POLVO SEMICONDUCTOR FUNDIDO OPTICAMENTE PARA CELULAS FOTOVOLTAICAS SOLARES.
SE DESCRIBE UN METODO Y UN APARATO PARA FORMAR PARTICULAS SEMICONDUCTORAS (42) PARA CELULAS SOLARES UTILIZANDO UN HORNO OPTICO (30).
PILAS DE MASA UNIFORME (26) DE MATERIAL SEMICONDUCTOR EN POLVO SE FUNDEN OPTICAMENTE DE MANERA CASI INSTANTANEA PARA DEFINIR PARTICULAS SEMICONDUCTORAS DE ALTA PUREZA SIN OXIDACION. LA ENERGIA OPTICA DE ALTA INTENSIDAD SE DIRIGE Y ENFOCA HACIA LAS PILAS DE MATERIAL SEMICONDUCTOR (26) LAS CUALES AVANZAN MOVIDAS POR UNA CINTA TRANSPORTADORA (16) SITUADA DEBAJO. LAS PILAS DE MATERIAL SEMICONDUCTOR (26) SE FUNDEN Y FUSIONAN AL MENOS PARCIALMENTE PARA FORMAR UNA SOLA PARTICULA SEMICONDUCTORA (42) QUE MAS TARDE PUEDE SER SEPARADA DE UNA CAPA REFRACTARIA (18) POR UN SEPARADOR (50), PREFERIBLEMENTE COMPUESTO DE SILICE. EL APARATO (10) Y EL PROCESO ESTAN AUTOMATIZADOS Y OFRECEN UN ELEVADO RENDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE ESFERAS DE MASA UNIFORME Y ALTA CALIDAD CON LAS QUE FORMAR CELULAS SOLARES DE ALTA EFICIENCIA. EL APARATO ES ENERGETICAMENTE EFICIENTE Y PERMITE ESTABLECER RAPIDA Y FACILMENTE LOS PARAMETROS DE PROCESO.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: ONTARIO HYDRO.
Nacionalidad solicitante: Canadá.
Dirección: 700 UNIVERSITY AVENUE,TORONTO, ONTARIO M5G 1X6.
Inventor/es: STEVENS, GARY, DON, PADOVANI, FRANCOIS, A.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 3 de Enero de 1996.
Fecha Concesión Europea: 3 de Noviembre de 1999.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C30B29/06 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Silicio.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Mónaco, Irlanda, Oficina Europea de Patentes, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Africana de la Propiedad Intelectual.
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