SISTEMA DE REACTOR TERMICO RESISTENTE A LA PRESION PARA PROCESAR SEMICONDUCTORES.

EL DESCUBRIMIENTO ES RELATIVO UN SISTEMA (100) DE REACTOR TERMICO PARA PROCESAR SEMICONDUCTORES,

EL CUAL INCORPORA UNA VASIJA DE REACCION (104) CON UN TUBO DE CUARZO (110) RECTANGULAR CON UN ESCUDETE (111-115) DE CUARZO PARALELO REFORZANDOLO. LOS ESCUDETES HABILITAN UN SUB-AMBIENTE DE PRESION DE PROCESO, MIENTRAS QUE LOS TUBOS RECTANGULARES MAXIMIZAN EL FLUJO DE GAS REACTIVO, UNIFORMEMENTE SOBRE EL SUSTRATO QUE SE PROCESA. LOS ESCUDETES FACILITAN EL ENFRIAMIENTO EFECTIVO, MIENTRAS QUE IMPARTEN MINIMAMENTE CALENTAMIENTO DESDE LA VASIJA, PERMITIENDO ESPESORES MINIMOS DE LA PARED. EL SISTEMA DE REACTOR TERMICO INCLUYE ADICIONALMENTE UNA FUENTE (102) PARA SUMINISTRAR GAS REACTIVO Y UN SISTEMA (106) DE MANEJO DE LA EXPULSION PARA ELIMINAR LOS GASES AGOTADOS DE LA VASIJA DE REACCION Y ESTABILIZAR LA PRESION EN ELLA. UNA SERIE ORDENADA DE LAMPARAS (136) INFRARROJAS SE EMPLEA PARA RADIAR ENERGIA A TRAVES DEL TUBO DE CUARZO; LAS LAMPARAS ESTAN DISPUESTAS ESCALONADAS EN RELACION A LOS ESCUDETES DE CUARZO PARA MINIMIZAR EL APANTALLAMIENTO. ADICIONALMENTE, SE DESCUBREN OTRAS GEOMETRIAS DE VASIJAS NO CILINDRICAS PROTEGIDAS, LAS CUALES SE PROVEEN PARA MEJORAR EL SUB-AMBIENTE DE PRESION TERMICA PROCESANDO SUSTRATOS DE SEMICONDUCTORES.FIG 1.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: APPLIED MATERIALS, INC..

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 3050 BOWERS AVENUE,SANTA CLARA CALIFORNIA 95051.

Inventor/es: ADAMS, DAVID VINCENT, ANDERSON, ROGER NORMAN, DEACON, THOMAS EUGENE.

Fecha de Publicación: 1 de Julio de 1996.

Fecha Concesión Europea: 20 de Marzo de 1996.

Clasificación Internacional de Patentes:

C23C16/44 QUIMICA; METALURGIA. › C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL. › C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04). › C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00). › caracterizado por el proceso de revestimiento (C23C 16/04 tiene prioridad).
C23C16/46 C23C 16/00 […] › por la forma de calentar el sustrato (C23C 16/48, C23C 16/50 tienen prioridad).
H01L21/00 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.

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