CIP-2021 : H01L 21/00 : Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.

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H01L 21/02 · Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas.

Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:

H01L 21/027 · · Fabricación de máscaras sobre cuerpos semiconductores para tratamiento fotolitográfico ulterior, no prevista en el grupo H01L 21/18 o H01L 21/34.

H01L 21/033 · · · incluyendo capas inorgánicas.

H01L 21/04 · · los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas.

H01L 21/06 · · · los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen selenio o teluro, en forma no combinada, no constituyendo impurezas para los cuerpos semiconductores de otros materiales.

H01L 21/08 · · · · Preparación de la placa de soporte.

H01L 21/10 · · · · Tratamiento preliminar del selenio o del teluro, aplicación sobre la placa de soporte, o tratamiento subsiguiente del conjunto.

H01L 21/103 · · · · · Conversión del selenio o del teluro al estado conductor.

H01L 21/105 · · · · · Tratamiento de la superficie de la capa de selenio o de teluro después de la conversión al estado conductor.

H01L 21/108 · · · · · Producción de capas aislantes discretas, es decir, barreras de superficie no activas.

H01L 21/12 · · · · Aplicación de un electrodo a la superficie libre del selenio o del teluro, después de la aplicación del selenio o del teluro a la placa de soporte.

H01L 21/14 · · · · Tratamiento del dispositivo completo, p. ej. por electromoldeo para formar una barrera.

H01L 21/145 · · · · · Envejecimiento.

H01L 21/16 · · · los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen óxido cuproso o ioduro cuproso.

H01L 21/18 · · · los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del Grupo IV de la Tabla Periódica, o de compuestos A III B V con o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado.

Notas[n] de H01L 21/18:
  • El presente grupo cubre igualmente los procedimientos y los aparatos que, utilizando la tecnología apropiada, están claramente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos cuyos cuerpos comprenden elementos del Grupo IV del Sistema Periódico o compuestos A III B V incluso si el material utilizado no está explícitamente especificado

H01L 21/20 · · · · Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial.

H01L 21/203 · · · · · utilizando un depósito físico, p. ej. depósito en vacío, pulverización.

H01L 21/205 · · · · · utilizando la reducción o la descomposición de un compuesto gaseoso dando un condensado sólido, es decir, un depósito químico.

H01L 21/208 · · · · · utilizando un depósito líquido.

H01L 21/22 · · · · Difusión de impurezas, p. ej. materiales de dopado, materiales para electrodos, en el interior o fuera del cuerpo semiconductor, o entre las regiones semiconductoras; Redistribución de las impurezas, p. ej. sin introducción o sin eliminación de dopante suplementario.

H01L 21/223 · · · · · utilizando la difusión en o fuera de un sólido a partir de o en una fase gaseosa.

H01L 21/225 · · · · · utilizando la difusión en o fuera de un sólido a partir de o en una fase sólida, p. ej. una capa de óxido dopada.

H01L 21/228 · · · · · utilizando la difusión en o fuera de un sólido, a partir de o en una fase líquida, p. ej. procesos de difusión de aleación.

H01L 21/24 · · · · Formación de aleaciones de impurezas, p. ej. materiales de dopado, materiales para electrodos, con un cuerpo semiconductor.

H01L 21/26 · · · · Bombardeo con radiación ondulatoria o de partículas.

H01L 21/261 · · · · · para producir una reacción nuclear que transmute elementos químicos.

H01L 21/263 · · · · · con radiaciones de alta energía (H01L 21/261 tiene prioridad).

H01L 21/265 · · · · · · produciendo una implantación de iones.

H01L 21/266 · · · · · · · utilizando máscaras.

H01L 21/268 · · · · · · utilizando radiaciones electromagnéticas, p. ej. rayos láser.

H01L 21/28 · · · · Fabricación de electrodos sobre los cuerpos semiconductores por empleo de procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/20 - H01L 21/268.

H01L 21/283 · · · · · Depósito de materiales conductores o aislantes para los electrodos.

H01L 21/285 · · · · · · a partir de un gas o vapor, p. ej. condensación.

H01L 21/288 · · · · · · a partir de un líquido, p. ej. depósito electrolítico.

H01L 21/30 · · · · Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/20 - H01L 21/26 (fabricación de electrodos sobre estos cuerpos H01L 21/28).

H01L 21/301 · · · · · para subdividir un cuerpo semiconductor en partes separadas, p. ej. realizando particiones (corte H01L 21/304).

H01L 21/302 · · · · · para cambiar las características físicas de sus superficies o para cambiar su forma, p. ej. grabado, pulido, recortado.

H01L 21/304 · · · · · · Tratamiento mecánico, p. ej. trituración, pulido, corte.

H01L 21/306 · · · · · · Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabación electrolítica (para formar capas aislantes H01L 21/31; postratamiento de capas aislantes H01L 21/3105).

H01L 21/3063 · · · · · · · Grabado electrolítico.

H01L 21/3065 · · · · · · · Grabado por plasma; Grabado mediante iones reactivos.

H01L 21/308 · · · · · · · utilizando máscaras (H01L 21/3063, H01L 21/3065, tienen prioridad).

H01L 21/31 · · · · · para formar capas aislantes en superficie, p. ej. para enmascarar o utilizando técnicas fotolitográficas (capas de encapsulamiento H01L 21/56 ); Postratamiento de estas capas; Selección de materiales para estas capas.

H01L 21/3105 · · · · · · Postratamiento.

H01L 21/311 · · · · · · · Grabado de las capas aislantes.

H01L 21/3115 · · · · · · · Dopado de las capas aislantes.

H01L 21/312 · · · · · · Capas orgánicas, p. ej. capa fotosensible (H01L 21/3105, H01L 21/32 tienen prioridad).

H01L 21/314 · · · · · · Capas inorgánicas (H01L 21/3105, H01L 21/32 tienen prioridad).

H01L 21/316 · · · · · · · compuestas de óxidos o de óxidos vítreos o de vidrios a base de óxido.

H01L 21/318 · · · · · · · compuestas de nitruros.

H01L 21/32 · · · · · · utilizando máscaras.

H01L 21/3205 · · · · · · Depósito de capas no aislantes, p. ej. conductoras o resistivas, sobre capas aislantes; Postratamiento de esas capas (fabricación de electrodos H01L 21/28).

H01L 21/321 · · · · · · · Postratamiento.

H01L 21/3213 · · · · · · · · Grabado físico o químico de las capas, p. ej. para producir una capa con una configuración determinada a partir de una capa extendida predepositada.

H01L 21/3215 · · · · · · · · Dopado de las capas.

H01L 21/322 · · · · · para modificar sus propiedades internas, p. ej. para producir defectos internos.

H01L 21/324 · · · · · Tratamiento térmico para modificar las propiedades de los cuerpos semiconductores, p. ej. recocido, sinterización (H01L 21/20 - H01L 21/288, H01L 21/302 - H01L 21/322 tienen preferencia).

H01L 21/326 · · · · · Aplicación de corrientes o de campos eléctricos, p. ej. para electromoldeo (H01L 21/20 - H01L 21/288, H01L 21/302 - H01L 21/324 tienen prioridad).

H01L 21/328 · · · · Procedimientos que comportan varias etapas para la fabricación de dispositivos de tipo bipolar, p. ej. diodos, transistores, tiristores.

H01L 21/329 · · · · · teniendo los dispositivos uno o dos electrodos, p. ej. diodos.

H01L 21/33 · · · · · teniendo los dispositivos tres o más electrodos.

H01L 21/331 · · · · · · Transistores.

H01L 21/332 · · · · · · Tiristores.

H01L 21/334 · · · · Procedimientos que comportan varias etapas para la fabricación de dispositivos de tipo unipolar.

H01L 21/335 · · · · · Transistores de efecto de campo.

H01L 21/336 · · · · · · con puerta aislada.

H01L 21/337 · · · · · · con unión PN.

