BAÑO QUIMICO FILTRADO DE ALTA PUREZA, CON RECIRCULACION POR UNA CUBA/COLECTOR INTEGRADO DE CUARZO.

UN MONTAJE QUIMICO DE RECIRCULACION QUE CONSTA DE UN TANQUE DE PROCESO DE CUARZO (11) Y UNA CAMARA DE SUMIDERO COLOCADA DIRECTAMENTE ADYACENTE AL TANQUE DE PROCESO.

UN BARREÑO (54) SE EXTIENDE A LO LARGO DE LA PARTE SUPERIOR DE LAS PAREDES LATERALES DEL TANQUE DE PROCESO, ESTANDO DICHO BARREÑO (54) INCLINADA PARA OCASIONAR EL FLUJO DE GRAVITACION HACIA LA CAMARA DE SUMIDERO (21). LA CAMARA DE SUMIDERO (21) TIENE UN CONECTOR (27) EN LA PARTE INFERIOR (21) DE LA MISMA QUE LLEVA EL LIQUIDO DEL SUMIDERO A UN CIRCUITO DE BOMBA/FILTRO, CUYA SALIDA ES ALIMENTADA EN EL FONDO DEL TANQUE DE PROCESO (11). DE ESTA MANERA SE CONSIGUE QUE EL LIQUIDO SE DESBORDE DEL TANQUE DE PROCESO (11) Y ENTRE EN EL BARREÑO (54) Y FLUYA HASTA ENTRAR EN LA CAMARA DE SUMIDERO ADYACENTE (21). HAY VARIAS UNIDADES TERMICAS (19) COLOCADAS EN LA SUPERFICIE EXTERIOR DEL TANQUE DE PROCESO (11) PARA CALENTAR EL LIQUIDO QUE SE ENCUENTRA DENTRO A UNA TEMPERATURA DE PROCESO ADECUADA. LA CAMARA DE SUMIDERO (21) SE ENFRIA DE MODO QUE EL LIQUIDO QUE ENTRA EN LA BOMBA/FILTRO ESTE A LA TEMPERATURA MAS FRIA DEL CICLO DE FLUJO DEL LIQUIDO. EL TANQUE DE PROCESO (11) Y LA CAMARA DE SUMIDERO (21) PUEDEN ESTAR HECHAS EN SU TOTALIDAD DE PLANCHAS DE CUARZO SOLDADAS Y MOLDEADAS Y COLOCADAS DENTRO DE LA CAJA EXTERIOR QUE CONTIENE EL AISLAMIENTO TERMICO.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: BERMAN, ALLAN.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 1295 FORGEWOOD AVENUE,SUNNYVALE, CA 94089.

Inventor/es: BERMAN, ALLAN.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 21 de Junio de 1990.

Fecha Concesión Europea: 13 de Septiembre de 1995.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • B08B3/04 TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES.B08 LIMPIEZA.B08B LIMPIEZA EN GENERAL; PREVENCION DE LA SUCIEDAD EN GENERAL (cepillos A46; dispositivos para limpieza del hogar o análogos A47L; separación de partículas sólidas de líquidos o gases B01D; separación de sólidos B03, B07; pulverización o aplicación de líquidos u otros materiales fluidos sobre superficies en general B05; dispositivos de limpieza para transportadores B65G 45/10; operaciones combinadas de lavado, llenado y cierre de botellas B67C 7/00; inhibición de la corrosión o de la incrustación en general C23; limpieza de calles, de vías férreas, de playas o de terrenos E01H; partes constitutivas, detalles o accesorios de piscinas para nadar o para chapotear especialmente adaptados a la limpieza E04H 4/16; protección contra las cargas electrostáticas o supresión de estas cargas H05F). › B08B 3/00 Limpieza mediante procedimientos que implican la utilización o la presencia de un líquido o de vapor de agua (B08B 9/00 tiene prioridad). › Limpieza que implica el contacto con un líquido.
  • C23F1/08 QUIMICA; METALURGIA.C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.C23F LEVANTAMIENTO NO MECANICO DE MATERIAL METALICO DE LAS SUPERFICIES (trabajo del metal por electroerosión B23H; despulido por calentamiento a la llama B23K 7/00; trabajo del metal por láser B23K 26/00 ); MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS; MEDIOS PARA IMPEDIR LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL (tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D, C25F ); PROCESOS EN MULTIPLES ETAPAS PARA EL TRATAMIENTO DE LA SUPERFICIE DE MATERIALES METALICOS UTILIZANDO AL MENOS UN PROCESO CUBIERTO POR LA CLASE C23 Y AL MENOS UN PROCESO CUBIERTO BIEN POR LA SUBCLASE C21D   BIEN POR LA SUBCLASE C22F O POR LA CLASE C25. › C23F 1/00 Decapado de materiales metálicos por medios químicos. › Aparatos, p. ej. para la impresión fotomecánica de superficies.
  • E03B7/07 CONSTRUCCIONES FIJAS.E03 SUMINISTROS DE AGUA; EVACUACION DE AGUAS.E03B INSTALACIONES O PROCEDIMIENTOS PARA OBTENER, RECOGER O DISTRIBUIR AGUA (perforación de pozos, obtención de fluidos en general por medio de pozos profundos E21B; sistemas de canalización en general F17D). › E03B 7/00 Canalizaciones principales o redes de distribución (tuberías o canalizaciones en general F16L). › Disposición de los aparatos, p. ej. filtros, controles del caudal, dispositivos de medida, sifones, válvulas, en las redes de canalizaciones (aparatos con esta finalidad en sí , ver las clases correspondientes).
  • H01L21/00 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Oficina Europea de Patentes, Japón, República de Corea.

