA AUMENTAR LA RESISTENCIA AL IMPACTO Y A LA FRACTURA DE LOS ENCASTRES CORTANTES DEL METODO ANTERIOR SE PROPONE QUE SUS SUPERFICIES DE CORTE, EN PARTICULAR LAS SUPERFICIES PRINCIPALES, QUE ESTAN SUJETAS AL MAYOR TENSOR Y A TENSIONES DE COMPRESION DURANTE EL CORTE NO DEBERIAN ESTAR REVESTIDOS. EL REVESTIMIENTO SE APLICA SOLO EN LA REGION DEL CORTE CORTANTE EFECTIVO, PREFERENTEMENTE POR PLASMA CVD.
PERFECCIONAMIENTOS EN LOS DISPOSITIVOS DE CORREDERA REGULADORA CON DIAFRAGMA.
(16/06/1960) Perfeccionamientos en los dispositivos de corredera reguladora diafragmática, para regular el paso de medios fluidos, granulados, gaseosos y similares fluyentes, con elementos diafragmáticos introducibles por todos lados en el canal de paso, transversalmente a la pared de ese canal, por una o varias aberturas, por ejemplo una ranura periférica, de la mencionada pared, elementos diafragmáticos que en todas las posiciones de regulación, con excepción de la posición enteramente cerrada, dejan una abertura de paso semejante sin lugares angostos o a manera de ranuras, por ejemplo una abertura de paso poligonal o redonda en posición esencialmente concéntrica en el canal, corredera que se caracteriza por el hecho de que existen medios que excluyen, tanto dentro como fuera de la…