CIP-2021 : H01L 23/00 : Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad).

CIP-2021HH01H01LH01L 23/00[m] › Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad).

Notas[n] de H01L 23/00:
  • El presente grupo no cubre :
    • los detalles de cuerpos semiconductores o de electrodos de dispositivos previstos en el grupo H01L 29/00, que quedan cubiertos por dicho grupo;
    • los detalles particulares de esos dispositivos previstos en un solo grupo principal de los grupos H01L 31/00 - H01L 51/00, que quedan cubiertos por dichos grupos.

H01L 23/02 · Contenedores; Sellado (H01L 23/12, H01L 23/34, H01L 23/48, H01L 23/552 tienen prioridad).

H01L 23/04 · · caracterizados por la forma.

H01L 23/043 · · · siendo el contenedor una estructura vacía con una base conductora que sirve de soporte y al mismo tiempo de conexión eléctrica para el cuerpo semiconductor.

H01L 23/045 · · · · teniendo las otras conexiones un paso aislado a través de la base.

H01L 23/047 · · · · siendo las otras conexiones paralelas a la base.

H01L 23/049 · · · · siendo las otras conexiones perpendiculares a la base.

H01L 23/051 · · · · estando constituida otra conexión por la cubierta paralela a la base, p. ej. de tipo "sandwich".

H01L 23/053 · · · siendo el contenedor una estructura vacía con una base aislante que sirve de soporte para el cuerpo semiconductor.

H01L 23/055 · · · · teniendo las conexiones un paso a través de la base.

H01L 23/057 · · · · siendo las conexiones paralelas a la base.

H01L 23/06 · · caracterizados por el material del contenedor o por sus propiedades eléctricas.

H01L 23/08 · · · siendo el material un cuerpo eléctricamente aislante, p. ej. vidrio.

H01L 23/10 · · caracterizados por el material o por la disposición de los sellados entre las partes, p. ej. entre la cubierta y la base o entre las conexiones y las paredes del contenedor.

H01L 23/12 · Soportes, p. ej. sustratos aislantes no amovibles.

H01L 23/13 · · caracterizados por su forma.

H01L 23/14 · · caracterizados por el material o por sus propiedades eléctricas.

H01L 23/15 · · · Sustratos en cerámica o en vidrio.

H01L 23/16 · Materiales de relleno o piezas auxiliares en el contenedor, p. ej. anillos de centrado (H01L 23/42, H01L 23/552 tienen prioridad).

H01L 23/18 · · Materiales de relleno caracterizados por el material o por sus propiedades físicas o químicas, o por su disposición en el interior del dispositivo completo.

H01L 23/20 · · · gaseosos a la temperatura normal de funcionamiento del dispositivo.

Notas[n] desde H01L 23/20 hasta H01L 23/24:

H01L 23/22 · · · líquidos a la temperatura normal de funcionamiento del dispositivo.

H01L 23/24 · · · sólidos o en estado de gel, a la temperatura normal del funcionamiento del dispositivo.

H01L 23/26 · · · incluyendo materiales destinados a absorber o a reaccionar con la humedad u otras sustancias indeseables.

H01L 23/28 · Encapsulados, p. ej. capas de encapsulado, revestimientos (H01L 23/552 tiene prioridad).

H01L 23/29 · · caracterizados por el material.

H01L 23/31 · · caracterizados por su disposición.

H01L 23/32 · Soportes para mantener el dispositivo completo durante su funcionamiento, es decir, elementos portantes amovibles (H01L 23/40 tiene prioridad).

H01L 23/34 · Disposiciones para la refrigeración, el calentamiento, la ventilación o la compensación de la temperatura.

H01L 23/36 · · Selección de materiales, o su forma, para facilitar la refrigeración o el calentamiento, p. ej. disipadores de calor.

H01L 23/367 · · · Refrigeración facilitada por la forma del dispositivo.

