Semiconductor de óxido metálico de subumbral para gran resistencia.
Un circuito (202, 204), que comprende:
un primer transistor (210,
220) que tiene una puerta, una fuente conectada con un primer nodo (214) del circuito (202, 204) y un drenaje conectado con un segundo nodo (216) del circuito (202, 204);
un dispositivo limitador de voltaje (224, 226) conectado entre la puerta y la fuente del primer transistor (210, 220), en el que el dispositivo (224, 226), si está polarizado directamente está configurado para limitar un voltaje de puerta a fuente, VGS, del primer transistor (210, 220) de modo que el primer transistor (210, 220) funciona en una región de subumbral; y
un segundo transistor (212, 222) configurado para polarizar el dispositivo limitador de voltaje (224, 226) con una corriente, en el que:
un drenaje del segundo transistor (212, 222) está conectado con la puerta del primer transistor (210, 220);
una puerta del segundo transistor (212, 222) está conectada con el primer nodo (214); y
una fuente del segundo transistor (212, 222) está conectada con un potencial eléctrico.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2015/059451.
Solicitante: QUALCOMM INCORPORATED.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 5775 MOREHOUSE DRIVE SAN DIEGO, CA 92121-1714 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.
Inventor/es: TAGHIVAND,MAZHAREDDIN, RAJAVI,YASHAR, KHALILI,ALIREZA.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H03H11/24 ELECTRICIDAD. › H03 CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS. › H03H REDES DE IMPEDANCIA, p. ej. CIRCUITOS RESONANTES; RESONADORES (medidas, ensayos G01R; disposiciones para producir una reverberación sonora o un eco G10K 15/08; redes de impedancia o resonadores que se componen de impedancias distribuidas, p. ej. del tipo guía de ondas, H01P; control de la amplificación, p. ej. control del ancho de banda de los amplificadores, H03G; sintonización de circuitos resonantes, p. ej. sintonización de circuitos resonantes acoplados, H03J; redes para modificar las características de frecuencia de sistemas de comunicación H04B). › H03H 11/00 Redes que utilizan elementos activos. › Atenuadores independientes de la frecuencia.
PDF original: ES-2821452_T3.pdf
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