CIP-2021 : H01L 23/488 : formadas por estructuras soldadas.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad).
H01L 23/488 · · formadas por estructuras soldadas.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
TERMINAL PARA SOLDAR Y METODO DE FABRICARLO.
(01/04/2002). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: ATKINSON NYE , HENRI, III, ROEDER, JEFFREY FREDERICK, TONG, HO-MING, TOTTA, PAUL ANTHONY.
SE PRESENTA UN METODO Y UNA ESTRUCTURA PARA UN TERMINAL DE SOLDADURA MEJORADO. EL TERMINAL DE SOLDADURA MEJORADO ESTA HECHO DE UNA CAPA DE ADHESION METALICA DE FONDO, UNA CAPA INTERMEDIA DE CRCU SOBRE LA PARTE SUPERIOR DE LA CAPA DE ADHESION, UNA CAPA DE UNION DE SOLDADURA ENCIMA DE LA CAPA DE CRCU Y UNA CAPA SUPERIOR DE SOLDADURA. LA CAPA DE ADHESION PUEDE SER TANTO TIW O TIN. UN PROCESO PARA FABRICAR UN METAL DE TERMINAL MEJORADO CONSTA DE LA DEPOSICION DE UNA CAPA METALICA ADHESIVA, UNA CAPA DE CRCU SOBRE LA CAPA ADHESIVA Y UNA CAPA DE MATERIAL DE UNION DE SOLDADURA, SOBRE LA CUAL SE FORMA LA CAPA DE SOLDADURA EN REGIONES SELECTIVAS Y LAS CAPAS SUBYACENTES SON QUIMICAMENTE ATACADAS UTILIZANDO LAS REGIONES DE SOLDADURA COMO MASCARA.
MÉTODO DE MONTAJE DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(16/07/1963). Ver ilustración. Solicitante/s: RADIO CORPORATION OF AMERICA.
Resumen no disponible.
UN MÉTODO DE FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(16/02/1962). Ver ilustración. Solicitante/s: PYE LIMITED.
Resumen no disponible.
PROCEDIMIENTO PARA RECUBRIR, TOTAL O PARCIALMENTE, UN ELEMENTO DE CIRCUITO ELÉCTRICO CON UNA COMPOSICIÓN VÍTREA MONOFÁSICA.
(01/09/1960). Ver ilustración. Solicitante/s: WESTER ELECTRIC COMPANY, INCORPORATED.
Procedimiento para recubrir, total o parcialmente un elemento de circuito eléctrico con una composición vítrea monofásica, caracterizado porque dicho elemento se pone en contacto con una composición vítrea que comprende arsénico, azufre y al menos un elemento elegido del grupo formado por yodo y bromo.
UN MÉTODO DE FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(01/04/1960). Ver ilustración. Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
Método de fabricar un dispositivo semiconductor, tal como, por ejemplo un transistor, en el cual se hacen conexiones eléctricas a un par de salientes sobre una masa semiconductora caracterizado porque comprende las etapas de proveer una conexión eléctrica entre las dos salientes y un conductor común y luego cortar el conductor entre las dos salientes para proveer una conexión separada para cada saliente.
