TRANSISTOR TIPO JFET Y MÉTODO DE OBTENCIÓN DEL MISMO.

Se detalla un dispositivo semiconductor correspondiente a un transistor tipo JFET que presenta una disposición multicapa de varios materiales,

dando como resulta de esa disposición un dispositivo transistor tipo JFETvertical; es decir que la corriente fluye desde la parte superior del chip (fuente) hacia la parte inferior (drenador), atravesando todo el bloque de silicio, mientras que en un segundo aspecto de la invención se tiene un método para la fabricación del dispositivo JFET del primer aspecto; método que hace uso de la técnica de procesamiento DRIE (Deep reactive-ion etching).

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/ES2016/070662.

Solicitante: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC).

Nacionalidad solicitante: España.

Inventor/es: ULLAN COMES,MIGUEL, FERNÉNDEZ MARTÍNEZ,Pablo, HIDALGO VILLENA,Salvador, FLORES GUAL,David, GIULIO VILLANI,Enrico.

Fecha de Publicación: 30 de Marzo de 2017.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L29/778 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › con un canal bidimensional de gas de portadores de carga, p. ej. transistores de efecto de campo con alta movilidad electrónica (HEMT).

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