H01L 21/338 · · · · · · con puerta Schottky.

H01L 21/339 · · · · · Dispositivos de transferencia de carga.

H01L 21/34 · · · los dispositivos tienen cuerpos semiconductores no cubiertos por los grupos H01L 21/06, H01L 21/16, y H01L 21/18 con o sin impurezas, p. ej. material de dopado.

H01L 21/36 · · · · Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial.

H01L 21/363 · · · · · utilizando un depósito físico, p. ej. depósito bajo vacío, pulverización.

H01L 21/365 · · · · · utilizando la reducción o la descomposición de un compuesto gaseoso que dan un condensado sólido, es decir, un depósito químico.

H01L 21/368 · · · · · utilizando un depósito líquido.

H01L 21/38 · · · · Difusión de impurezas, p. ej. materiales de dopado, materiales para electrodos, en o fuera del cuerpo semiconductor, o entre las regiones semiconductoras.

H01L 21/383 · · · · · utilizando la difusión en o fuera de un sólido, a partir de o en una fase gaseosa.

H01L 21/385 · · · · · utilizando la difusión en o fuera de un sólido, a partir de o en una fase sólida, p. ej. una capa de óxido dopada.

H01L 21/388 · · · · · utilizando la difusión en o fuera de un sólido, a partir de o en una fase líquida, p. ej. procesos de difusión de aleación.

H01L 21/40 · · · · Formación de aleaciones de impurezas, p. ej. de los materiales de dopado, de los materiales para electrodos, con un cuerpo semiconductor.

H01L 21/42 · · · · Bombardeo por radiaciones.

H01L 21/423 · · · · · por radiaciones de energía elevada.

H01L 21/425 · · · · · · que producen una implantación de iones.

H01L 21/426 · · · · · · · utilizando máscaras.

H01L 21/428 · · · · · · utilizando radiaciones electromagnéticas, p. ej. rayos láser.

H01L 21/44 · · · · Fabricación de electrodos sobre los cuerpos semiconductores por empleo de procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/36 - H01L 21/428.

H01L 21/441 · · · · · Depósito de materiales conductores o aislantes para los electrodos.

H01L 21/443 · · · · · · a partir de un gas o vapor, p. ej. condensación.

H01L 21/445 · · · · · · a partir de un líquido, p. ej. depósito electrolítico.

H01L 21/447 · · · · · que implican la aplicación de una presión, p. ej. soldadura por termocompresión (H01L 21/607 tiene prioridad).

H01L 21/449 · · · · · que implican la aplicación de vibraciones mecánicas, p. ej. vibraciones ultrasónicas.

H01L 21/46 · · · · Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/36 - H01L 21/428 (fabricación de electrodos sobre estos cuerpos H01L 21/44).

H01L 21/461 · · · · · para cambiar las características físicas o la forma de su superficie, p. ej. grabado, pulido, recortado.

H01L 21/463 · · · · · · Tratamiento mecánico, p. ej. trituración, tratamiento por ultrasonidos.

H01L 21/465 · · · · · · Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabado electrolítico (para formar capas aislantes H01L 21/469).

H01L 21/467 · · · · · · · utilizando máscaras.

H01L 21/469 · · · · · · para formar las capas aislantes sobre los cuerpos, p. ej. para enmascarar o que utilizan técnicas fotolitográficas (capas de encapsulación H01L 21/56 ); Postratamiento de esas capas.

H01L 21/47 · · · · · · · Capas orgánicas, p. ej. capa fotosensible (H01L 21/475, H01L 21/4757 tienen prioridad).

H01L 21/471 · · · · · · · Capas inorgánicas (H01L 21/475, H01L 21/4757 tienen prioridad).

H01L 21/473 · · · · · · · · compuestas de óxido, óxidos vítreos o de cristales a base de óxido.

H01L 21/475 · · · · · · · utilizando máscaras.

H01L 21/4757 · · · · · · · Postratamiento.

H01L 21/4763 · · · · · · Depósito de capas no aislantes, p. ej. conductoras, resistivas sobre capas aislantes; Postratamiento de esas capas (fabricación de electrodos H01L 21/28).

H01L 21/477 · · · · · Tratamiento térmico para modificar las propiedades de los cuerpos semiconductores, p. ej. recocido, sinterización (H01L 21/36 - H01L 21/449, H01L 21/461 - H01L 21/475 tienen prioridad).

H01L 21/479 · · · · · Aplicación de corrientes o de campos eléctricos, p. ej. para electromoldeo (H01L 21/36 - H01L 21/449, H01L 21/461 - H01L 21/477 tienen prioridad).

H01L 21/48 · · · Fabricación o tratamiento de partes, p. ej. de contenedores, antes del ensamblado de los dispositivos, utilizando procedimientos no cubiertos por un único grupo de H01L 21/06 - H01L 21/326.

H01L 21/50 · · · Ensamblaje de dispositivos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por un único grupo de H01L 21/06 - H01L 21/326.

H01L 21/52 · · · · Montaje de cuerpos semiconductores en los contenedores.

H01L 21/54 · · · · Rellenado de contenedores, p. ej. rellenado gaseoso.

H01L 21/56 · · · · Encapsulación, p. ej. capas de encapsulado, revestimientos.

H01L 21/58 · · · · Montaje de los dispositivos semiconductores sobre los soportes.

H01L 21/60 · · · · Fijación de hilos de conexión o de otras piezas conductoras, para conducir la corriente hacia o desde el dispositivo durante su funcionamiento.

H01L 21/603 · · · · · implicando la aplicación de una presión, p. ej. soldadura por termocompresión (H01L 21/607 tiene prioridad).

H01L 21/607 · · · · · implicando la aplicación de vibraciones mecánicas, p. ej. vibraciones ultrasónicas.

H01L 21/62 · · los dispositivos no tienen barrera de potencial ni de superficie.

H01L 21/64 · Fabricación o tratamiento de dispositivos de estado sólido diferentes de los dispositivos de semiconductores, o de sus partes constitutivas, por métodos no concebidos especialmente para uno de los dispositivos cubiertos por los grupos H01L 31/00 - H01L 51/00.

H01L 21/66 · Ensayos o medidas durante la fabricación o tratamiento.

H01L 21/67 · Aparatos especialmente adaptados para el manejo de dispositivos semiconductores o eléctricos de estado sólido durante su fabricación o tratamiento; Aparatos especialmente adaptados para el manejo de obleas durante la fabricación o tratamiento de dispositivos o componentes semiconductores o eléctricos de estado sólido.

H01L 21/673 · · que utilizan portadores especialmente adaptados.

H01L 21/677 · · para el transporte, p. ej. entre diferentes estaciones de trabajo.

H01L 21/68 · · para el posicionado, orientación o alineación.

H01L 21/683 · · para sostener o sujetar (para el posicionado, orientación o alineación H01L 21/68).

H01L 21/687 · · · que utilizan medios mecánicos, p. ej. mandiles, abrazaderas o pinzas.

H01L 21/70 · Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o de circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común, o de partes constitutivas específicas de éstos; Fabricación de dispositivos de circuito integrado o de partes constitutivas específicas de éstos (fabricación de conjuntos de componentes eléctricos prefabricados H05K 3/00, H05K 13/00).

H01L 21/71 · · Fabricación de partes constitutivas específicas de dispositivos definidos en el grupo H01L 21/70 (H01L 21/28, H01L 21/44, H01L 21/48 tienen prioridad).

H01L 21/74 · · · Realización de regiones profundas de alta concentración de impurezas, p. ej. capas colectoras profundas, conexiones internas.

H01L 21/76 · · · Realización de regiones aislantes entre los componentes.

H01L 21/761 · · · · Uniones PN.

H01L 21/762 · · · · Regiones dieléctricas.

H01L 21/763 · · · · Regiones semiconductoras policristalinas.

H01L 21/764 · · · · Espacios de aire.

H01L 21/765 · · · · por efecto de campo.

