CIP 2015 : H01L 23/00 : Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad).

CIP2015HH01H01LH01L 23/00[m] › Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad).

Notas[n] de H01L 23/00:
  • El presente grupo no cubre :
    • los detalles de cuerpos semiconductores o de electrodos de dispositivos previstos en el grupo H01L 29/00, que quedan cubiertos por dicho grupo;
    • los detalles particulares de esos dispositivos previstos en un solo grupo principal de los grupos H01L 31/00 - H01L 51/00, que quedan cubiertos por dichos grupos.

H01L 23/02 · Contenedores; Sellado (H01L 23/12, H01L 23/34, H01L 23/48, H01L 23/552 tienen prioridad).

H01L 23/04 · · caracterizados por la forma.

H01L 23/043 · · · siendo el contenedor una estructura vacía con una base conductora que sirve de soporte y al mismo tiempo de conexión eléctrica para el cuerpo semiconductor.

H01L 23/045 · · · · teniendo las otras conexiones un paso aislado a través de la base.

H01L 23/047 · · · · siendo las otras conexiones paralelas a la base.

H01L 23/049 · · · · siendo las otras conexiones perpendiculares a la base.

H01L 23/051 · · · · estando constituida otra conexión por la cubierta paralela a la base, p. ej. de tipo "sandwich".

H01L 23/053 · · · siendo el contenedor una estructura vacía con una base aislante que sirve de soporte para el cuerpo semiconductor.

H01L 23/055 · · · · teniendo las conexiones un paso a través de la base.

H01L 23/057 · · · · siendo las conexiones paralelas a la base.

H01L 23/06 · · caracterizados por el material del contenedor o por sus propiedades eléctricas.

H01L 23/08 · · · siendo el material un cuerpo eléctricamente aislante, p. ej. vidrio.

H01L 23/10 · · caracterizados por el material o por la disposición de los sellados entre las partes, p. ej. entre la cubierta y la base o entre las conexiones y las paredes del contenedor.

H01L 23/12 · Soportes, p. ej. sustratos aislantes no amovibles.

H01L 23/13 · · caracterizados por su forma.

H01L 23/14 · · caracterizados por el material o por sus propiedades eléctricas.

H01L 23/15 · · · Sustratos en cerámica o en vidrio.

H01L 23/16 · Materiales de relleno o piezas auxiliares en el contenedor, p. ej. anillos de centrado (H01L 23/42, H01L 23/552 tienen prioridad).

H01L 23/18 · · Materiales de relleno caracterizados por el material o por sus propiedades físicas o químicas, o por su disposición en el interior del dispositivo completo.

H01L 23/20 · · · gaseosos a la temperatura normal de funcionamiento del dispositivo.

Notas[n] desde H01L 23/20 hasta H01L 23/24:

H01L 23/22 · · · líquidos a la temperatura normal de funcionamiento del dispositivo.

H01L 23/24 · · · sólidos o en estado de gel, a la temperatura normal del funcionamiento del dispositivo.

H01L 23/26 · · · incluyendo materiales destinados a absorber o a reaccionar con la humedad u otras sustancias indeseables.

H01L 23/28 · Encapsulados, p. ej. capas de encapsulado, revestimientos (H01L 23/552 tiene prioridad).

H01L 23/29 · · caracterizados por el material.

H01L 23/31 · · caracterizados por su disposición.

H01L 23/32 · Soportes para mantener el dispositivo completo durante su funcionamiento, es decir, elementos portantes amovibles (H01L 23/40 tiene prioridad).

H01L 23/34 · Disposiciones para la refrigeración, el calentamiento, la ventilación o la compensación de la temperatura.

H01L 23/36 · · Selección de materiales, o su forma, para facilitar la refrigeración o el calentamiento, p. ej. disipadores de calor.

H01L 23/367 · · · Refrigeración facilitada por la forma del dispositivo.

H01L 23/373 · · · Refrigeración facilitada por el empleo de materiales particulares para el dispositivo.

