CIP-2021 : G11C 17/18 : Circuitos auxiliares, p. ej. para la escritura en la memoria.

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G FISICA.

G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.

G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597).

G11C 17/00 Memorias de sólo lectura programables una sola vez; Memorias semipermanentes, p. ej. tarjetas de información que pueden ser reemplazadas a mano.

G11C 17/18 · · Circuitos auxiliares, p. ej. para la escritura en la memoria.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Sistema y procedimiento para reducir el esfuerzo de tensión de programación en dispositivos de celdas de memoria.

(08/01/2020) Una memoria OTP programable una vez , que comprende: una primera línea de palabra global (GWL1); un primer conjunto de líneas de bits (BL1-BLJ); una primera línea de palabra local (LWL11); un primer conjunto de celdas de memoria OTP (C11 - 1J) acopladas a la primera línea de palabra local y acopladas al primer conjunto de líneas de bits, respectivamente; y un primer controlador de línea de palabra local (LD11) configurado para generar una primera señal confirmada en la línea de palabra local en respuesta a la recepción de una segunda señal confirmada de la primera línea de palabra global y una tercera señal confirmada, en la que la tercera señal confirmada se genera en respuesta al menos a uno de un primer conjunto de señales de…

PROCESO Y CIRCUITO PARA FUSION DE FUSIBLES EN UN CIRCUITO INTEGRADO.

(01/07/1996). Solicitante/s: GEMPLUS CARD INTERNATIONAL. Inventor/es: KOWALSKI, JACEK.

LA INVENCION CONCIERNE A UN CIRCUITO DE PERFORACION DE FUSIBLE EN UN CIRCUITO INTEGRADO. EL FUSIBLE ES PERFORADO POR UNA TENSION DE PERFORACION (VPP) SUPERIOR A LA TENSION DE ALIMENTACION NORMAL (VCC) DEL CIRCUITO INTEGRADO. SI LA FUENTE DE TENSION DE PERFORACION SE REVELA INCAPAZ DE MANTENER UNA CORRIENTE DURADERA (ALGUNAS DECENAS DE MILISEGUNDOS) DESPUES DE LA PERFORACION, SE COMPRUEBA QUE LA FIABILIDAD DEL FUSIBLE PERFORADO NO ES BUENA. EL CIRCUITO SEGUN LA INVENCION INCLUYE UN MEDIO (T1, T3, T4) PARA APLICAR INICIALMENTE LA TENSION DE PERFORACION (VPP), Y UN MEDIO (T2) PARA UNIR EL FUSIBLE A LA FUENTE DE ALIMENTACION (VCC) INMEDIATAMENTE DESPUES DE LA PERFORACION. LA FUENTE DE ALIMENTACION DE VCC TOMA INMEDIATAMENTE EL RELEVO DE LA FUENTE DE TENSION DE PERFORACION DE VPP Y SUMINISTRA ENTONCES LA CORRIENTE NECESARIA.

PROCEDIMIENTO DE PROGRAMACION PARA MEMORIA INTEGRADA, EN PARTICULAR PARA TARJETA DE MEMORIA.

(16/10/1995). Solicitante/s: GEMPLUS CARD INTERNATIONAL. Inventor/es: MORGAVI, PAUL, BERTHOZAT, MICHEL.

LA INVENCION CONCIERNE A LOS PROCESOS DE PROGRAMACION DE LAS MEMORIAS DEL TIPO CON PROTECCION POR FUSIBLE EN PARTICULAR DE LAS UTILIZADAS EN LAS TERJETAS "ELECTRONICAS". CONSISTE EN APLICAR LA TENSION DE PERFORACION DURANTE UNA DURACION MUY SUPERIOR A LA CORRIENTEMENTE UTILIZADA Y EN LIMITAR LA CORRIENTE A UN VALOR TAMBIEN MUY SUPERIOR AL HABITUAL, TIPICAMENTE, SE COGE 100 MS Y 2 A. UNOS MEDIOS INFORMATICOS PROGRAMABLES PERMITEN REGULAR ESTOS VALORES Y PROCEDER A UNOS TESTS PREVIOS. PERMITE EVITAR LA RECONSTITUCION DEL FUSIBLE PERFORADO Y LOS ERRORES QUE SE DERIVAN.

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