H01L 21/768 · · · Fijación de interconexiones que sirvan para conducir la corriente entre componentes separados en el interior de un dispositivo.

H01L 21/77 · · Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común (memorias de solo lectura programables eléctricamente EPROM o sus procesos de fabricación multi-etapa H01L 27/115).

H01L 21/78 · · · con una división ulterior del sustrato en una pluralidad de componentes individuales (corte para cambiar las características físicas de superficie o la forma de los cuerpos semiconductores H01L 21/304).

H01L 21/782 · · · · para producir dispositivos que consisten cada uno en un solo elemento de circuito (H01L 21/82 tiene prioridad).

H01L 21/784 · · · · · siendo el sustrato un cuerpo semiconductor.

H01L 21/786 · · · · · siendo el substrato distinto de un cuerpo semiconductor, p. ej. un cuerpo aislante.

H01L 21/82 · · · · para producir dispositivos, p. ej. circuitos integrados que consisten cada uno en una pluralidad de componentes.

H01L 21/822 · · · · · siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnología de silicio (H01L 21/8258 tiene prioridad).

H01L 21/8222 · · · · · · Tecnología bipolar.

H01L 21/8224 · · · · · · · que comprende una combinación de transistores verticales y laterales.

H01L 21/8226 · · · · · · · que comprende una lógica de transistores fusionados o una lógica de inyección integrada.

H01L 21/8228 · · · · · · · Dispositivos complementarios, p. ej. transistores complementarios.

H01L 21/8229 · · · · · · · Estructuras de memorias.

H01L 21/8232 · · · · · · Tecnología de efecto de campo.

H01L 21/8234 · · · · · · · Tecnología MIS.

H01L 21/8236 · · · · · · · · Combinación de transistores de enriquecimiento y transistores de empobrecimiento.

H01L 21/8238 · · · · · · · · Transistores de efecto de campo complementarios, p. ej. CMOS.

H01L 21/8239 · · · · · · · · Estructuras de memorias.

H01L 21/8242 · · · · · · · · · Estructuras de memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM).

H01L 21/8244 · · · · · · · · · Estructuras de memorias estáticas de acceso aleatorio (SRAM).

H01L 21/8246 · · · · · · · · · Estructuras de memorias de solo lectura (ROM).

H01L 21/8248 · · · · · · Combinación de tecnología bipolar y tecnología de efecto de campo.

H01L 21/8249 · · · · · · · Tecnología bipolar y MOS.

H01L 21/8252 · · · · · siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnología III-V (H01L 21/8258 tiene prioridad).

H01L 21/8254 · · · · · siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnología II-IV (H01L 21/8258 tiene prioridad).

H01L 21/8256 · · · · · siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnologías no cubiertas por uno de los grupos H01L 21/822, H01L 21/8252 o H01L 21/8254 (H01L 21/8258 tiene prioridad).

H01L 21/8258 · · · · · siendo el sustrato un semiconductor, utilizando una combinación de tecnologías cubiertas por los grupos H01L 21/822, H01L 21/8252, H01L 21/8254 o H01L 21/8256.

H01L 21/84 · · · · · siendo el sustrato diferente a un cuerpo semiconductor, p. ej. un cuerpo aislante.

H01L 21/86 · · · · · · siendo el cuerpo aislante de zafiro, p. ej. silicio sobre una estructura de zafiro, es decir, S.O.S..

H01L 21/98 · · Ensamblaje de dispositivos que consisten en componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común; Ensamblaje de dispositivos de circuito integrado (H01L 21/50 tiene prioridad).

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

PRESENTACIONES ELECTROCROMICAS, ELECTROLUMINISCENTES Y ELECTROQUIMILUMINISCENTES.

(16/06/1998) UNA PRESENTACION VISUAL QUE TIENE UNA DISPOSICION DE PARES DIRIGIBLES DE MATRICES DE ELECTRODOS MONTADOS HACIA ARRIBA EN EL MISMO SUBSTRATO. LOS PARES DE ELECTRODOS (34B) SE DERIVAN BIEN CON MATERIALES ELECTROCROMICOS BIEN CON MATERIAL ELECTROLUMINISCENTE PARA FORMAR LOS PIXELS DE LA PRESENTACION VISUAL. EN LA REALIZACION ELECTROCROMICA DE LA INVENCION, SE INCLUYE UNA CAPA DE UN ELECTROLITO DE POLIMERO SOLIDO . EL PAR DE ELECTRODOS TAMBIEN PUEDE ESTAR EXENTO DE MATERIAL DERIVATIZANTE, PERO CON UNA SUBSTANCIA ELECTROLUMINISCENTE DISUELTA EN EL ELECTROLITO DE POLIMERO SOLIDO. TAMBIEN SE SUMINISTRA UNA REALIZACION ELECTROQUIMILUMINISCENTE EN LA QUE LA SUBSTANCIA ELECTROLUMINISCENTE SE PUEDE DISOLVER EN EL ELECTROLITO DE POLIMERO SOLIDO. TAMBIEN…

SISTEMA DE PROCESO SIN AIRE.

(16/05/1998). Solicitante/s: PRAXAIR TECHNOLOGY, INC.. Inventor/es: NOWOTARSKI, MARK STEPHEN, BRESTOVANSKY, DENNIS FRANCIS, PLANTE, WALTER.

UN APARATO Y UN METODO PARA PROCESAR UNA PIEZA DE TRABAJO EN UN AMBIENTE SIN AIRE DEL GAS SELECCIONADO. UN RECIPIENTE DE PREPARACION TIENE UNA ABERTURA PARA LA ENTRADA DE LA PIEZA DE TRABAJO Y UN DIFUSOR ORIENTADO PARA EMITIR A TRAVES DE LA ABERTURA DEL RECIPIENTE UN FLUJO LAMINAR EN FORMA DE CORTINA DEL GAS SELECCIONADO QUE ENTRA, PURGA EL RECIPIENTE Y EVITA LA INFILTRACION DE AIRE. SE TRANSPORTA LA PIEZA DE TRABAJO SOBRE SU TRANSPORTADOR AL RECIPIENTE DE PREPARACION EN DONDE SE PURGA EL AIRE Y SE SUBSTITUYE POR EL GAS SELECCIONADO. UN RECIPIENTE DE PROCESO TIENE UN DIFUSOR Y UNA ABERTURA DE ENTRADA PARA PIEZAS DE TRABAJO SIMILARES. SE HACE QUE COINCIDAN LAS ABERTURAS DEL RECIPIENTE DE PREPARACION Y DE PROCESO Y SE INTRODUCE EL TRANSPORTADOR EN EL RECIPIENTE DE PROCESO PARA EL PROCESO DE LA PIEZA DE TRABAJO EN EL AMBIENTE DEL GAS SELECCIONADO SUMINISTRADO POR EL DIFUSOR DEL RECIPIENTE DE PROCESO.

CANALETA DE INTERCONEXION MECANICA ESTANDARIZADA (SMIF).

(16/05/1998) UNA CANALETA DE INTERCONEXION MECANICA ESTANDARIZADA (SMIF) PARA UTILIZAR EN CONJUNCION CON SISTEMAS SMIF. LA CANALETA ES UTILIZADA PARA TRANSPORTAR UN ARTICULO, COMO LAMINAS SEMICONDUCTORAS O SIMILAR, ENTRE LOCALIZACIONES COMO ESTACIONES PROCESADORAS DE SMIF. LA CANALETA INCLUYE UNA CAJA QUE TIENE UN EXTREMO ABIERTO Y UNA PUERTA DE CAJA QUE SE UNE A MODO DE SELLAJE Y QUE CIERRA EL EXTREMO ABIERTO. LA CAJA CONTIENE UN PORTADOR EXTRAIBLE QUE SE ALOJA EN LA PUERTA DE CAJA Y QUE TIENE UN LADO ABIERTO PARA LA INSERCION Y EXTRACCION DE LOS ARTICULOS. LA CANALETA POSEE UN MECANISMO DE ENGANCHE EN LA PUERTA DE LA CAJA QUE UTILIZA UNA RUEDA DE ESTRELLA CON PUNTAS QUE ROTAN Y QUE SE EXTIENDEN HACIA FUERA DESDE UNAS RANURAS EN LA PUERTA DE LA CAJA…

DISPOSITIVO PARA TRATAR CON CALOR UN ALMACEN PARA MARCOS DE PLOMO CONCOMPONENTES ELECTRONICOS.

