PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA EL RECOCIDO DE SEMICONDUCTORES.
ESTE INVENTO SE DIRIGE A LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES,
ESPECIALMENTE LOS QUE COMPRENDEN MATERIALES SEMICONDUCTORES DE COMPUESTOS III-V Y II-VI, E INCLUYE EL RECOCIDO, ESPECIALMENTE EL RECOCIDO TERMICO RAPIDO (RTA), DE PLAQUITAS SEMICONDUCTORAS, ESPECIALMENTE LAS APLICADAS CON IMPURIFICANTE. EL INVENTO TRATA TAMBIEN DE UNA APLICACION DE CAJA NEGRA UTILIZADA EN COMBINACION CON EL RTA. EL PROCESO COMPRENDE EL ENCIERRE DE UNA PLAQUITA (1) QUE SE VA A RECOCER, DENTRO DE UNA "CAJA NEGRA" QUE CONTIENE COMPONENTES (10, 11, 12) DE UN MATERIAL DE CUERPO NEGRO, Y EL SOMETIMIENTO DE LA CAJA NEGRA CON LA PLAQUITA EN SU INTERIOR A UN RTA. EN UNA REALIZACION PREFERENTE, EL RTA COMPRENDE (A) UNA FASE DE PRE-RECOCIDO QUE INCLUYE EL CALENTAMIENTO A UNA TEMPERATURA Y DURANTE UN PERIODO DE TIEMPO SUFICIENTE PARA PRECALENTAR LA PLAQUITA PARA REDUCIR EL CHOQUE TERMICO DEBIDO A UNA FASE PRINCIPAL DE RECOCIDO, (B) LA FASE PRINCIPAL DE RECOCIDO, QUE SE REALIZA A UNA TEMPERATURA Y DURANTE UN PERIODO DE TIEMPO SUFICIENTE PARA ELIMINAR EL DAÑO OCASIONADO A DICHA SUPERFICIE POR LA APLICACION DEL IMPURIFICANTE Y PARA ACTIVAR EL IMPURIFICANTE APLICADO, Y (C) UNA FASE DE POSRECOCIDO REALIZADA A UNA TEMPERATURA Y DURANTE UN PERIODO DE TIEMPO SUFICIENTE PARA ELIMINAR LAS TENSIONES QUE PUEDEN DERIVARSE DE LA FASE DE RECOCIDO PRINCIPAL. EL USO COMBINADOS DE RTA Y DE LA CAJA NEGRA LLEVA A QUE LAS PLAQUITAS SE LIBEREN PRACTICAMENTE DE LINEAS DE FALLAS Y QUEDEN CON ALTAS MOVILIDADES REPRODUCIBLES Y ACTIVACION UNIFORME.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: AT&T CORP..
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 32 AVENUE OF THE AMERICAS,NEW YORK, NY 10013-2412.
Inventor/es: SINGH, SHOBHA, ZYDZIK, GEORGE J., GRIM, KAREN A., SCHWARTZ, BERTRAM, VAN UITERT, LEGRAND G.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 12 de Julio de 1995.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/00 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
- H01L21/324 H01L […] › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Tratamiento térmico para modificar las propiedades de los cuerpos semiconductores, p. ej. recocido, sinterización (H01L 21/20 - H01L 21/288, H01L 21/302 - H01L 21/322 tienen preferencia).
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