DISPOSITIVO SELLADOR Y METODO UTIL EN UN APARATO DE PROCESAMIENTO DE SEMICONDUCTORES PARA PUENTEAR MATERIALES QUE TENGAN UN DIFERENCIAL DE EXPANSION TERMICA.

LA INVENCION PERTENECE A UN APARATO Y A UN METODO UTIL EN EL PROCESAMIENTO DE SEMICONDUCTORES.

EL APARATO Y EL METODO PUEDEN UTILIZARSE PARA SUMINISTRAR UN SELLAMIENTO QUE HAGA POSIBLE QUE UNA PRIMERA PARTE DE UNA CAMARA DE PROCESAMIENTO DE SEMICONDUCTORES FUNCIONE A UNA PRIMERA PRESION MIENTRAS QUE UNA SEGUNDA PARTE DE LA CAMARA DE PROCESAMIENTO DE SEMICONDUCTORES FUNCIONE A UNA SEGUNDA PRESION DIFERENTE. EL APARATO SELLADOR Y EL METODO PRESENTADO HACEN POSIBLE EL PROCESAMIENTO DE UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR (104) BAJO UN VACIO PARCIAL QUE HACE IMPRACTICABLE LA TRANSFERENCIA DE CALOR POR MEDIOS CONDUCTIVOS/CONVECTIVOS , MIENTRAS AL MENOS UNA PARTE DE LA PLATAFORMA DEL SOPORTE DEL SUBSTRATO (106) SE ENCUENTRA BAJO UNA PRESION ADECUADA PARA PERMITIR QUE LA TRANSFERENCIA DE CALOR UTILICE MEDIOS DE TRANSFERENCIA DE CALOR CONDUCTIVOS/CONVECTIVOS. EL APARATO SELLADOR (140) COMPRENDE UNA CAPA FINA QUE CONSTA DE UN METAL (202), TIPICAMENTE EN FORMA DE UNA TIRA O BANDA, ABRAZADA A AL MENOS DOS SUPERFICIES DIFERENTES DENTRO DE DICHA CAMARA DE PROCESAMIENTO, MEDIANTE LO CUAL LA PRIMERA Y SEGUNDA PARTE DE LA CAMARA DE PROCESAMIENTO DE SEMICONDUCTORES POSEEN UNA PRESION DIFERENTE AL ESTAR AISLADAS ENTRE SI. PREFERIBLEMENTE, LA CAPA QUE COMPRENDE EL METAL (202) EXHIBE UN GROSOR DE SECCION DE CORTE INFERIOR A ALREDEDOR DE 0.039 PULGADAS (1 MM). LA INVENCION ES PARTICULARMENTE UTIL CUANDO EXISTE UN DIFERENCIAL EN EL COEFICIENTE DE EXPANSION LINEAL DE AL MENOS 3 + 10 ELEVADO A -3 IN./IN./ (GRADOS) C (M/M/ (GRADOS) C), MEDIDO A 600 (GRADOS) C ENTRE LAS SUPERFICIES A PUENTEAR POR LA CAPA FINA QUE COMPRENDE EL METAL.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: APPLIED MATERIALS, INC..

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: P.O. BOX 58039, M/S 0934, 3050 BOWERS AVENUE,SANTA CLARA, CALIFORNIA 95052-.

Inventor/es: DAVENPORT, ROBERT E., TEPMAN, AVI.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 9 de Abril de 1997.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L21/00 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
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