Patentes similares o relacionadas:

Procedimiento y dispositivo para la realización del test de obleas de semiconductor por medio de un dispositivo de fijación atemperable, del 1 de Julio de 2020, de ERS ELECTRONIC GMBH: Procedimiento para la realización del test de obleas de semiconductor por medio de un dispositivo de fijación atemperable con las etapas: atemperado del dispositivo […]

Conjunto de sensores con zona(s) antidifusión para prolongar el periodo de caducidad, del 5 de Noviembre de 2019, de SIEMENS HEALTHCARE DIAGNOSTICS INC.: Un conjunto de sensores que comprende: un primer sustrato plano , teniendo el primer sustrato plano una primera superficie plana del primer […]

Procedimiento para fabricar piezas con superficie grabada por iones, del 8 de Marzo de 2019, de Oerlikon Surface Solutions AG, Pfäffikon: Un procedimiento para fabricar piezas, estando al menos una parte de la superficie de dichas piezas grabada, incluyendo el grabado por impacto de iones, que comprende: […]

Método mejorado para el grabado de microestructuras, del 3 de Octubre de 2018, de Memsstar Limited: Método para grabar una o más microestructuras ubicadas dentro de una cámara de proceso , comprendiendo el método las etapas siguientes: […]

MÉTODO Y SISTEMA PARA PRODUCIR GRAFENO SOBRE UN SUBSTRATO DE COBRE POR DEPOSICIÓN DE VAPORES QUÍMICOS (AP-CVD) MODIFICADO, del 25 de Enero de 2018, de UNIVERSIDAD TÉCNICA FEDERICO SANTA MARÍA: Un método y sistema para producir grafeno sobre un substrato de cobre por deposición de vapores químicos (AP-CVD) modificado; que, comprende: […]

Matrices de micropartículas y procedimientos de preparación de las mismas, del 19 de Julio de 2017, de BIOARRAY SOLUTIONS LTD: Un biochip, que comprende: un sustrato de oblea de semiconductor (L1) que tiene al menos una matriz de perlas dentro de regiones de chip delineadas […]

Fotodiodo PIN de alta velocidad con respuesta incrementada, del 30 de Noviembre de 2016, de PICOMETRIX, LLC: Un fotodiodo PIN que comprende: una primera capa semiconductora tipo p; una capa semiconductora tipo n; una segunda capa semiconductora […]

Instalación para el tratamiento en vacío de sustratos, del 12 de Octubre de 2016, de H.E.F: Instalación para el tratamiento en vacío de sustratos (S) compuesta de varios módulos, caracterizada por el hecho de que: - los diferentes […]

Utilizamos cookies para mejorar nuestros servicios y mostrarle publicidad relevante. Si continua navegando, consideramos que acepta su uso. Puede obtener más información aquí. .