(16/01/1998). Solicitante/s: ESEC SA. Inventor/es: MEISSER, CLAUDIO, HONEGGER, ROLF.

EN UNA INSTALACION DE ENDURECIDO, EN PARTICULAR, PARA CARGADORES CON PORTASISTEMAS, LOS CUALES ESTAN EQUIPADOS CON COMPONENTES ELECTRONICOS, ESTA PREVISTO POR LO MENOS UNA CAJA (R2) QUE SE PUEDE CERRAR POR UNA PUERTA , EN LA CUAL ESTA DISPUESTO POR LO MENOS UN VENTILADOR (17A, 17B) PARA APLICAR GAS CALIENTE SOBRE EL PORTASISTEMAS EN EL CARGADOR. EL VENTILADOR (17A,17B) ESTA APOYADO SOBRE UNA CARCASA (1A) DE LA CAJA (R2) Y DISPUESTO DE TAL FORMA QUE GENERA EN LA ZONA DEL CARGADOR POR LO MENOS UNA CORRIENTE DE GAS DIRIGIDA, EN ESENCIA, HORIZONTALMENTE, EN ESENCIA, PARALELA A LA DIRECCION LONGITUDINAL DEL CARGADOR, DE TAL MODO QUE EL GAS FLUYE A TRAVES DEL CARGADOR . EL VENTILADOR PUEDE SER DE HELICE O RADIAL (17A, 17B) Y LA DIRECCION DEL FLUJO DE GAS PUEDE SER VARIADA POR LA INVERSION DE LA DIRECCION DE GIRO DEL VENTILADOR.

DISPOSITIVO SELLADOR Y METODO UTIL EN UN APARATO DE PROCESAMIENTO DE SEMICONDUCTORES PARA PUENTEAR MATERIALES QUE TENGAN UN DIFERENCIAL DE EXPANSION TERMICA.

(01/08/1997) LA INVENCION PERTENECE A UN APARATO Y A UN METODO UTIL EN EL PROCESAMIENTO DE SEMICONDUCTORES. EL APARATO Y EL METODO PUEDEN UTILIZARSE PARA SUMINISTRAR UN SELLAMIENTO QUE HAGA POSIBLE QUE UNA PRIMERA PARTE DE UNA CAMARA DE PROCESAMIENTO DE SEMICONDUCTORES FUNCIONE A UNA PRIMERA PRESION MIENTRAS QUE UNA SEGUNDA PARTE DE LA CAMARA DE PROCESAMIENTO DE SEMICONDUCTORES FUNCIONE A UNA SEGUNDA PRESION DIFERENTE. EL APARATO SELLADOR Y EL METODO PRESENTADO HACEN POSIBLE EL PROCESAMIENTO DE UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR BAJO UN VACIO PARCIAL QUE HACE IMPRACTICABLE LA TRANSFERENCIA DE CALOR POR MEDIOS CONDUCTIVOS/CONVECTIVOS , MIENTRAS AL MENOS UNA PARTE…

Recipientes portátiles estancos a presión para almacenar una rebanada de semiconductor en un ambiente gaseoso protector.

(01/07/1997) Un recipiente portátil estanco a presión que comprende: un depósito de casete de forma prácticamente paralelepípeda, constituido fundamentalmente por un alojamiento en forma de caja que define un espacio interior que comprende una abertura de acceso principal sobre la cara lateral delantera, adaptado a la transferencia de entrada y de salida de un objeto, estando provisto dicho alojamiento de una pared interna que separa dicho espacio interior en dos regiones: una primera región (103A) que se denomina depósito y una segunda región (103B) que se denomina receptáculo que está destinado a recibir dicho objeto, estando provista dicha pared interna de medios de agujeros adaptados para permitir la circulación de una gas entre dichas primera y segunda regiones, un medio de válvula…

FABRICACION DE UN SEMICONDUCTOR.

(16/07/1996) LA INVENCION SE REFIERE A UN SISTEMA PARA BOMBEAR HACIA ABAJO EL GAS A PRESION QUE SE ENCUENTRA, TRAS UNA INTERRUPCION, EN LA TUBERIA UTILIZA PARA PROPORCIONAR UNA CORRIENTE DE GAS PARA CALENTAR/REFRIGERAR LA RODAJA LATERAL POSTERIOR DURANTE LA ELABORACION DE LA RODAJA SEMICONDUCTORA . EL SISTEMA INCLUYE UNA TUBERIA SECUNDARIA QUE SE PUEDE SELECCIONAR CON UNA VALVULA PARA IGUALAR, EN CASO DE QUE OCURRA UNA INTERRUPCION, CUALQUIER DIFERENCIA DE PRESIONES QUE PUEDA DARSE EN LA TUBERIA DE GAS PRINCIPAL ENTRE LA CAMARA DE PROCESO Y EL ELEMENTO DE CALENTAMIENTO DE LA PARTE LATERAL POSTERIOR . LA TUBERIA SECUNDARIA SE EXTIENDE DESDE UNA ABERTURA QUE HAY EN LA PARED DE LA CAMARA DE PROCESO HASTA UNA JUNTA EN T INSTALADA EN LA TUBERIA PRINCIPAL JUSTO CORRIENTE ABAJO DE LA VALVULA…

SISTEMA DE REACTOR TERMICO RESISTENTE A LA PRESION PARA PROCESAR SEMICONDUCTORES.

(01/07/1996) EL DESCUBRIMIENTO ES RELATIVO UN SISTEMA DE REACTOR TERMICO PARA PROCESAR SEMICONDUCTORES, EL CUAL INCORPORA UNA VASIJA DE REACCION CON UN TUBO DE CUARZO RECTANGULAR CON UN ESCUDETE DE CUARZO PARALELO REFORZANDOLO. LOS ESCUDETES HABILITAN UN SUB-AMBIENTE DE PRESION DE PROCESO, MIENTRAS QUE LOS TUBOS RECTANGULARES MAXIMIZAN EL FLUJO DE GAS REACTIVO, UNIFORMEMENTE SOBRE EL SUSTRATO QUE SE PROCESA. LOS ESCUDETES FACILITAN EL ENFRIAMIENTO EFECTIVO, MIENTRAS QUE IMPARTEN MINIMAMENTE CALENTAMIENTO DESDE LA VASIJA, PERMITIENDO ESPESORES MINIMOS DE LA PARED. EL SISTEMA DE REACTOR TERMICO INCLUYE ADICIONALMENTE UNA FUENTE PARA SUMINISTRAR GAS REACTIVO Y UN SISTEMA DE MANEJO DE LA EXPULSION PARA ELIMINAR LOS GASES AGOTADOS DE LA VASIJA…

MECANISMO DE FIJACION PARA LA DEPOSICION DE VAPOR POR UN PROCEDIMIENTO FISICO Y CALENTADOR/REFRIGERADOR.

(01/07/1996). Solicitante/s: APPLIED MATERIALS, INC.. Inventor/es: GRUNES, HOWARD, TEPMAN, AVI, ANDREWS, DANA.

