(04/12/2013) Procedimiento para la purificación de silicio metalúrgico por solidificación dirigida con el fin de obtener silicio de calidad solar o fotovoltaica , procedimiento caracterizado porque comprende una etapa de cristalización usando un germen de silicio que recubre el fondo del crisol.

(27/11/2013) Procedimiento para la fabricación de monocristales a partir de material semiconductor con las propiedades delmaterial de un monocristal extaído por zonas, en el que el monocristal es generado en un cristal de vacunación apartir de la colada, que se encuentra como mar de colada sobre un montón que está constituido por materialsemiconductor granulado, que es extraído hacia arriba a través de un inductor plano (llamado inductor de Pancace),atravesado por una corriente HF, que presenta un arrollamiento y una ranura como alimentación de corriente, através del orificio central de este inductor plano, caracterizado por que el material semiconductor granulado seencuentra en un…

(06/11/2013) Dispositivo para controlar el estado de avance de la cristalización de un baño de material fundido realizado en unacámara térmicamente aislante de un horno de cristalización de acuerdo con un procedimiento de solidificacióndirigida, que comprende una fuente de ultrasonidos y un detector de ultrasonidos , caracterizado porque: - la fuente de ultrasonidos comprende n conjunto(s), siendo n un número entero mayor que o igual a 1,comprendiendo cada conjunto de la fuente un transductor , que es capaz de emitir una onda ultrasónica,conectado a una guía de ondas , que es capaz de guiar la onda ultrasónica producida por dicho transductor, haciala interfase vapor-líquido del baño líquido, - el detector de ultrasonidos comprende al menos 2n conjuntos, comprendiendo cada…

(17/10/2013) Un procedimiento para el crecimiento de una cinta cristalina , el procedimiento comprende: proporcionar un crisol que contiene material fundido ; hacer pasar un hilo a través del material fundido para que crezca la cinta cristalina; y dirigir flujo de gas alrededor de la cinta cristalina, de manera que el gas fluya hacia abajo a lo largo de lacinta cristalina, en dirección al crisol.

(16/10/2013) Proceso de fabricación de lingotes de silicio multicristalino por el método de inducción, comprendiendo elproceso los pasos de cargar una materia prima de silicio al interior de la cámara de fusión de un crisolrefrigerado rodeado por un inductor; formar una superficie de masa fundida; fundir mientras se supervisan losparámetros de salida de la alimentación del inductor; y extraer el lingote de silicio multicristalino bajo condicionesde enfriamiento controladas; estando dicho proceso caracterizado por el hecho de que, a lo largo de la fusión,la velocidad másica de carga de la materia prima de silicio y la velocidad de extracción del lingote se ajustan deforma tal que hacen que la posición de la superficie de la masa fundida quede por debajo del plano superior delinductor…

(14/10/2013) Procedimiento para la producción de varillas finas de silicio, que comprende las siguientes etapas: a) habilitaciónde una varilla de silicio; b) corte secuencial de tablas de un grosor determinado a partir de la varilla por medio de undispositivo de aserrado, en donde la varilla es girada axialmente entre dos cortes consecutivos en cada caso en 90º oen 180º de manera que de cuatro cortes consecutivos tienen lugar por pares en cada caso dos de los cuatro cortes encaras radialmente enfrentadas de la varilla o en donde el corte de las tablas tiene lugar simultáneamente al mismotiempo en caras radialmente enfrentadas de la varilla; c) aserrado de las tablas cortadas para formar varillas finas conuna sección transversal rectangular

(27/06/2013) Procedimiento para la producción de un silicio policristalino, que comprende introducir un gas de reacción, quecontiene un componente con un contenido de silicio e hidrógeno, mediante una o varias toberas en un reactor conun volumen de espacios vacíos, limitado por medio de unas paredes con una determinada temperatura Tpared, quecontiene por lo menos una barra filamentosa calentada a una temperatura Tbarra, sobre la que se deposita silicio,caracterizado por que un número de Arquímedes Ar, que describe las condiciones de circulación en el reactor y quese calcula de la siguiente manera: Ar ≥ n * π * g * L3 * Ad * (Tbarra - Tpared) / (2 * Q2 * (Tbarra + Tpared)), representando n el número…

