Semiconductor de óxido metálico de subumbral para gran resistencia.

Un circuito (202, 204), que comprende:

un primer transistor (210,

220) que tiene una puerta, una fuente conectada con un primer nodo (214) del circuito (202, 204) y un drenaje conectado con un segundo nodo (216) del circuito (202, 204);

un dispositivo limitador de voltaje (224, 226) conectado entre la puerta y la fuente del primer transistor (210, 220), en el que el dispositivo (224, 226), si está polarizado directamente está configurado para limitar un voltaje de puerta a fuente, VGS, del primer transistor (210, 220) de modo que el primer transistor (210, 220) funciona en una región de subumbral; y

un segundo transistor (212, 222) configurado para polarizar el dispositivo limitador de voltaje (224, 226) con una corriente, en el que:

un drenaje del segundo transistor (212, 222) está conectado con la puerta del primer transistor (210, 220);

una puerta del segundo transistor (212, 222) está conectada con el primer nodo (214); y

una fuente del segundo transistor (212, 222) está conectada con un potencial eléctrico.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2015/059451.

Solicitante: QUALCOMM INCORPORATED.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 5775 MOREHOUSE DRIVE SAN DIEGO, CA 92121-1714 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.

Inventor/es: TAGHIVAND,MAZHAREDDIN, RAJAVI,YASHAR, KHALILI,ALIREZA.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H03H11/24 SECCION H — ELECTRICIDAD.H03 CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS.H03H REDES DE IMPEDANCIA, p. ej. CIRCUITOS RESONANTES; RESONADORES (medidas, ensayos G01R; disposiciones para producir una reverberación sonora o un eco G10K 15/08; redes de impedancia o resonadores que se componen de impedancias distribuidas, p. ej. del tipo guía de ondas, H01P; control de la amplificación, p. ej. control del ancho de banda de los amplificadores, H03G; sintonización de circuitos resonantes, p. ej. sintonización de circuitos resonantes acoplados, H03J; redes para modificar las características de frecuencia de sistemas de comunicación H04B). › H03H 11/00 Redes que utilizan elementos activos. › Atenuadores independientes de la frecuencia.

PDF original: ES-2821452_T3.pdf

 

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