UN ANILLO DE FIJACION Y UNA PLACA DE TEMPERATURA REGULADA PARA FIJAR UN DISCO A LA PLACA Y REGULAR LA TEMPERATURA DEL DISCO . LA FUERZA DEL ANILLO DE FIJACION CONTRA EL DISCO SE PRODUCE SOLO POR EL PESO DEL ANILLO DE FIJACION . UN TECHO PROTEGE TODAS LAS REGIONES DE CONTACTO EXCEPTO UNAS POCAS DE LA INTERFASE ENTRE EL DISCO Y LA ABRAZADERA PARA RECOGER LAS PARTICULAS DE DEPOSICION DE TAL FORMA QUE EL REVESTIMIENTO FORMADO EN EL DISCO HAGA UN CONTACTO CONTINUO CON EL ANILLO DE FIJACION SOLAMENTE EN POCAS REGIONES ESTRECHAS QUE ACTUAN COMO PUENTES CONDUCTORES CUANDO LA CAPA DE DEPOSICION ES CONDUCTORA.

APARATO PARA LA FABRICACION DE PIEZAS ELECTRONICAS RECUBIERTAS CON UNA PELICULA CONDUCTORA.

(16/06/1996) APARATO PARA LA FABRICACION DE PIEZAS ELECTRONICAS RECUBIERTAS CON CINTA METALICA CONDUCTORA. LA INVENCION PROPORCIONA UN APARATO NUEVO PARA LA FABRICACION DE PIEZAS ELECTRONICAS QUE INCORPORAN CADA UNA DE ELLAS UNA PLURALIDAD DE HILOS DE PLOMO TOTALMENTE RECUBIERTOS CON CINTA METALICA CONDUCTORA TALES COMO FILTROS ANTIPARASITARIOS. UN SOPORTE GIRATORIO SE TRASFIERE INTERMITENTEMENTE DE LA PRIMERA ESTACION DE TRABAJO A LA SEPTIMA ESTACION DE TRABAJO EN EL ESTADO EN EL QUE UNA UNIDAD DE SUJECION EN EL SOPORTE GIRATORIO RETIENE UN ELEMENTO DE HILO DE PLOMO DE UNIDAD INDIVIDUAL. LAS ESTACIONES DE TRABAJO RESPECTIVAS ENLAZAN UN HILO DE PLOMO, MIENTRAS QUE LOS RESTANTES HILOS DE PLOMO SE UNEN CON CINTAS METALICAS CONDUCTORAS VIA UN PROCESO DE SOLDADURA ELECTRICA POR PUNTOS Y, A CONTINUACION, SE RECUBREN TOTALMENTE ESTOS HILOS DE PLOMO CON CINTAS METALICAS CONDUCTORAS.…

CALENTAMIENTO DE OBLEAS, SISTEMA DE CONTROL Y METODO DE FUNCIONAMIENTO.

(01/06/1996). Solicitante/s: APPLIED MATERIALS, INC.. Inventor/es: MAYDAN, DAN, NULMAN, JAIM.

LA TEMPERATURA DE UN DISCO SEMICONDUCTOR DURANTE EL RECOCIDO DE METALIZACION SE CONTROLA PRECISA E INDIRECTAMENTE SOSTENIENDO EL DISCO EN UN SUSCEPTOR DELGADO DE PODER EMISOR CONSTANTE Y CONTROLANDO LA TEMPERATURA DEL SUSCEPTOR . EL SISTEMA TIENE LA VENTAJA AÑADIDA DE PROPORCIONAR UN CALENTAMIENTO EFICIENTE Y CONTROLADO DEL DISCO MEDIANTE UN CALENTAMIENTO RADIANTE DE LA CARA TRASERA DEL SUSCEPTOR.

PROCEDIMIENTO DE AUTOLIMPIEZA DE CAMARA DE REACTOR.

(16/03/1996). Solicitante/s: APPLIED MATERIALS, INC.. Inventor/es: LAW, KAM SHING, LEUNG, CISSY, TANG, CHING CHEONG, COLLINS, KENNETH STUART, CHANG, MEI, WONG, JERRY YUEN KUI, WANG, DAVID NIN-KOU.

EL INVENTO SE REFIERE A UN PROCESO PARA LIMPIAR UNA CAMARA DE REACTOR TANTO JUNTO A LOS ELECTRODOS DE RADIOFRECUENCIA COMO A TRAVES DE LA CAMARA Y EL SISTEMA DE SALIDA HASTA, E INCLUYENDO, COMPONENTES COMO LA VALVULA DE ESTRANGULACION. PREFERENTEMENTE, SE EMPLEA UNA SECUENCIA DE ATAQUE QUIMICO DE DOS FASES, LA PRIMERA DE LAS CUALES UTILIZA UNA PRESION RELATIVAMENTE ALTA Y GAS DE FLUOROCARBONO PARA LIMPIAR LA CAMARA Y EL SISTEMA DE SALIDA. LAS FASES LOCAL Y EXTENDIDA DE ATAQUE PUEDEN EMPLEARSE TANTO SEPARADA COMO CONJUNTAMENTE.

APARATO OBTURADOR SEPARABLE PARA UNA CAMARA DE PROCESAMIENTO DE SEMICONDUCTORES.

(01/02/1996) LA INVENCION SE REFIERE A UN APARATO OBTURADOR SEPARABLE PARA UN APARATO DE DEPOSITACION O GRABACION QUIMICA QUE INCLUYE UN MECANISMO OBTURADOR DISPUESTO EN EL INTERIOR DE UNA CAMARA DE PROCESAMIENTO Y ADAPTADO PARA SOPORTAR UNA PLACA OBTURADORA ENTRE UNA POSICION RETRAIDA Y UNA POSICION EXTENDIDA EN LA QUE ES ENGANCHADA POR UN DISPOSITIVO ELEVADOR Y MOVIDA A SU SITIO CERRANDO LA ABERTURA DE METALIZACION NORMAL COMO SI FUERA UN SUBSTRATO A SER PROCESADO. CUANDO UN NUEVO SUBSTRATO ESTA PRESENTE PARA SU PROCESAMIENTO, EL MECANISMO ELEVADOR HARA DESCENDER LA PLACA DEL OBTURADOR DE NUEVO SOBRE EL MECANISMO DE OBTURACION Y SERA LLEVADA HASTA SU POSICION RETRAIDA FUERA DEL CAMINO DE LA OPERACION DE PROCESAMIENTO Y MANEJO NORMAL. A CAUSA DE QUE LA PLACA DEL OBTURADOR ES GEOMETRICAMENTE SIMILAR AL SUBSTRATO…

BAÑO QUIMICO FILTRADO DE ALTA PUREZA, CON RECIRCULACION POR UNA CUBA/COLECTOR INTEGRADO DE CUARZO.

(16/01/1996) UN MONTAJE QUIMICO DE RECIRCULACION QUE CONSTA DE UN TANQUE DE PROCESO DE CUARZO Y UNA CAMARA DE SUMIDERO COLOCADA DIRECTAMENTE ADYACENTE AL TANQUE DE PROCESO. UN BARREÑO SE EXTIENDE A LO LARGO DE LA PARTE SUPERIOR DE LAS PAREDES LATERALES DEL TANQUE DE PROCESO, ESTANDO DICHO BARREÑO INCLINADA PARA OCASIONAR EL FLUJO DE GRAVITACION HACIA LA CAMARA DE SUMIDERO . LA CAMARA DE SUMIDERO TIENE UN CONECTOR EN LA PARTE INFERIOR DE LA MISMA QUE LLEVA EL LIQUIDO DEL SUMIDERO A UN CIRCUITO DE BOMBA/FILTRO, CUYA SALIDA ES ALIMENTADA EN EL FONDO DEL TANQUE DE PROCESO . DE ESTA MANERA SE CONSIGUE QUE EL LIQUIDO SE DESBORDE DEL TANQUE DE PROCESO Y ENTRE EN EL BARREÑO Y FLUYA HASTA ENTRAR EN LA CAMARA DE SUMIDERO ADYACENTE . HAY VARIAS UNIDADES TERMICAS COLOCADAS EN LA SUPERFICIE EXTERIOR DEL TANQUE DE PROCESO…

Aparato de enlace a presión para transferir una rebanada semiconductora entre un recipiente transportable estanco a presión y un equipo de tratamiento.

