CANALETA DE INTERCONEXION MECANICA ESTANDARIZADA (SMIF).

UNA CANALETA DE INTERCONEXION MECANICA ESTANDARIZADA (SMIF) PARA UTILIZAR EN CONJUNCION CON SISTEMAS SMIF.

LA CANALETA ES UTILIZADA PARA TRANSPORTAR UN ARTICULO, COMO LAMINAS SEMICONDUCTORAS O SIMILAR, ENTRE LOCALIZACIONES COMO ESTACIONES PROCESADORAS DE SMIF. LA CANALETA INCLUYE UNA CAJA QUE TIENE UN EXTREMO ABIERTO Y UNA PUERTA DE CAJA QUE SE UNE A MODO DE SELLAJE Y QUE CIERRA EL EXTREMO ABIERTO. LA CAJA CONTIENE UN PORTADOR EXTRAIBLE QUE SE ALOJA EN LA PUERTA DE CAJA Y QUE TIENE UN LADO ABIERTO PARA LA INSERCION Y EXTRACCION DE LOS ARTICULOS. LA CANALETA POSEE UN MECANISMO DE ENGANCHE EN LA PUERTA DE LA CAJA QUE UTILIZA UNA RUEDA DE ESTRELLA CON PUNTAS QUE ROTAN Y QUE SE EXTIENDEN HACIA FUERA DESDE UNAS RANURAS EN LA PUERTA DE LA CAJA Y QUE SE INTRODUCEN EN RANURAS EN EL INTERIOR DE LAS PAREDES LATERALES DE LA CAJA. LAS PUNTAS SE MUEVEN ENTONCES VERTICALMENTE HACIA ABAJO, PARA UNIR A MODO DE SELLAJE LA PUERTA DE CAJA A LA CAJA. LA RUEDA DE ESTRELLA ABRAZA UN REBORDE DE LEVA CONCENTRICO QUE TIENE UNA SUPERFICIE DE LEVA ANGULADA, UNIDA POR HORQUILLAS DE PIEZAS IMPULSADAS DE LEVA QUE SE EXTIENDEN RADIALMENTE HACIA DENTRO DESDE LA RUEDA DE ESTRELLA. ESTA ESTA CONFIGURADA Y POSICIONADA EN LA PUERTA DE CAJA, DE FORMA QUE UNA ROTACION PARCIAL ROTA LAS PUNTAS DESDE EL INTERIOR DE LA CAJA PARA EXTENDERSE HACIA FUERA DE LAS RANURAS. EN EL PUNTO DE EXTENSION, UN TOPE LIMITA MAS AUN LA ROTACION DE LA RUEDA DE ESTRELLA, CAUSANDO QUE LAS PIEZAS IMPULSADAS DE LEVA SIGAN A LA SUPERFICIE DE LEVA AL SER EL REBORDE DE LEVA ROTADO MAS ALLA, DESPLAZANDO LA RUEDA DE ESTRELLA HACIA ABAJO, CAUSANDO ASI UNA UNION DE LAS PUNTAS CON LAS RANURAS EN LA CAJA Y DESPLAZANDO LA PUERTA DE CAJA HACIA ABAJO PARA UNIR A MODO DE SELLAJE ESTA CON LA CAJA. UN PAR DE VALVULAS DE UNA SOLA DIRECCION PURGAN EL INTERIOR DE LA CANALETA. UN BRAZO DE ALINEACION PIVOTA A MODO DE BALANCIN DESDE LA PARTE SUPERIOR INTERNA DE LA CAJA. EL BRAZO DE ALINEACION TIENE UN DEDO DE UNION QUE UNE LA PARTE SUPERIOR DEL PORTADOR A UNA PARTE DE RETENCION QUE SE EXTIENDE EN FRENTE DEL LADO ABIERTO DEL MISMO; AL SER ELEVADO EL PORTADOR DE LAMINAS JUNTO CON LA PUERTA DE CAJA HASTA LA CAJA, EL DEDO CONECTA LA PARTE SUPERIOR DEL PORTADOR PARA BALANCEAR LA PARTE DE RETENCION ENFRENTE DEL LADO ABIERTO DEL PORTADOR, PARA SUJETAR LAS LAMINAS EN SU SITIO. EL BRAZO DE ALINEACION SE BALANCEA MEDIANTE UN SEGMENTO FLEXIBLE, ELIMINANDO EL RALLADO O FROTADO DE LAS PARTES.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: FLUOROWARE, INC.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 102 JONATHAN BOULEVARD NORTH,CHASKA, MN 55318.