H01L 23/373 · · · Refrigeración facilitada por el empleo de materiales particulares para el dispositivo.

H01L 23/38 · · Dispositivos de refrigeración que utilizan el efecto Peltier.

H01L 23/40 · · Soportes o medios de fijación para los dispositivos de refrigeración o calentamiento amovibles.

H01L 23/42 · · Elección o disposición de materiales de relleno o de piezas auxiliares en el contenedor para facilitar el calentamiento o la refrigeración.

H01L 23/427 · · · Refrigeración por cambio de estado, p. ej. uso de tubos caloríficos.

H01L 23/433 · · · Piezas auxiliares caracterizadas por su forma, p. ej. pistones.

H01L 23/44 · · estando el dispositivo completo totalmente sumergido en un fluido diferente al aire (H01L 23/427 tiene prioridad).

H01L 23/46 · · implicando la transferencia de calor por fluidos en circulación (H01L 23/42, H01L 23/44 tienen prioridad).

H01L 23/467 · · · por circulación de gas, p. ej. aire.

H01L 23/473 · · · por circulación de líquidos.

H01L 23/48 · Disposiciones para conducir la corriente eléctrica hacia o desde el cuerpo de estado sólido durante su funcionamiento, p. ej. hilos de conexión o bornes.

H01L 23/482 · · formadas por capas conductoras inseparables del cuerpo semiconductor sobre el que han sido depositadas.

H01L 23/485 · · · formadas por estructuras laminares que comprenden capas conductoras y aislantes, p. ej. contactos planares.

H01L 23/488 · · formadas por estructuras soldadas.

H01L 23/49 · · · del tipo alambres de conexión.

H01L 23/492 · · · Bases o placas.

H01L 23/495 · · · Bastidores conductores.

H01L 23/498 · · · Conexiones eléctricas sobre sustratos aislantes.

H01L 23/50 · · para dispositivos de circuito integrado (H01L 23/482 - H01L 23/498 tienen prioridad).

H01L 23/52 · Disposiciones para conducir la corriente eléctrica en el interior del dispositivo durante su funcionamiento, de un componente a otro.

H01L 23/522 · · que comprenden interconexiones externas formadas por una estructura multicapa de capas conductoras y aislantes inseparables del cuerpo semiconductor sobre el cual han sido depositadas.

H01L 23/525 · · · con interconexiones modificables.

H01L 23/528 · · · Configuración de la estructura de interconexión.

H01L 23/532 · · · caracterizadas por los materiales.

H01L 23/535 · · que comprenden interconexiones internas, p. ej. estructuras de interconexión enterradas.

H01L 23/538 · · estando la estructura de interconexión entre una pluralidad de chips semiconductores situada en el interior o encima de sustratos aislantes.

H01L 23/544 · Marcas aplicadas sobre el dispositivo semiconductor, p. ej. marcas de referencia, esquemas de ensayo.

H01L 23/552 · Protección contra las radiaciones, p. ej. la luz.

H01L 23/556 · · contra los rayos alfa.

H01L 23/58 · Disposiciones eléctricas estructurales no previstas en otra parte para dispositivos semiconductores.

H01L 23/60 · · Protección contra las cargas o las descargas electrostáticas, p. ej. pantallas Faraday.

H01L 23/62 · · Protección contra las sobretensiones o sobrecargas, p. ej. fusibles, shunts.

H01L 23/64 · · Disposiciones relativas a la impedancia.

H01L 23/66 · · · Adaptaciones para la alta frecuencia.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Capa transpondedora y procedimiento para su producción.

(27/05/2020) Capa transpondedora con un sustrato de antena , que en un lado de antena está dotada de una antena formada por un conductor de hilos y un chip , y que en el lado de antena presenta conductores de conexión para la unión del chip con el conductor de hilos de la antena, de tal manera que el chip se dispone junto a extremos de conexión del conductor de hilos, y tanto los extremos de conexión del conductor de hilos como conexiones de chip dispuestas sobre un lado de contacto orientado hacia el sustrato de antena de un cuerpo semiconductor del chip entran en contacto con los conductores de conexión, estando configurados los conductores de conexión para la unión del chip con el conductor de hilos de la antena como almohadillas de…

Procedimiento de fabricación de puentes dieléctricos de identificación sin contacto.