(16/01/1996) Dispositivo de enlace a presión que sirve para la transferencia de una pieza que debe ser tratada en un equipo de tratamiento, desde el interior de un recipiente portátil estanco a presión del tipo constituido por un alojamiento en forma de caja provista de una abertura de acceso hecha estanca por un medio que forma una puerta separable y un medio que forma válvula inyectora de gas , en un ambiente especificado, e inversamente, comprendiendo dicho dispositivo de enlace una sección de entrada/salida única y estando constituido por los elementos siguientes: una estructura en forma de caja que comprende una zona de puerta que define un espacio interior provisto de una abertura (205a) y de una segunda abertura (205'A) opuesta a dicha primera abertura y que comunica con dicho ambiente especificado;…

Aparato de repartición con un sistema de distribución y alimentación de gas para manipular y almacenar recipientes transportables estancos a presión.

(16/12/1995) Dispositivo de repartición dotado de un sistema de distribución de alimentación de gas destinado a la manipulación y al almacenamiento de una multiplicidad de recipientes portátiles estancos a presión del tipo constituido por un alojamiento en forma de caja provista de una abertura de acceso hecha estanca por un medio que forma una puerta separable y por un medio que forma una válvula inyectora de gas , comprendiendo dicho dispositivo: un dispositivo de manipulación automática que comprende; un elemento de base dotado de una cabeza que posee la facultad de girar ; un brazo elevador fijado sobre dicha cabeza que posee la facultad de girar; un robot de manipulación fijado sobre dicho elevador y que comprende un brazo de prolongación y un medio de aprehensión…

Estructuras de cadenas de fabricación a base de transportadores totalmente automatizados e informatizados adaptados a recipientes transportables estancos a presión.

(16/12/1995) Estructuras de cadenas de fabricación basadas en un transportador totalmente automatizadas e informatizadas para el almacenamiento, la manipulación y el transporte de elementos con vistas a su tratamiento en una multiplicidad de equipos de tratamiento , estando instalada dicha cadena de fabricación en un aire ambiente de una limpieza media e incluyendo: a) recipiente portátiles estancos a presión del tipo constituido por un alojamiento en forma de caja provisto de una abertura de acceso hecha estanca por un medio que forma una puerta separable y por un medio que forma una válvula inyectora de gas que encierran una pieza en su recinto, b) un medio que forma transportador , destinado a transportar dicho recipiente, c) un medio que forma una instalación de alimentación…

METODO Y APARATO PARA MANIPULAR DISCOS SEMICONDUCTORES.

(16/12/1995) SE DESCRIBEN UN METODO Y UN APARATO PARA MANEJAR DISCOS SEMICONDUCTORES, UTILIZADOS PARA LA PRODUCCION DE ESTRUCTURAS DE CIRCUITOS INTEGRADOS, QUE PERMITEN EL MOVIMIENTO DEL DISCO DESDE UNA ESTACION O POSICION DE PROCESAMIENTO A OTRA, SIN LA MANIPULACION DIRECTA DEL DISCO , Y QUE TAMBIEN PERMITEN IGUAL PROCESAMIENTO DE LAS SUPERFICIES SUPERIOR Y DE FONDO DEL DISCO . SE DESCRIBE UN UN ANILLO DE RETENCION DEL DISCO , QUE DISPONE DE MEDIO PARA ACOPLAR EL ANILLO DE RETENCION PARA TRANSFERIR EL DISCO Y EL ANILLO DE RETENCION DESDE UNA ESTACION DE PROCESAMIENTO A OTRA, PARA EJECUTAR UNA PLURALIDAD DE FASES DEL PROCESAMIENTO SOBRE UNA O SOBRE AMBAS SUPERFICIES DEL DISCO, SIN LA…

PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA EL RECOCIDO DE SEMICONDUCTORES.

(16/09/1995) ESTE INVENTO SE DIRIGE A LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES, ESPECIALMENTE LOS QUE COMPRENDEN MATERIALES SEMICONDUCTORES DE COMPUESTOS III-V Y II-VI, E INCLUYE EL RECOCIDO, ESPECIALMENTE EL RECOCIDO TERMICO RAPIDO (RTA), DE PLAQUITAS SEMICONDUCTORAS, ESPECIALMENTE LAS APLICADAS CON IMPURIFICANTE. EL INVENTO TRATA TAMBIEN DE UNA APLICACION DE CAJA NEGRA UTILIZADA EN COMBINACION CON EL RTA. EL PROCESO COMPRENDE EL ENCIERRE DE UNA PLAQUITA QUE SE VA A RECOCER, DENTRO DE UNA "CAJA NEGRA" QUE CONTIENE COMPONENTES DE UN MATERIAL DE CUERPO NEGRO, Y EL SOMETIMIENTO DE LA CAJA NEGRA CON LA PLAQUITA EN SU INTERIOR A UN RTA. EN UNA REALIZACION PREFERENTE, EL RTA COMPRENDE…

APARATO Y METODO PARA EL MANEJO DE DISPOSITIVOS EMPAQUETADOS.

(16/09/1995). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: KNEPPER, JONATHAN DAVID, MASAVAGE, GERALD JAMES, SOLOMON, PHILLIP ANTHONY.

SE DESCRIBE UN METODO Y APARATO PARA LA CARGA DE PAQUETES DE CIRCUITOS INTEGRADOS EN PAQUETES DE TRANSPORTE. ES UN MECANISMO DE COGER-Y-COLOCAR (E.G.,107) MONTADO SOBRE UNA MESA ABATIBLE (E.G.,101). LOS PAQUETES (E.G.,13) Y LOS PORTADORES (E.G.,11) SE ABATEN SOBRE EL MECANISMO DE COGER-Y-COLOCAR (E.G.,107) BAJO LA INFLUENCIA DE LA GRAVEDAD. EL MECANISMO DE COGER-Y-COLOCAR (E.G.,107) COMBINA LOS PAQUETES (E.G.,13) Y LOS PORTADORES (E.G.,13). LAS COMBINACIONES DE PAQUETES/PORTADORES BASCULAN ALEJANDOSE DEL MECANISMO DE COGER-Y-COLOCAR (E.G.,107).

DISPOSITIVO DE TRANSFERENCIA DE PLACAS, PARTICULARMENTE DE PLACAS DE SILICIO.

(01/09/1995) LA INVENCION SE REFIERE A UN DISPOSITIVO DE TRANSFERENCIA DE PLACAS DE UN SOPORTE DE ORIGEN HACIA UN SOPORTE DE DESTINO, COMPRENDIENDO EL SOPORTE DE ORIGEN MEDIOS DE POSICIONADO QUE PERMITEN DISPONER LAS PLACAS AISLADAMENTE UNAS RESPECTO DE OTRAS SEGUN UNA SEPARACION DETERMINADA Y TRANSVERSALMENTE ENTRE DOS CARAS ABIERTAS DEL SOPORTE DE ORIGEN, COMPRENDIENDO EL SOPORTE DE DESTINO MEDIOS DE POSICIONADO QUE PERMITEN DISPONER LAS PLACAS AISLADAMENTE UNAS RESPECTO DE OTRAS A PARTIR DE UNA CARA ABIERTA SEGUN UNA SEPARACION IDENTICA O DIFERENTE DE LA DEL SOPORTE DE ORIGEN, COMPRENDIENDO EL DISPOSITIVO MEDIOS GUIA DE LAS PLACAS DISPUESTOS ENTRE UNA DE LAS DOS CARAS ABIERTAS DEL SOPORTE DE ORIGEN Y LA CARA ABIERTA DEL SOPORTE DE DESTINO, CARACTERIZADO EN QUE COMPRENDE ADEMAS…

ALINEACION DE OBJETOS SOBRE LOS QUE ACTUAR MEDIANTE REGISTRADORES DE VIDEO.