H01L 23/38 · · Dispositivos de refrigeración que utilizan el efecto Peltier.

H01L 23/40 · · Soportes o medios de fijación para los dispositivos de refrigeración o calentamiento amovibles.

H01L 23/42 · · Elección o disposición de materiales de relleno o de piezas auxiliares en el contenedor para facilitar el calentamiento o la refrigeración.

H01L 23/427 · · · Refrigeración por cambio de estado, p. ej. uso de tubos caloríficos.

H01L 23/433 · · · Piezas auxiliares caracterizadas por su forma, p. ej. pistones.

H01L 23/44 · · estando el dispositivo completo totalmente sumergido en un fluido diferente al aire (H01L 23/427 tiene prioridad).

H01L 23/46 · · implicando la transferencia de calor por fluidos en circulación (H01L 23/42, H01L 23/44 tienen prioridad).

H01L 23/467 · · · por circulación de gas, p. ej. aire.

H01L 23/473 · · · por circulación de líquidos.

H01L 23/48 · Disposiciones para conducir la corriente eléctrica hacia o desde el cuerpo de estado sólido durante su funcionamiento, p. ej. hilos de conexión o bornes.

H01L 23/482 · · formadas por capas conductoras inseparables del cuerpo semiconductor sobre el que han sido depositadas.

H01L 23/485 · · · formadas por estructuras laminares que comprenden capas conductoras y aislantes, p. ej. contactos planares.

H01L 23/488 · · formadas por estructuras soldadas.

H01L 23/49 · · · del tipo alambres de conexión.

H01L 23/492 · · · Bases o placas.

H01L 23/495 · · · Bastidores conductores.

H01L 23/498 · · · Conexiones eléctricas sobre sustratos aislantes.

H01L 23/50 · · para dispositivos de circuito integrado (H01L 23/482 - H01L 23/498 tienen prioridad).

H01L 23/52 · Disposiciones para conducir la corriente eléctrica en el interior del dispositivo durante su funcionamiento, de un componente a otro.

H01L 23/522 · · que comprenden interconexiones externas formadas por una estructura multicapa de capas conductoras y aislantes inseparables del cuerpo semiconductor sobre el cual han sido depositadas.

H01L 23/525 · · · con interconexiones modificables.

H01L 23/528 · · · Configuración de la estructura de interconexión.

H01L 23/532 · · · caracterizadas por los materiales.

H01L 23/535 · · que comprenden interconexiones internas, p. ej. estructuras de interconexión enterradas.

H01L 23/538 · · estando la estructura de interconexión entre una pluralidad de chips semiconductores situada en el interior o encima de sustratos aislantes.

H01L 23/544 · Marcas aplicadas sobre el dispositivo semiconductor, p. ej. marcas de referencia, esquemas de ensayo.

H01L 23/552 · Protección contra las radiaciones, p. ej. la luz.

H01L 23/556 · · contra los rayos alfa.

H01L 23/58 · Disposiciones eléctricas estructurales no previstas en otra parte para dispositivos semiconductores.

H01L 23/60 · · Protección contra las cargas o las descargas electrostáticas, p. ej. pantallas Faraday.

H01L 23/62 · · Protección contra las sobretensiones o sobrecargas, p. ej. fusibles, shunts.

H01L 23/64 · · Disposiciones relativas a la impedancia.

H01L 23/66 · · · Adaptaciones para la alta frecuencia.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Dispositivo y procedimiento temporizado de unión por sinterización a presión.

(07/01/2015) Dispositivo para un procedimiento temporizado de unión por sinterización a presión de componentes de forma de pastillas electrónicas con trazas conductoras de un respectivo sustrato , que consta al menos de un dispositivo de prensado , una cinta transportadora y un dispositivo para cubrir el sustrato con una película protectora , en el que el dispositivo de prensado es adecuado para el funcionamiento temporizado y presenta un macho de prensado y una mesa de prensado calentable , y en el que los componentes de forma de pastillas electrónicas presentan unos componentes semiconductores de potencia, tales como diodos de potencia, tiristores…

Procedimiento para la conexión mecánica y eléctrica simultánea de dos piezas.