(13/05/2020) Procedimiento de fabricación de puentes dieléctricos de identificación sin contacto de un paso estandarizado y de una tolerancia ampliada, o de etiquetas de pequeña anchura sin contacto, incluyendo el procedimiento unas etapas de: - provisión de una oblea de silicio provista de circuitos integrados estándar con la cara activa vuelta hacia arriba preparada con anterioridad por serrado para una conexión por láser de las superficies de contacto de dichos circuitos integrados a superficies de contacto de circuitos conductores dispuestos en la superficie de una banda soporte dieléctrica de poliimida resistente al calor y a las radiaciones impartidas por láser; - toma de los circuitos integrados por mediación…

Sistemas en paquetes.

(19/02/2020) Un sistema en paquete que comprende: un portador ; un primer chip encima de dicho portador , en el que dicho primer chip comprende un primer sustrato semiconductor que tiene un grosor de entre 1 y 50 micrómetros, una primera capa metálica (34 o 26) debajo de una superficie inferior de dicho primer sustrato semiconductor , y una primera capa dieléctrica debajo de dicha superficie inferior de dicho primer sustrato semiconductor y encima de dicha primera capa metálica (34 o 26); un segundo chip encima de dicho portador , en el que dicho segundo chip comprende un segundo sustrato semiconductor que tiene una superficie superior (58s) sustancialmente coplanaria con una superficie superior (58s) de dicho primer sustrato semiconductor , en el que dicho segundo chip está separado de dicho primer chip ; un material de relleno…

Conjunto de máscaras metálicas auto alineadas para depositar, de modo selectivo, capas finas sobre dispositivos y substratos microelectrónicos y método de empleo.

(06/11/2019). Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Inventor/es: GODIGNON, PHILIPPE, VELLVEHI HERNANDEZ, MIQUEL, JORDA SANUY,XAVIER, PERPIÑÁ GIRIBET,Xavier, SANCHEZ SANCHEZ,David.

La presente invención se refiere a un conjunto de máscaras metálicas auto alineadas para depositar, de modo selectivo, capas finassobre dispositivos y substratos microelectrónicos que comprendelas partes siguientes: a) una máscara superior metálica con los orificios o zonas que definen los motivos que se han de metalizar,provista de los agujeros de centrado, b) una máscara inferior metálica con los orificios de las mismas dimensiones y forma que los sustratos o dispositivos a metalizar y otros auxiliares de centrado del conjunto, c) una pieza o base provista de unos vástagoscoincidentes con los agujeros auxiliares, que permite el centradode las partes anteriores,una pieza o marco superior que permitefijar y mantener alineado el conjunto completo mediante tornillosy ligera presión; este conjunto puede a su vez fijarse al portamuestras de la máquina de deposición.

PDF original: ES-2769265_T3.pdf

Sensor de corrosión que tiene conexiones de cable doble encapsulado y método para fabricarlo.

(11/09/2019) Un método para fabricar un sensor de corrosión, comprendiendo dicho sensor un módulo de chip y un módulo de conexión ambos formados sobre un sustrato , en el que una capa de material aislante se deposita sobre dicho sustrato, y en el que, sobre dicho material aislante, se montan varias tiras metálicas sobre dicho sustrato que comprende dicho material aislante, formando dicho módulo conexiones eléctricas a las tiras metálicas para permitir la comunicación entre las tiras y el equipo de monitorización para el sensor, el módulo que incluye varias conexiones de cables, donde el método incluye los pasos de recubrir manualmente cada una de las conexiones de cables con uno de los compuestos de sellado preliminares seleccionados, respectivamente, y curando los compuestos…

Composición que comprende nanopartículas de polímero para el control de tasas de reacción y procedimiento de fabricación.