(01/11/1994). Solicitante/s: MPM CORPORATION. Inventor/es: FREEMAN, GARY T.

SISTEMA DE ALINEACION QUE INCLUYE UN OBJETO SOBRE EL QUE SE VA A ACTUAR EN UBICACIONES PREDETERMINADAS, COMO UNA PLACA DE CIRCUITO QUE RECIBE PASTA DE SOLDADURA. SE USA UN DISPOSITIVO, COMO PUEDE SER UNA MATRIZ CON UN MODELO CARACTERISTICO QUE ACTUA SOBRE EL OBJETO. SE PREPARA UN REGISTRADOR DE VIDEO DIRIGIDO AL DISPOSITIVO Y AL OBJETO PARA QUE PROPORCIONE SEÑALES DE IMAGENES REPRESENTATIVAS DE AMBOS. UN COMPARADOR SE ENCARGA DE COMPARAR LAS SEÑALES DE LAS IMAGENES A FIN DE OBTENER UNA SEÑAL DE ERROR REPRESENTATIVA DE LA DESALINEACION ENTRE EL DISPOSITIVO Y EL OBJETO. UN POSICIONADOR SENSIBLE A LA SEÑAL DE ERROR POSICIONA RELATIVAMENTE EL DISPOSITIVO Y EL OBJETO PARA REDUCIR EL ERROR. UN OPERADOR SE ENCARGA DE QUE EL DISPOSITIVO ACTUE SOBRE EL OBJETO EN LAS UBICACIONES PREDETERMINADAS.

TRATAMIENTO DE OBLEAS SEMICONDUCTORAS.

(01/04/1994). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY. Inventor/es: FELDMAN, MARTIN.

UN MANGUITO PARA MANTENER UNA PIEZA (TAL COMO UNA LAMINA DE SEMICONDUCTOR) EN EL VACIO QUE COMPRENDE UNA SUPERFICIE CURVADA . EMPALMANDO LOS EJES DE LA PIEZA Y MANTENIENDO SU PARTE POSTERIOR CONTRA LA SUPERFICIE CURVADA LA PARTE FRONTAL DE LA MISMA PUEDE SER ESTABLECIDA EN UNA RELACION EQUIDISTANTE PRECISA CON RESPECTO A LA SUPERFICIE DE REFERENCIA. ESTE MANGUITO ES ADECUADO PARA MANTENER LAMINAS QUE VAN A SER LITOGRAFIADAS EN ALTA RESOLUCION POR UN HAZ DE ELECTRONES, UNA HAZ DE IONES O UN HAZ DE RAYOS X.

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES QUE TIENEN INTERCONECTORES DE METAL MULTINIVEL.

(01/04/1994). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY. Inventor/es: COCHRAN, WILLIAM T., HILLS, GRAHAM W., GARCIA, AGUSTIN M., YEH, JENN L.

SE DESCRIBE UNA DISPOSICION METALICA AUTOALINEADA, AUTOPLANAR DE INTERCONEXIONES MULTINIVEL QUE USA UNAS VENTANAS AUTOALINEADAS DE CIRCUITOS INTEGRADOS. LAS TRINCHERAS SE GRABAN DENTRO DE UN DIELECTRICO Y ENTONCES, USANDO UNA CAPA DE PARADA DEL GRABADO SOBRE EL TECHO DEL DIELECTRICO SE PREVIENE EL GRABADO NO DESEADO DEL DIELECTRICO, LAS VENTANAS AUTOALINEADAS QUE EXPONEN LAS PORCIONES DE SUBSTRATO SE GRABAN EN EL DIELECTRICO . LAS VENTANAS AUTOALINEADAS SE PUEDEN FORMAR TAMBIEN SIN UNA MASCARA.

PROCEDIMIENTO PARA RECONOCER LA POSICION ESPACIAL Y ORIENTACION DE CUERPOS ANTERIORMENTE CONOCIDOS.

(01/03/1994) EL METODO CONOCIDO DE RECONOCIMIENTO DE MUESTRAS MEDIANTE EL TRATAMIENTO DE IMAGEN GRIS LLEGA A SUS LIMITES EN ALGUNOS DE LAS APLICACIONES INDUSTRIALES DE HOY. YA ES USUAL LA APLICACION DEL PROCEDIMIENTO DE TRIANGULACION Y EL USO DE SENSORES 3D Y ESCANERS LASER. CON ELLO SE PRODUCEN DATOS DE IMAGENES TRIDIMENSIONALES. PARA RECONOCER LA POSICION Y LA ORIENTACION DE UN CUERPO CUALQUIERA ANTERIORMENTE CONOCIDO RESPECTO AL SISTEMA DE COORDENADAS GENERAL CARTESIANO (X, Y, Z) ESTE INVENTO UTILIZA CRITERIOS DE EVALUACION QUE SIEMPRE SE BASAN EN UNA MULTITUD DE PUNTOS EXISTENTES Y POR LO TANTO DEPENDEN DE MEDICIONES ERRONEAS INDIVIDUALES.…

PROCEDIMIENTO PARA IDENTIFICAR LA SITUACION Y LA ORIENTACION BIDIMENSIONALES DE CUERPOS PREVIAMENTE CONOCIDOS.

(01/03/1994). Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: BRENDES, MARTIN, DIPL.-ING., DOEMENS, GUNTER, DR. ING., MENGEL, PETER, DR. RER. NAT.

EN LA LECTURA DE PATRONES EN EL CAMPO INDUSTRIAL SE UTILIZAN SOBRE TODO PROCEDIMIENTOS DE EVALUACION DE IMAGENES TRIDIMENSIONALES. LOS MISMOS SE USAN TAMBIEN PARA REALIZAR TRABAJOS DE LECTURA SIMPLES, QUE SOLO ANALIZAN LA SITUACION Y LA ORIENTACION EN EL PLANO DE CUERPOS CON FORMA CONOCIDA . POR LA LIMITACION DE LOS GRADOS DE LIBERTAD SOLO HAY COMO POSIBLES VARIABLES LAS DOS COORDENADAS DE UN PLANO Y UN ANGULO GIRATORIO QUE INDICA UN GIRO DEL CUERPO CONOCIDO DENTRO DEL PLANO. DE LA INTERSECCION CON UN VOLUMEN PRIMITIVO , ESPECIALMENTE UN CILINDRO CIRCULAR, SE OBTIENEN LINEAS DE INTERSECCION QUE PUEDEN APLICARSE COMO CRITERIOS DE COMPARACION ENTRE UN OBJETO DE MEDICION Y UNA SITUACION DE REFERENCIA. LAS LINEAS DE INTERSECCION TIENEN FORMA CONSTANTE Y SE REPRESENTAN SOLAMENTE EN DEPENDENCIA DEL ANGULO GIRATORIO.

TECNICA PARA USAR EN LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES QUE TIENEN CARACTERISTICAS SUBMICRO.

(01/03/1994). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY. Inventor/es: FEYGENSON, ANATOLY.

SE OBTIENE RESOLUCION SUBMICRO EN LA FABRICACION DE TRANSISTORES UTILIZANDO TECNICAS DE PARED LATERAL. EN LA TECNICA DESCRITA SE FORMA UNA ABERTURA CON UN ESPACIADOR DE PARED LATERAL DE NITRURO DE SILICIO EN UNA CAPA . SE FORMA OXIDO EN LA ABERTURA Y LUEGO EL ESPACIADOR DE PARED LATERAL SE ELIMINA PARA FORMAR UNA ABERTURA ANULAR, QUE PUEDE SER DE UNA AMPLITUD PEQUEÑA Y CONTROLADA CON PRECISION. LUEGO LA ABERTURA SE USA COMO UNA DEFENSA PARA POSTERIOR MODIFICACION DEL SUBSTRATO POR DIFUSION O IMPLANTACION DE IONES.