(16/04/2014) Procedimiento para la conexión mecánica y eléctrica simultánea de dos piezas que solo se cubren parcialmente entre sí, provistas de estructuras eléctricamente conductoras de las cuales por lo menos una está recubierta en una superficie extensa e incluyendo la superficie de conexión con una capa de material eléctricamente aislante para el aislamiento eléctrico y/o la protección mecánica y/o química más allá de la zona de recubrimiento, presionándose las piezas conductoras unas contra otras en la región de sus superficies de conexión, caracterizado por que como material eléctricamente aislante se usa un adhesivo que durante la conexión con formación de un contacto eléctrico entre las superficies de conexión eléctrica…

Un elemento de contacto y un conjunto de contacto.

(02/04/2014) Un elemento de contacto para hacer un contacto eléctrico con un miembro de contacto para permitir que fluya una corriente eléctrica entre dicho elemento de contacto y dicho miembro de contacto , comprendiendo dicho elemento de contacto un cuerpo que tiene al menos una superficie de contacto del mismo recubierta con una capa de contacto para aplicarse contra dicho miembro de contacto, comprendiendo dicha capa de contacto una película de nanocompuesto que tiene una matriz de carbono amorfo y nanocristales, esto es, con dimensiones en el intervalo de 1 a 100 nm, de al menos un carburo metálico embebidos en la misma, caracterizado porque la hibridación de dicha matriz de carbono amorfo…

Módulo de semiconductores de potencia con paredes laterales aislantes estructuradas en capas.

(21/03/2013) Módulo de semiconductores de potencia con al menos dos unidades de semiconductores de potencia conectadas entre sí, que presentan semiconductores de potencia activables, una carcasa de módulo en la que están dispuestas las unidades de semiconductores de potencia y que presenta una pared lateral eléctricamente aislante, y al menos un riel de conexión que se extiende a través de la pared lateral y que está unido al menos a una de las unidades de semiconductores de potencia , caracterizado porque la pared lateral aislante está configurada como apilamiento de elementos parciales aislantes y configurados de forma enteriza, en donde los elementos parciales hacen contacto en yuxtaposición con regiones de contacto.

MÉTODO Y SISTEMA DE TESTADO DE CIRCUITOS INTEGRADOS DE RADIOFRECUENCIA A NIVEL DE OBLEA Y SU USO.

(11/02/2013) Método y sistema de testado de circuitos integrados de radiofrecuencia a nivel de oblea y su uso. El objetivo principal de este invento es proporcionar un sistema y un método fiable y rápido para descartar transceptores integrados defectuosos a nivel de oblea mediante el establecimiento de enlaces inalámbricos entre diferentes circuitos en la oblea, de tal forma que las señales necesarias para testar un determinado transceptor son proporcionadas o leídas por otro de los transceptores de la misma oblea. El sistema emplea para ello, un equipo de test digital de baja frecuencia que al menos comprende dos agujas de test para el envío, recepción y comparación…

MÉTODO Y SISTEMA DE TESTADO DE CIRCUITOS INTEGRADOS DE RADIOFRECUENCIA A NIVEL DE OBLEA Y SU USO.

(03/01/2013). Ver ilustración. Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC). Inventor/es: HUERTAS DIAZ,JOSE LUIS, BARRAGÁN ASIÁN,Manuel José.

El objetivo principal de este invento es proporcionar un sistema y un método fiable y rápido para descartar transceptores integrados defectuosos a nivel de oblea mediante el establecimiento de enlaces inalámbricos entre diferentes circuitos en la oblea, de tal forma que las señales necesarias para testar un determinado transceptor son proporcionadas o leídas por otro de los transceptores de la misma oblea. El sistema emplea para ello, un equipo de test digital de baja frecuencia que al menos comprende dos agujas de test para el envío, recepción y comparación de unas secuencias de datos de test que se intercambian entre el equipo de test y los circuitos integrados de la oblea.