(04/09/2019). Solicitante/s: THE BOEING COMPANY. Inventor/es: KOZAR,MICHAEL P, WILENSKI,MARK S, MEURE,SAMUEL J.

Una composición que comprende: una resina termoendurecible; caracterizada porque la composición comprende además: una pluralidad de nanopartículas de polímero, en la que las nanopartículas de polímero incluyen una primera nanopartícula de polímero y una segunda nanopartícula de polímero, en el que la segunda nanopartícula de polímero está formada de un material diferente al de la primera nanopartícula de polímero; y por lo menos algunas de las nanopartículas de polímero están configuradas para liberar un catalizador o un agente de curado durante un proceso de curado de resina, en la que el catalizador o agente de curado está configurado para alterar la velocidad de reacción de la resina.

PDF original: ES-2760015_T3.pdf

Sensor de huella dactilar, método para la fabricación de un sensor de huella dactilar y terminal.

(27/05/2019) Un sensor de huella dactilar, que comprende: una unidad de chip que tiene una primera superficie y una segunda superficie opuesta a la primera superficie , en donde la primera superficie está configurada para recibir una operación táctil; una primera capa adhesiva fijada a la segunda superficie directa o indirectamente de modo que se puede desprender; una capa de sustrato que tiene un primer lado enfrentado a la unidad de chip , y un segundo lado opuesto al primer lado, en donde el primer lado está fijado a la segunda superficie ; una placa base ; caracterizado por que el sensor de huella dactilar comprende además: un elemento de soporte fijado a la capa de sustrato para soportar la unidad de chip…

Capa transpondedora y procedimiento para su producción.

(17/05/2019) Capa transpondedora , en particular para la producción de una estructura laminada configurada, por ejemplo, como tarjeta chip, con un sustrato de antena , que en un lado de antena está dotado de una antena formada por un conductor de hilos y un chip , y que en el lado de antena presenta conductores de conexión para la unión del chip con el conductor de hilos de la antena, de tal manera que el chip está dispuesto junto a extremos de conexión del conductor de hilos, y tanto los extremos de conexión del conductor de hilos como conexiones de chip dispuestas en un lado de contacto dirigido hacia el sustrato de antena de un cuerpo semiconductor del chip están en contacto con los conductores de conexión, estando configurados los conductores de…

Convertidor de potencia de corte configurado para controlar al menos una fase de un receptor eléctrico polifásico de al menos tres fases.

(29/03/2019) Convertidor de potencia de corte configurado para controlar al menos una fase de un receptor eléctrico polifásico de al menos tres fases, que comprende al menos un bloque de dos brazos de convertidor, en el que cada medio brazo de brazo de convertidor comprende un primer conjunto (CON1) de N interruptores, siendo N superior o igual a dos, dispuestos eléctricamente en serie y 2N diodos de potencia dispuestos N a N eléctricamente en serie y en paralelo, formando unos segundo y tercer conjuntos (CON2, CON3) de N diodos que comprenden cada uno N diodos eléctricamente en serie, estando los segundo y tercer conjuntos (CON2, CON3) montados eléctricamente en paralelo entre sí y en serie con los N interruptores en serie, estando el primer conjunto (CON1) de N interruptores en serie dispuesto físicamente…

Placas de circuito impreso.

(27/03/2019). Solicitante/s: Semblant Limited. Inventor/es: HUMPHRIES, MARK, ROBSON, SMITH, RODNEY, EDWARD, FERDINANDI,FRANK.

