Sustrato de pastilla embebida con taladro posterior.

Un dispositivo, que comprende:

un sustrato (302, 402, 702) que tiene un primer lado y un segundo lado opuesto,



en el que el sustrato es un sustrato central que incluye una capa conductora (304, 404, 704), una primera capa dieléctrica (306, 406, 706) adyacente a una primera superficie de la capa conductora (304, 404, 704) y una segunda capa dieléctrica (308, 408, 708) adyacente a una segunda superficie opuesta de la capa conductora (304, 404, 704);

una cavidad (322, 422, 722) definida dentro del sustrato (302, 402, 702), en el que:

la cavidad (322, 422, 722) carece de la primera capa dieléctrica (306, 406, 706) y la capa conductora (304, 404, 704), y

un suelo de la cavidad (322, 422, 722) está definido por la segunda capa dieléctrica (308, 408, 708); una pastilla (324, 424, 724) acoplada al suelo de la cavidad (322, 422, 722), teniendo la pastilla (324, 424, 724) una placa conductora (328, 428, 728) en un lado de la pastilla distal al suelo de la cavidad (322, 422, 20 722);

un orificio (310H, 410H, 710H) que se extiende a través de, y está definido dentro de la segunda capa dieléctrica (308, 408, 708), la pastilla (324, 424, 724) y la placa conductora (328, 428, 728); y

un material conductor dentro del orificio (310H, 410H, 710H) y que se extiende entre y a través de la segunda capa dieléctrica (308, 408, 708), la pastilla (324, 424, 724) y la placa conductora (328, 428, 728).

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2017/022829.

Solicitante: QUALCOMM INCORPORATED.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 5775 MOREHOUSE DRIVE SAN DIEGO, CA 92121-1714 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.

Inventor/es: FU,JIE, KIM,DAEIK, ZUO,CHENGJIE, YUN,CHANGHAN, KIM,JONGHAE, KIM,CHIN-KWAN, ALDRETE,MANUEL, VELEZ,MARIO.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L21/48 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Fabricación o tratamiento de partes, p. ej. de contenedores, antes del ensamblado de los dispositivos, utilizando procedimientos no cubiertos por un único grupo de H01L 21/06 - H01L 21/326.
  • H01L21/768 H01L 21/00 […] › Fijación de interconexiones que sirvan para conducir la corriente entre componentes separados en el interior de un dispositivo.
  • H01L23/48 H01L […] › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › Disposiciones para conducir la corriente eléctrica hacia o desde el cuerpo de estado sólido durante su funcionamiento, p. ej. hilos de conexión o bornes.
  • H01L23/498 H01L 23/00 […] › Conexiones eléctricas sobre sustratos aislantes.
  • H01L23/538 H01L 23/00 […] › estando la estructura de interconexión entre una pluralidad de chips semiconductores situada en el interior o encima de sustratos aislantes.

PDF original: ES-2821728_T3.pdf

 

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