DISPOSITIVO SELLADOR Y METODO UTIL EN UN APARATO DE PROCESAMIENTO DE SEMICONDUCTORES PARA PUENTEAR MATERIALES QUE TENGAN UN DIFERENCIAL DE EXPANSION TERMICA.
LA INVENCION PERTENECE A UN APARATO Y A UN METODO UTIL EN EL PROCESAMIENTO DE SEMICONDUCTORES.
EL APARATO Y EL METODO PUEDEN UTILIZARSE PARA SUMINISTRAR UN SELLAMIENTO QUE HAGA POSIBLE QUE UNA PRIMERA PARTE DE UNA CAMARA DE PROCESAMIENTO DE SEMICONDUCTORES FUNCIONE A UNA PRIMERA PRESION MIENTRAS QUE UNA SEGUNDA PARTE DE LA CAMARA DE PROCESAMIENTO DE SEMICONDUCTORES FUNCIONE A UNA SEGUNDA PRESION DIFERENTE. EL APARATO SELLADOR Y EL METODO PRESENTADO HACEN POSIBLE EL PROCESAMIENTO DE UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR (104) BAJO UN VACIO PARCIAL QUE HACE IMPRACTICABLE LA TRANSFERENCIA DE CALOR POR MEDIOS CONDUCTIVOS/CONVECTIVOS , MIENTRAS AL MENOS UNA PARTE DE LA PLATAFORMA DEL SOPORTE DEL SUBSTRATO (106) SE ENCUENTRA BAJO UNA PRESION ADECUADA PARA PERMITIR QUE LA TRANSFERENCIA DE CALOR UTILICE MEDIOS DE TRANSFERENCIA DE CALOR CONDUCTIVOS/CONVECTIVOS. EL APARATO SELLADOR (140) COMPRENDE UNA CAPA FINA QUE CONSTA DE UN METAL (202), TIPICAMENTE EN FORMA DE UNA TIRA O BANDA, ABRAZADA A AL MENOS DOS SUPERFICIES DIFERENTES DENTRO DE DICHA CAMARA DE PROCESAMIENTO, MEDIANTE LO CUAL LA PRIMERA Y SEGUNDA PARTE DE LA CAMARA DE PROCESAMIENTO DE SEMICONDUCTORES POSEEN UNA PRESION DIFERENTE AL ESTAR AISLADAS ENTRE SI. PREFERIBLEMENTE, LA CAPA QUE COMPRENDE EL METAL (202) EXHIBE UN GROSOR DE SECCION DE CORTE INFERIOR A ALREDEDOR DE 0.039 PULGADAS (1 MM). LA INVENCION ES PARTICULARMENTE UTIL CUANDO EXISTE UN DIFERENCIAL EN EL COEFICIENTE DE EXPANSION LINEAL DE AL MENOS 3 + 10 ELEVADO A -3 IN./IN./ (GRADOS) C (M/M/ (GRADOS) C), MEDIDO A 600 (GRADOS) C ENTRE LAS SUPERFICIES A PUENTEAR POR LA CAPA FINA QUE COMPRENDE EL METAL.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: APPLIED MATERIALS, INC..
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: P.O. BOX 58039, M/S 0934, 3050 BOWERS AVENUE,SANTA CLARA, CALIFORNIA 95052-.
Inventor/es: DAVENPORT, ROBERT E., TEPMAN, AVI.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 9 de Abril de 1997.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/00 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
Patentes similares o relacionadas:
Procedimiento y dispositivo para la realización del test de obleas de semiconductor por medio de un dispositivo de fijación atemperable, del 1 de Julio de 2020, de ERS ELECTRONIC GMBH: Procedimiento para la realización del test de obleas de semiconductor por medio de un dispositivo de fijación atemperable con las etapas: atemperado del dispositivo […]
Conjunto de sensores con zona(s) antidifusión para prolongar el periodo de caducidad, del 5 de Noviembre de 2019, de SIEMENS HEALTHCARE DIAGNOSTICS INC.: Un conjunto de sensores que comprende: un primer sustrato plano , teniendo el primer sustrato plano una primera superficie plana del primer […]
Procedimiento para fabricar piezas con superficie grabada por iones, del 8 de Marzo de 2019, de Oerlikon Surface Solutions AG, Pfäffikon: Un procedimiento para fabricar piezas, estando al menos una parte de la superficie de dichas piezas grabada, incluyendo el grabado por impacto de iones, que comprende: […]
Método mejorado para el grabado de microestructuras, del 3 de Octubre de 2018, de Memsstar Limited: Método para grabar una o más microestructuras ubicadas dentro de una cámara de proceso , comprendiendo el método las etapas siguientes: […]
MÉTODO Y SISTEMA PARA PRODUCIR GRAFENO SOBRE UN SUBSTRATO DE COBRE POR DEPOSICIÓN DE VAPORES QUÍMICOS (AP-CVD) MODIFICADO, del 25 de Enero de 2018, de UNIVERSIDAD TÉCNICA FEDERICO SANTA MARÍA: Un método y sistema para producir grafeno sobre un substrato de cobre por deposición de vapores químicos (AP-CVD) modificado; que, comprende: […]
Matrices de micropartículas y procedimientos de preparación de las mismas, del 19 de Julio de 2017, de BIOARRAY SOLUTIONS LTD: Un biochip, que comprende: un sustrato de oblea de semiconductor (L1) que tiene al menos una matriz de perlas dentro de regiones de chip delineadas […]
Fotodiodo PIN de alta velocidad con respuesta incrementada, del 30 de Noviembre de 2016, de PICOMETRIX, LLC: Un fotodiodo PIN que comprende: una primera capa semiconductora tipo p; una capa semiconductora tipo n; una segunda capa semiconductora […]
Instalación para el tratamiento en vacío de sustratos, del 12 de Octubre de 2016, de H.E.F: Instalación para el tratamiento en vacío de sustratos (S) compuesta de varios módulos, caracterizada por el hecho de que: - los diferentes […]