Un método de realización de una conexión de soldadura a una placa de circuito impreso, en el que: una superficie de la placa de circuito impreso tiene un recubrimiento que comprende uno o más polímeros de halo-hidrocarburo con un espesor de 1 nm a 10 μm; y el circuito impreso tiene pistas conductoras y no hay ninguna soldadura, o esencialmente ninguna soldadura, entre el recubrimiento y las pistas conductoras, donde dicho método comprende aplicar soldadura y fundente al recubrimiento sin su retirada previa, a una temperatura y durante un tiempo de manera que la soldadura se adhiera a las pistas conductoras y el recubrimiento se disperse y/o se absorba y/o se vaporice localmente.

PDF original: ES-2728309_T3.pdf

Conjunto de sensores ópticos.

(11/03/2019). Solicitante/s: HENSOLDT Sensors GmbH. Inventor/es: BARTH,JOCHEN, ROTH,THOMAS, CZESLIK,CHRISTIAN.

Conjunto de sensores ópticos que comprende varios sensores (D1, D2) para la detección de ondas electromagnéticas y una abertura común asignada a los sensores (D1, D2), previéndose para la detección de las ondas electromagnéticas que inciden a través de la abertura al menos dos sensores (D1, D2) dispuestos uno detrás de otro, coincidiendo los sensores (D1, D2) dispuestos uno detrás de otro en sus zonas espectrales operativas y formando en sensor (D1) respectivamente anterior, visto en dirección a la radiación incidente, para el aumento del margen dinámico del conjunto de sensores en las zonas espectrales coincidentes de los sensores, un filtro amortiguador para los sensores (D2) dispuestos detrás.

PDF original: ES-2703538_T3.pdf

Unidad de acoplamiento de un dispositivo semiconductor de energía y PCB y método para fabricar la misma.

(06/03/2019) Una unidad de acoplamiento de un dispositivo semiconductor de energía y una placa de circuitos impresos (PCB), donde la unidad de acoplamiento comprende: una PCB ; un dispositivo semiconductor de energía que comprende una pluralidad de patas conectadas eléctricamente a un patrón de circuito dispuesto en la PCB ; un miembro de conexión dispuesto encima del dispositivo semiconductor de energía para presionar el dispositivo semiconductor de energía hacia la PCB , el miembro de conexión está formado de un material conductor eléctrico; un alojamiento dispuesto fuera de la PCB ; y una unidad de fijación principal que fija el dispositivo semiconductor…

Aleación de soldadura sin plomo.

(27/02/2019). Solicitante/s: SENJU METAL INDUSTRY CO. LTD.. Inventor/es: TACHIBANA,KEN, NOMURA,HIKARU.

Una aleación de soldadura sin plomo para unir un electrodo de Cu que contiene una capa de revestimiento chapado de Ni, teniendo la aleación de soldadura una composición de aleación que consiste en 31 a 59 % en masa de Bi, 0,3 a 1,0 % en masa de Cu, 0,01 a 0,06 % en masa de Ni, y al menos un elemento seleccionado entre el grupo que consiste en 0,001 a 0,07 % en masa de P y 0,001 a 0,03 % en masa de Ge, y un resto de Sn en el que la aleación de soldadura tiene un punto de fusión de 185 grados C o menos, una resistencia a la tracción de 70 MPa o más y una elongación del 65 % o más.

PDF original: ES-2702152_T3.pdf

Detección de espionaje (snooping) entre los elementos de silicio en un circuito.

(17/10/2018) Un circuito electrónico con protección contra la interceptación, que comprende: un primer elemento de circuito incrustado en el circuito electrónico ; un segundo elemento de circuito incrustado en el circuito electrónico ; una primera línea de conexión entre el primer elemento de circuito y el segundo elemento de circuito; una primera unidad de vigilancia en el primer elemento de circuito para medir la capacidad eléctrica de la primera línea de conexión entre el primer elemento de circuito y el segundo elemento de circuito; en donde la primera unidad de vigilancia está configurada para identificar un cambio en la capacidad eléctrica de la primera línea de conexión y para emprender acciones para prevenir una interceptación en respuesta a la identificación de un cambio y caracterizado…

Disipador de calor para el enfriamiento de módulos semiconductores de potencia.