(21/06/2013) Un método para producir silicio o un metal reactivo, que comprende: introducir una alimentación que contiene silicio o una alimentación que contiene metal reactivo en una cámara dereacción, donde la cámara de reacción incluye una pared de la cámara de reacción que tiene (i) una superficieinterior orientada hacia un espacio de reacción y (ii) una superficie exterior opuesta; generar una primera energía térmica dentro del espacio de reacción suficiente para generar un producto de siliciolíquido o un producto de metal reactivo líquido; generar una segunda energía térmica exterior a la pared de la cámara de reacción, de manera que un flujo decalor desde la segunda energía térmica impacta inicialmente con la superficie exterior de la pared de la cámarade reacción; y establecer…

(11/04/2013) Un procedimiento de fabricación de una oblea de silicio de calidad solar, comprendiendo dicho procedimiento lasetapas de: proporcionar un molde cerámico de oblea de calidad solar con una porosidad superior a cero; proporcionar una mezcla que incluye un medio de suspensión, un agente aglutinante en suspensión, y unagente de oclusión de poros en suspensión; tratar dicho molde cerámico de oblea de calidad solar con dicha mezcla para producir un molde cerámico deoblea de calidad solar con porosidad reducida; proporcionar una pasta que incluye un líquido que esencialmente evita la oxidación del polvo de silicio y unpolvo de silicio que está prácticamente libre de óxidos; introducir dicha pasta en dicho molde cerámico de oblea de calidad solar con porosidad reducida; precipitar dicho polvo de silicio a partir de dicha pasta para formar una preforma…

(01/04/2013) Procedimiento para tratamiento de un cristal de cinta, comprendiendo dicho procedimiento: proporcionar un cristal de cinta de hilo, y eliminar al menos un borde del cristal de cinta de hilo, donde el cristal de cinta incluye una pluralidad de granos grandes, una pluralidad de granos pequeños y una pluralidad de portadores, teniendo la pluralidad de portadores una longitud de difusión, teniendo la pluralidad de granos grandes dimensiones exteriores las menores de las cuales son mayores que alrededor de dos veces la longitud de difusión de los portadores, comprendiendo la acción de eliminación dejar la mayoría de los granos grandes en el cristal de cinta eliminando la mayoría de los granos pequeños del cristal de cinta.

(13/09/2012) Procedimiento de obtención de nanohilos de silicio. Procedimiento experimental simple que permite el empleo de membranas "plantilla" porosas para el crecimiento de nanohilos de silicio con una dimensionalidad (diámetro y longitud) controlada. Este procedimiento se basa en el tratamiento térmico controlado de las membranas plantillas recubiertas por metales y soportadas sobre un sustrato cristalino de silicio que permite la obtención de nanohilos de silicio.

(09/08/2012) Formulación que comprende micropartículas de silicio como pigmento absorbente de la radiación UV-visible y reflectante de la radiación IR. La presente invención se refiere a una formulación caracterizada porque comprende micropartículas de silicio con un tamaño comprendido entre 0,1 {mi}m y 50 {mi}m de diámetro, así como a su uso como pigmento absorbente de la radiación UV-visible y reflectante de la radiación IR.

(08/06/2012) Dispositivo de realización de un bloque de material cristalino a partir de un baño de material fundido , que comprende un crisol que tiene un fondo , medios de extracción del calor dispuestos bajo el crisol y medios de modulación de la conductividad térmica interpuestos entre el fondo del crisol y los medios de extracción del calor , dispositivo caracterizado porque los medios de modulación de la conductividad térmica comprenden una pluralidad de placas , de material térmicamente conductor y de baja emisividad, paralelas al fondo del crisol y medios de acercamiento y de alejamiento de dichas placas unas con respecto a otras y con respecto al fondo del crisol , presentando las placas una emisividad inferior a 0,5.

(23/05/2012) Metodo de generaci6n de grietas en una varilla de silicio policristalino, que comprende: 5 calentar una varilla de silicio policristalino; posteriormente realizar un enfriamiento de parte local de la varilla de silicio policristalino para aplicar unfluido refrigerante sobre at menos una zona a modo de punto de una superficie de la varilla de siliciopolicristalino; y realizar un enfriamiento completo para hacer que una sustancia refrigerante entre en contacto con unasuperficie completa de la varilla de silicio policristalino tras el enfriamiento de parte local, caracterizado porque el fluido refrigerante se expulsa desde boquillas dispuestas a ambos lados de lavarilla de silicio policristalino, porque una pluralidad…

(19/04/2012) Instalación de fabricación en continuo de una barra de silicio multicristalino en un crisol sustancialmente cilíndrico , siendo dicho crisol calentado en su parte alta por inducción de manera que la parte superior del silicio se funda, y estando asociado a unos medios de realimentación de silicio, caracterizada porque comprende unos medios para aspirar periódicamente una parte del silicio fundido.

