Procedimiento de fabricación de puentes dieléctricos de identificación sin contacto.

Procedimiento de fabricación de puentes dieléctricos de identificación sin contacto de un paso estandarizado y de una tolerancia ampliada,

o de etiquetas de pequeña anchura sin contacto, incluyendo el procedimiento unas etapas de:

- provisión de una oblea (1) de silicio provista de circuitos integrados (2) estándar con la cara activa vuelta hacia arriba preparada con anterioridad por serrado para una conexión por láser (3) de las superficies de contacto (7) de dichos circuitos integrados (2) a superficies de contacto de circuitos conductores (6) dispuestos en la superficie de una banda soporte (5) dieléctrica de poliimida resistente al calor y a las radiaciones impartidas por láser;

- toma de los circuitos integrados (2) por mediación de un medio de asido de una máquina de transferencia de circuitos integrados (2) que se encarga de su volteo en 180°;

- toma de la información de posicionamiento de cada uno de los circuitos integrados (2) por mediación de un sistema de visión (4) que se encarga de la localización;

- transferencia de los circuitos integrados (2) tomados sobre la banda soporte (5) dieléctrica de poliimida, de manera que las superficies de contacto (7) de los circuitos integrados (2) queden en posición encarada con las superficies de contacto de los circuitos conductores (6);

- mantenimiento del contacto, por mediación de una leve presión, de las superficies de contacto (7) de los circuitos integrados (2) con las superficies de contacto de los circuitos conductores (6), inmovilizándose durante esta operación la banda soporte (5) dieléctrica;

- conexión de los circuitos integrados (2) con los circuitos conductores (6) por mediación de un láser (3) de un cabezal que dispone de uno o de varios haces o de varios cabezales según la configuración y el tamaño de las superficies de contacto, atravesando el o los haces la banda soporte (5) dieléctrica de poliimida para soldar con el calor desprendido las superficies de contacto del circuito conductor (6) a las superficies de contacto del circuito integrado (2);

- avance en un paso de la banda soporte (5) dieléctrica para encargarse de la siguiente operación.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2016/053653.

Solicitante: Foucault, Jean Pierre.

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: 2 Rue Guy de Maupassant 75116 Paris FRANCIA.

Inventor/es: FOUCAULT,JEAN PIERRE.

Fecha de Publicación: 13 de Mayo de 2020.

Clasificación Internacional de Patentes:

G06K19/077 FISICA. › G06 CALCULO; CONTEO. › G06K RECONOCIMIENTO DE DATOS; PRESENTACION DE DATOS; SOPORTES DE REGISTROS; MANIPULACION DE SOPORTES DE REGISTROS (impresión per se B41J). › G06K 19/00 Soportes de registro para utilización con máquinas y con al menos una parte prevista para soportar marcas digitales. › Detalles de estructura, p. ej. montaje de circuitos en el soporte.
H01L23/00 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad).
H01L23/498 H01L […] › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › Conexiones eléctricas sobre sustratos aislantes.

PDF original: ES-2809124_T3.pdf

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