(11/04/2018). Solicitante/s: VESTAS WIND SYSTEMS A/S. Inventor/es: STYHM,OVE, ABEYASEKERA,TUSITHA, ANDERSEN,THOMAS LUNDGREN, MØLLER,HENRIK B.

Disipador de calor para enfriar al menos un módulo semiconductor de potencia con una placa base , comprendiendo el disipador de calor: una cubeta para contener un líquido refrigerante ; un reborde de contacto que se encuentra alrededor de la cubeta y que recibe la placa base , caracterizado por, tener el reborde de contacto una pendiente hacia dentro hacia la cubeta.

PDF original: ES-2668496_T3.pdf

Material compuesto estratificado para uso en una batería de flujo redox.

(23/08/2017). Solicitante/s: SGL Carbon SE. Inventor/es: SCHMITT, RAINER, BACHER,JURGEN, ÖTTINGER,Oswin, MECHEN,Sylvia, HUDLER,Bastian.

Material compuesto estratificado , en particular para uso en una batería de flujo redox, en el que el material compuesto estratificado contiene al menos una capa de una estructura plana textil y al menos un cuerpo moldeado que contiene grafito, en el que el cuerpo moldeado que contiene grafito puede obtenerse por un procedimiento en el que se mezclan partículas de grafito con al menos un aditivo orgánico sólido para obtener una mezcla y la mezcla así obtenida se compacta a continuación y en el que el al menos un aditivo orgánico sólido y la mezcla producida a partir del mismo no se funden ni se sinterizan antes de la compactación.

PDF original: ES-2641013_T3.pdf

Sensor de imagen con superficie de chip de gran tamaño.

(26/04/2017) Sensor de imagen con una superficie de chip de > 100 mm2 que incluye un chip de sensor de imagen dispuesto céntricamente en un soporte de chip con filas de contactos de conexión de cable dispuestas en su periferia, - pegándose el chip de sensor de imagen con un adhesivo dúctil en el soporte de chip , - situándose los contactos de conexión de cable en el soporte de chip junto al chip de sensor de imagen , - pegándose el soporte de chip con un adhesivo dúctil en el soporte de conexión , - estando rodeado el chip de sensor de imagen fuera de los contactos de conexión de cable , situados junto a éste, por un marco que se moldea en una sola pieza en el soporte de chip o que se une de forma fija a éste mediante adhesión con un adhesivo dúctil, - pegándose en el marco un filtro o una placa de vidrio con un adhesivo dúctil, …

Matriz de nanotubos metálicos unidos.

(15/03/2017) Un método para la unión de nanoelementos a una superficie , comprendiendo dicho método: aplicar capas de metal sobre una parte superior de una matriz de nanoelementos de una pluralidad de nanoelementos sustancialmente alineados, incluyendo las capas de metal una capa de un metal inerte unido a las puntas de la pluralidad de nanoelementos alineados para inmovilizar los extremos de los nanoelementos individuales y una primera capa de un primer metal activo aplicado sobre la capa de metal inerte; colocar una segunda capa de un segundo metal activo entre la primera capa del primer metal activo y un sustrato ; colocar una fuerza de compresión a través de los nanoelementos , las capas metálicas…

Dispositivo y procedimiento temporizado de unión por sinterización a presión.

(07/01/2015) Dispositivo para un procedimiento temporizado de unión por sinterización a presión de componentes de forma de pastillas electrónicas con trazas conductoras de un respectivo sustrato , que consta al menos de un dispositivo de prensado , una cinta transportadora y un dispositivo para cubrir el sustrato con una película protectora , en el que el dispositivo de prensado es adecuado para el funcionamiento temporizado y presenta un macho de prensado y una mesa de prensado calentable , y en el que los componentes de forma de pastillas electrónicas presentan unos componentes semiconductores de potencia, tales como diodos de potencia, tiristores…

Procedimiento para la conexión mecánica y eléctrica simultánea de dos piezas.