Inventor/es: WILLIAMS, RANDALL S., CHEESEBROW, NICHOLAS T.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 1 de Abril de 1998.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • B65B69/00 TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES.B65 TRANSPORTE; EMBALAJE; ALMACENADO; MANIPULACION DE MATERIALES DELGADOS O FILIFORMES.B65B MAQUINAS, APARATOS, DISPOSITIVOS O PROCEDIMIENTOS DE EMBALAJE DE OBJETOS O MATERIALES; DESEMBALAJE (dispositivos para la colocación en paquetes y el prensado de puros A24C 1/44; dispositivos para tensar y fijar ataduras adaptadas para ser soportadas por el objeto u objetos a fijar B25B 25/00; colocación de cierres en botellas, tarros o recipientes análogos B67B 1/00 - B67B 6/00; limpieza, llenado y cierre simultáneo de botellas B67C 7/00; vaciado de botellas, jarras, latas, cubas, barriles o contenedores similares B67C 9/00). › Desembalaje de objetos o materiales, no previstos en otro lugar.
  • H01L21/00 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.

Patentes similares o relacionadas:

Procedimiento y dispositivo para la realización del test de obleas de semiconductor por medio de un dispositivo de fijación atemperable, del 1 de Julio de 2020, de ERS ELECTRONIC GMBH: Procedimiento para la realización del test de obleas de semiconductor por medio de un dispositivo de fijación atemperable con las etapas: atemperado del dispositivo […]

Conjunto de sensores con zona(s) antidifusión para prolongar el periodo de caducidad, del 5 de Noviembre de 2019, de SIEMENS HEALTHCARE DIAGNOSTICS INC.: Un conjunto de sensores que comprende: un primer sustrato plano , teniendo el primer sustrato plano una primera superficie plana del primer […]

Procedimiento para fabricar piezas con superficie grabada por iones, del 8 de Marzo de 2019, de Oerlikon Surface Solutions AG, Pfäffikon: Un procedimiento para fabricar piezas, estando al menos una parte de la superficie de dichas piezas grabada, incluyendo el grabado por impacto de iones, que comprende: […]

Método mejorado para el grabado de microestructuras, del 3 de Octubre de 2018, de Memsstar Limited: Método para grabar una o más microestructuras ubicadas dentro de una cámara de proceso , comprendiendo el método las etapas siguientes: […]

MÉTODO Y SISTEMA PARA PRODUCIR GRAFENO SOBRE UN SUBSTRATO DE COBRE POR DEPOSICIÓN DE VAPORES QUÍMICOS (AP-CVD) MODIFICADO, del 25 de Enero de 2018, de UNIVERSIDAD TÉCNICA FEDERICO SANTA MARÍA: Un método y sistema para producir grafeno sobre un substrato de cobre por deposición de vapores químicos (AP-CVD) modificado; que, comprende: […]

Matrices de micropartículas y procedimientos de preparación de las mismas, del 19 de Julio de 2017, de BIOARRAY SOLUTIONS LTD: Un biochip, que comprende: un sustrato de oblea de semiconductor (L1) que tiene al menos una matriz de perlas dentro de regiones de chip delineadas […]

Fotodiodo PIN de alta velocidad con respuesta incrementada, del 30 de Noviembre de 2016, de PICOMETRIX, LLC: Un fotodiodo PIN que comprende: una primera capa semiconductora tipo p; una capa semiconductora tipo n; una segunda capa semiconductora […]

Instalación para el tratamiento en vacío de sustratos, del 12 de Octubre de 2016, de H.E.F: Instalación para el tratamiento en vacío de sustratos (S) compuesta de varios módulos, caracterizada por el hecho de que: - los diferentes […]

Utilizamos cookies para mejorar nuestros servicios y mostrarle publicidad relevante. Si continua navegando, consideramos que acepta su uso. Puede obtener más información aquí. .