PROCESO Y MAQUINARIA PARA DEPOSICION CONTINUA EN VACIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS DE MATRIZ EN FORMA DE FINA Y EXTENSA PELICULA SOBRE RECIPIENTES DE CRISTAL MONOLITICO A TRAVES DE MASCARAS DE METAL PERFORADAS.

(01/02/1994). Solicitante/s: ENICHEM S.P.A.. Inventor/es: TIZABI, DJAMSHID, FISHER, ALBERT G.

LA DIRECCION DE LOS APARATOS DE CRISTAL LIQUIDO PARA TV POR MEDIO DE UNA MATRIZ ACTIVA TAL Y COMO SE DESCRIBEN POR A.G. FISHER EN LA PATENTE VS-3.840.695 PUEDE EXTENDERSE A LOS PANELES MONOLITICOS DE FORMA CUADRADA, UTILIZADOS TAMBIEN EN TV. EL CIRCUITO ELECTRONICO DE MATRIZ EN FORMA DE FINA Y EXTENSA PELICULA NECESARIO PARA DIRIGIR LA CAPA DE CRISTAL LIQUIDO PUEDE SER DEPOSITADA EN VACIO A PARTIR DE UN EVAPORADOR MULTIPLE CONTENIDO EN UN CRISTAL, A TRAVES DE VARIAS MASCARAS DE METAL PERFORADAS POR FINOS AGUJEROS QUE SON SOSTENIDAS POR UN RETICULO ELEGIDO DEL CRISTAL, DE TAL FORMA QUE SE ENFRENTAN EXACTAMENTE A OTROS RETICULOS ADYACENTES. EL CRISTAL DEBE TENER UNA PRECISION DE MOVIMIENTO PASO A PASO EN LAS DIRECCIONES X E Y PARA DEPOSITAR REPETIDAMENTE EN EL LUGAR EXACTO.

DISPOSITIVO DE SOPORTE Y TRANSPORTE PARA UNA OBLEA SEMICONDUCTORA.

(16/01/1994) PARA EL TRATAMIENTO DE CUERPOS EN FORMA DE DISCO, ESPECIALMENTE DE DISCOS SEMICONDUCTORES EN UNA INSTALACION DE VACIO, ESTOS DEBEN TRANSPORTAR Y DEPOSITARSE ENTRE LAS ESTACIONES. UN DISCO SE APOYA EN SU BORDE CON DOS BRAZOS DE SOPORTE CON DOS DEDOS CADA UNO Y SUPERFICIE DE APOYO EN LOS EXTREMOS DE LOS DEDOS EN CUATRO PARTES REPARTIDAS POR EL PERIMETRO DEL DISCO . CON EL FIN DE DISMINUIR O AGRANDECER LA DISTANCIA ENTRE LOS BRAZOS DE SOPORTE AL RECOGER O LIBERAR EL DISCO, AMBOS BRAZOS CON FIJADOS EN UNA UNIDAD DE CILINDRO/EMBOLO . ALLI SE MUEVE EL CILINDRO DE FORMA RELATIVA AL EMBOLO FIJO . AMBOS EXTREMOS DEL EMBOLO SON FIJADOS, UNO EN FRENTE DEL OTRO, EN UN EJE DE GIRO QUE VA VERTICALMENTE A LOS EJES DE LOS CILINDROS CON LOS QUE SE PUEDEN GIRAR LAS DOS UNIDADES DE CILINDRO/EMBOLO CON LOS BRAZOS DE SOPORTE DE UNA ESTACION…

DISPOSITIVO SUJETADOR PARA UN DISCO, Y APLICACION DE ESTE DISPOSITIVO.

(01/01/1994). Solicitante/s: BALZERS AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: MOLL, EBERHARD, DR., ZANARDO, RENZO.

ESTE DISPOSITIVO SUJETADOR PARA DISCOS SEMICONDUCTORES (WAFER) ORIENTA Y ASEGURA EL DISCO DURANTE EL TRANSPORTE A LA POSICION DE MECANIZADO, PERO PUEDE PASAR FACILMENTE A UNA POSICION LIBRE DE LA SUPERFICIE SUPERIOR DE MECANIZADO, O BIEN ASEGURA LA POSICION WAFER CON AYUDA DE UN ANILLO QUE PERMANECE EN LA POSICION DE FUNCIONAMIENTO. DE ESTE MODO LA SUPERFICIE DEL DISCO FUNCIONA POR COMPLETO O CON UNA MINIMA PERDIDA DE RENDIMIENTO, Y AL MISMO TIEMPO LA MECANICA DE TRANSPORTE ESTA PROTEGIDA PARA UN OPTIMO CUMPLIMIENTO DE SUS FUNCIONES, COMO POR EJEMPLO EL RECUBRIMIENTO POR CAPAS O LA CAUTERIZACION. TODAS LAS PARTES QUE FUNCIONAN PERMANENTEMENTE PUEDEN CAMBIARSE CON FACILIDAD. EN CASO DE QUE EL DISCO SE QUEDE CLAVADO EN LA ESTACION DE MECANIZADO, SE ARRANCA MEDIANTE UN MECANISMO DE SEGURIDAD DE TRANSPORTE EN FORMA DE LLAVE.

METODO DE FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.

(16/08/1993). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN. Inventor/es: JOSQUIN, WILHELMUS J.M.J.

DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR QUE CONSTA DE UN CIRCUITO CON UNA PRIMERA Y UNA SEGUNDA ZONAS DE ELECTRODOS DE CONDUCTIVIDAD OPUESTA. EL ADULTERANTE PARA LA SEGUNDA ZONA DE ELECTRODO VA EN EL CUERPO DEL SEMICONDUCTOR A TRAVES DE UNA ABERTURA EN UNA CAPA DE ENMASCARAMIENTO , ABERTURA QUE SE REDUCE MEDIANTE BORDES DE MATERIAL DE PASIVACION. LA SEGUNDA ZONA DE ELECTRODO ESTA CONECTADA A UNA CAPA CONDUCTORA QUE SE EXTIENDE A TRAVES DE LA CAPA Y LOS BORDES HASTA LA ABERTURA DE TAMAÑO REDUCIDO. ESTA PUEDE DERIVARSE DE LA ABERTURA DE ADULTERACION SIN TOMAR EN CUENTA UNA TOLERANCIA DE ALINEAMIENTO. PREFERIBLEMENTE, LA CAPA COMPRENDERA UN PATRON DE MATERIAL CONDUCTOR ELECTRICO DE GEOMETRIA CERRADA QUE RODEA TOTALMENTE LA ABERTURA.

MESA ELEVADORA Y PROCEDIMIENTO DE TRANSPORTE.

(01/07/1993) LA MESA ELEVADORA TIENE UN APOYO PARA LA PIEZA A TRABAJAR QUE SUBE Y BAJA Y ES GUIADA EN UNA CARCASA, CON EL CUAL SE PUEDE TRANSPORTAR UNA PIEZA EN FORMA DE DISCO A UNA CAMARA DE TRATAMIENTO DE UNA INSTALACION AL VACIO. PARA PODER CORREGIR LA POSICION DE LA PIEZA PUESTO SOBRE EL APOYO POR UNA MAQUINA, ASI COMO PARA ASEGURAR LA PIEZA DURANTE EL TRANSPORTE SIRVEN ELEMENTOS DE SUJECION QUE SE ENCUENTRAN EN AMBOS LADOS DE LA MESA ELEVADORA . ESTOS SE COMPONEN DE UNA BARRA EN EL EXTREMO DE UN SALIENTE QUE ESTA FIJADO EN UN EJE MONTADO EN LA MESA ELEVADORA DE FORMA GIRATORIA QUE SE GIRA DENTRO DE UN CAMPO DE GIRO MEDIANTE UN MOTOR PARA MOVER EL ELEMENTO DE SUJECION EN UNA DE SUS DOS POSIBLES POSICIONES. CON DOS ELEMENTOS DE SUJECION MONTADOS…
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