(16/04/2014) Procedimiento para la conexión mecánica y eléctrica simultánea de dos piezas que solo se cubren parcialmente entre sí, provistas de estructuras eléctricamente conductoras de las cuales por lo menos una está recubierta en una superficie extensa e incluyendo la superficie de conexión con una capa de material eléctricamente aislante para el aislamiento eléctrico y/o la protección mecánica y/o química más allá de la zona de recubrimiento, presionándose las piezas conductoras unas contra otras en la región de sus superficies de conexión, caracterizado por que como material eléctricamente aislante se usa un adhesivo que durante la conexión con formación de un contacto eléctrico entre las superficies de conexión eléctrica…

Un elemento de contacto y un conjunto de contacto.

(02/04/2014) Un elemento de contacto para hacer un contacto eléctrico con un miembro de contacto para permitir que fluya una corriente eléctrica entre dicho elemento de contacto y dicho miembro de contacto , comprendiendo dicho elemento de contacto un cuerpo que tiene al menos una superficie de contacto del mismo recubierta con una capa de contacto para aplicarse contra dicho miembro de contacto, comprendiendo dicha capa de contacto una película de nanocompuesto que tiene una matriz de carbono amorfo y nanocristales, esto es, con dimensiones en el intervalo de 1 a 100 nm, de al menos un carburo metálico embebidos en la misma, caracterizado porque la hibridación de dicha matriz de carbono amorfo…

Módulo de semiconductores de potencia con paredes laterales aislantes estructuradas en capas.

(21/03/2013) Módulo de semiconductores de potencia con al menos dos unidades de semiconductores de potencia conectadas entre sí, que presentan semiconductores de potencia activables, una carcasa de módulo en la que están dispuestas las unidades de semiconductores de potencia y que presenta una pared lateral eléctricamente aislante, y al menos un riel de conexión que se extiende a través de la pared lateral y que está unido al menos a una de las unidades de semiconductores de potencia , caracterizado porque la pared lateral aislante está configurada como apilamiento de elementos parciales aislantes y configurados de forma enteriza, en donde los elementos parciales hacen contacto en yuxtaposición con regiones de contacto.

MÉTODO Y SISTEMA DE TESTADO DE CIRCUITOS INTEGRADOS DE RADIOFRECUENCIA A NIVEL DE OBLEA Y SU USO.

(11/02/2013) Método y sistema de testado de circuitos integrados de radiofrecuencia a nivel de oblea y su uso. El objetivo principal de este invento es proporcionar un sistema y un método fiable y rápido para descartar transceptores integrados defectuosos a nivel de oblea mediante el establecimiento de enlaces inalámbricos entre diferentes circuitos en la oblea, de tal forma que las señales necesarias para testar un determinado transceptor son proporcionadas o leídas por otro de los transceptores de la misma oblea. El sistema emplea para ello, un equipo de test digital de baja frecuencia que al menos comprende dos agujas de test para el envío, recepción y comparación…

MÉTODO Y SISTEMA DE TESTADO DE CIRCUITOS INTEGRADOS DE RADIOFRECUENCIA A NIVEL DE OBLEA Y SU USO.

(03/01/2013). Ver ilustración. Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC). Inventor/es: HUERTAS DIAZ,JOSE LUIS, BARRAGÁN ASIÁN,Manuel José.

El objetivo principal de este invento es proporcionar un sistema y un método fiable y rápido para descartar transceptores integrados defectuosos a nivel de oblea mediante el establecimiento de enlaces inalámbricos entre diferentes circuitos en la oblea, de tal forma que las señales necesarias para testar un determinado transceptor son proporcionadas o leídas por otro de los transceptores de la misma oblea. El sistema emplea para ello, un equipo de test digital de baja frecuencia que al menos comprende dos agujas de test para el envío, recepción y comparación de unas secuencias de datos de test que se intercambian entre el equipo de test y los circuitos integrados de la oblea.

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