(02/04/2012) Procedimiento de solidificación de semiconductor, que incluye al menos las etapas de: - formar un baño de semiconductor fundido a partir de al menos una primera carga de semiconductor que incluye dopantes, - solidificar el semiconductor fundido , y que incluye además, en el transcurso de la solidificación del semiconductor fundido , la realización, en el curso de al menos una parte del procedimiento de solidificación, de una o varias etapas de adición de una o varias cargas suplementarias del semiconductor, que incluyen asimismo dopantes, al baño de semiconductor rebajando la variabilidad del valor del término **Fórmula** del semiconductor fundido del baño con relación a la variabilidad realizada de forma natural por los valores de los coeficientes de…

(07/03/2012) Un procedimiento para formar un lingote de silicio usando una materia prima de silicio de bajo grado, comprendiendo el lingote de silicio un silicio de mayor grado que la materia prima de silicio de bajo grado, que comprende las etapas de: formar en un dispositivo de crisol , , un silicio fundido a partir de una materia prima de silicio de bajo grado , , ; realizar una solidificación direccional del silicio fundido para formar un lingote de silicio en el dispositivo de crisol, formando la solidificación direccional una cantidad generalmente solidificada de silicio y una cantidad generalmente fundida de silicio , aumentando la solidificación direccional la altura de la cantidad combinada solidificada…

(22/11/2011) Procedimiento de cristalización en fase sólida, caracterizado porque incluye las etapas sucesivas siguientes: a) depósito de al menos una capa delgada de material amorfo o policristalino, en al menos una zona de la superficie de una parte superior de un sustrato , b) depósito de al menos una capa metálica , de un grosor comprendido entre 1 nm y 20 nm, ventajosamente entre 5 nm y 10 nm, en una zona de dicha capa delgada , estando constituida la parte superior del sustrato , después de la etapa b), por un material amorfo apto para pasar a un estado de líquido o de líquido sobrefundido, c) y tratamiento térmico para permitir el crecimiento cristalino del material de la capa delgada , que provoca simultáneamente: - una elevación de la temperatura de la parte superior…

(12/08/2011) Un proceso para el crecimiento de cintas de un material semiconductor, a saber de silicio, mediante la extracción de una zona fundida del citado material, caracterizado porque(a) la citada zona fundida se extiende a lo largo de la anchura de una placa de soporte hecha del citado material;(b) la citada zona fundida es mantenida mediante una corriente eléctrica paralela a la superficie de la citada cinta y perpendicular a la dirección de crecimiento de la citada cinta; (c) la citada zona fundida es alimentada por transferencia de material en el estado líquido desde uno o más depósitos del citado material, en los cuales es fundida la citada materia prima de los citados materiales, estando situados los…

(20/07/2011) Procedimiento para la fabricación de un tubo cristalino a partir de un material como silicio a través de estiramiento del tubo desde una colada , que es generada por medio de la fundición del material alimentado a un crisol de fundición por medio de una calefacción , en el que la colada a traviesa un intersticio capilar que predetermina la geometría del tubo y se proyecta más allá de este intersticio con un menisco de una altura h, que pasa a un germen de cristal que corresponde a la geometría del tubo o bien a una zona marginal inferior de una sección estirada del tubo a fabricar, caracterizado porque la temperatura se ajusta por medio de regulación en zonas de la colada de manera independiente unas de las otras en función del espesor de pared t de la sección de…

(10/02/2011) Barra de polisilicio que se puede obtener a través de separación de silicio de alta pureza a partir de un gas de reacción que contiene silicio, que se ha descompuesto térmicamente o se ha reducido a través de hidrógeno, en una barra de filamentos, caracterizada porque la barra de polisilicio posee en la sección transversal radial de la barra al menos 4 zonas distintas con diferentes microestructuras, de manera que a) en la zona más interior A, del centro de la barra policristalina, se encuentra la barra fina policristalina, b) alrededor de esta barra fina se encuentra una zona B del silicio policristalino separado, en la que la porción de la superficie de los cristales de agujas es…

