Conductor de alta frecuencia con una conductividad mejorada.
Un conductor de alta frecuencia (1), que comprende por lo menos un material de base conductor de la electricidad,
en el que la relación de las superficies externa e interna penetrables por una corriente del material de base al volumen total del material de base por subdivisión del material de base, perpendicularmente a la dirección de la corriente en dos segmentos (1a), (1b), que están distanciados por una pieza intermedia (1c) conductora de la electricidad así como conectados entre sí eléctrica y mecánicamente, que se compone de un material que es atacable por un agente corrosivo, frente al que es estable el material de base, ha aumentado en comparación con una conformación del material de base en la que se había suprimido esta subdivisión
caracterizado por que
por lo menos un segmento en cada dirección situada perpendicularmente a la dirección de la corriente tiene una dimensión comprendida entre el doble de la profundidad de efecto pelicular del material de base en el caso de la máxima frecuencia de servicio y el múltiplo de 2,5 de la profundidad de efecto pelicular del material de base en el caso de la más baja frecuencia de servicio.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/DE2014/000149.
Solicitante: FORSCHUNGSZENTRUM JULICH GMBH.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: 52425 Jülich ALEMANIA.
Inventor/es: MIKULICS,MARTIN, HARDTDEGEN,HILDE, GRÜTZMACHER,DETLEV.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/285 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › a partir de un gas o vapor, p. ej. condensación.
- H01L23/528 H01L […] › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › Configuración de la estructura de interconexión.
- H01L29/20 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › con únicamente compuestos A III B V aparte de los materiales de dopado u otras impurezas.
- H01L29/423 H01L 29/00 […] › que no transportan la corriente a rectificar, amplificar o conmutar.
- H01L29/778 H01L 29/00 […] › con un canal bidimensional de gas de portadores de carga, p. ej. transistores de efecto de campo con alta movilidad electrónica (HEMT).
- H01L31/0224 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Electrodos.
- H01L31/108 H01L 31/00 […] › siendo la barrera de potencial del tipo Schottky.
PDF original: ES-2621938_T3.pdf
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