(14/01/2011) Aparato para desarrollar un cuerpo cristalino tubular de un material seleccionado por el Proceso EFG, comprendiendo el aparato: un crisol (20A) que tiene una pared inferior , una pared lateral exterior , y una pared lateral interior que definen un espacio interior para contener un suministro líquido de dicho material seleccionado, y una matriz capilar formada integral con dicha pared lateral exterior ; comprendiendo dicha matriz : (a) medios de punta en el extremo superior de dicha pared lateral exterior , para uso para soportar una interfaz de desarrollo de líquido/sólido y para controlar la configuración de dicho cuerpo cristalino , comprendiendo dichos medios de punta una superficie extrema superior y superficies exteriores interior y exterior que cortan a dicha superficie extrema…

(20/10/2010) Procedimiento para la producción de un disco monocristalino de Si, con una sección transversal aproximadamente poligonal y con la calidad del material de unos cristales de Si estirados por zonas, en el que en una fase de iniciación, a partir de una gota colgante de masa fundida, con unos medios conocidos, se estira verticalmente hacia abajo por lo menos un cuello delgado, antes de que se reduzca la rotación del cristal hasta llegar a un número de revoluciones comprendido entre 0 y < 1 rpm, y, a continuación, en una fase de cultivo, un monocristal de Si, con una sección transversal aproximadamente poligonal, se estira verticalmente hacia abajo, utilizándose un inductor,…

(05/10/2010) Reactor de depósito de silicio de gran pureza para aplicaciones fotovoltaicas. Se trata de un reactor para la producción de silicio, de la pureza requerida por las aplicaciones fotovoltaicas, mediante la reducción con hidrógeno de compuestos gaseosos derivados del silicio (silano o clorosilanos). Se aportan soluciones industriales al complejo sistema de precalentamiento y al excesivo consumo energético que caracterizan los reactores industriales en la actualidad. El reactor consiste en un conjunto de varillas delgadas de silicio de gran pureza (i.e, superior al 99,999999%) y dopadas con impurezas aceptoras o donadoras, donde se produce el depósito de silicio. Se calientan en torno a los…

(01/09/2001) UN SISTEMA DE ALIMENTACION DE BOLAS DE SILICIO PARA UTILIZARSE CON UN HORNO DE FUSION DE SILICIO UTILIZAR PARA FORMAR UNA CAPA DE SILICIO. SE ACOPLA UN DEPOSITO QUE CONTIENE PARTICULAS DE ALIMENTACION AL EXTREMO SUPERIOR DE UN TUBO DE ALIMENTACION. EL EXTREMO INFERIOR DEL TUBO DE ALIMENTACION SE COLOCA JUNTO A UN PAR DE RODILLOS QUE GIRAN CONDUCIDOS POR UN MOTOR MEDIANTE UN ACOPLAMIENTO Y UN PAR DE ENGRANAJES. LOS RODILLOS SE MONTAN CON UN ANGULO CON RESPECTO A LA HORIZONTAL Y EL EXTREMO DE TOMA DE CORRIENTE DEL DE LA RUTA DE ALIMENTACION DEL RODILLO SE COLOCA SOBRE UN TUBO DE SUMINISTRO QUE LLEVA AL HORNO DE FUSION DE SILICIO. LOS ELEMENTOS ESTAN RODEADOS POR UN RECINTO QUE TIENE UNA SALIDA AL VACIO PARA…

(01/04/2000) SE DESCRIBE UN METODO Y UN APARATO PARA FORMAR PARTICULAS SEMICONDUCTORAS PARA CELULAS SOLARES UTILIZANDO UN HORNO OPTICO . PILAS DE MASA UNIFORME DE MATERIAL SEMICONDUCTOR EN POLVO SE FUNDEN OPTICAMENTE DE MANERA CASI INSTANTANEA PARA DEFINIR PARTICULAS SEMICONDUCTORAS DE ALTA PUREZA SIN OXIDACION. LA ENERGIA OPTICA DE ALTA INTENSIDAD SE DIRIGE Y ENFOCA HACIA LAS PILAS DE MATERIAL SEMICONDUCTOR LAS CUALES AVANZAN MOVIDAS POR UNA CINTA TRANSPORTADORA SITUADA DEBAJO. LAS PILAS DE MATERIAL SEMICONDUCTOR SE FUNDEN Y FUSIONAN AL MENOS PARCIALMENTE PARA FORMAR UNA SOLA PARTICULA SEMICONDUCTORA QUE MAS TARDE PUEDE SER SEPARADA DE UNA CAPA REFRACTARIA POR UN SEPARADOR , PREFERIBLEMENTE COMPUESTO DE SILICE. EL APARATO Y EL PROCESO ESTAN…