Capa tampón optimizada para transistor con efecto de campo de alta movilidad.

Apilamiento (10) según un eje z para transistor con efecto de campo de alta movilidad electrónica,

que comprende:

- una capa tampón (12) que comprende un primer material semiconductor que comprende un compuesto binario o ternario o cuaternario de nitruro y que presenta una primera banda prohibida,

- una capa barrera (13) que comprende un segundo material semiconductor que comprende un compuesto binario o ternario o cuaternario de nitruro y que presenta una segunda banda prohibida,

- siendo la segunda banda prohibida superior a la primera banda prohibida,

- una heterounión (15) entre dicha capa tampón (12) y dicha capa barrera (13) y,

- un gas bidimensional de electrones (9) localizado en un plano xy perpendicular al eje z y en las inmediaciones de la heterounión (15),

en el que:

- dicha capa tampón (12) comprende una zona (Vf) que comprende cargas negativas fijas (70) de densidad volúmica ([Fv]) superior o igual a 1017 cm-3, presentando dicha zona (Vf) un espesor (t) inferior o igual a 200 nm, caracterizado porque:

estando el producto de la densidad volúmica de cargas negativas fijas ([Fv]) por el espesor (t) de la zona (Vf) comprendido entre 1012 cm-2 y 3.1013 cm-2, obteniéndose dichas cargas fijas a partir de impurezas de tipo aceptor (A) introducidas en dicha capa tampón.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2015/097004.

Solicitante: THALES.

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: Tour Carpe Diem, Place des Corolles, Esplanade Nord 92400 Courbevoie FRANCIA.

Inventor/es: JACQUET,JEAN-CLAUDE, AUBRY,RAPHAËL, GAMARRA,PIERO, JARDEL,OLIVIER, PIOTROWICZ,STÉPHANE.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L29/20 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › con únicamente compuestos A III B V aparte de los materiales de dopado u otras impurezas.
  • H01L29/205 H01L 29/00 […] › en diferentes regiones semiconductoras.
  • H01L29/32 H01L 29/00 […] › los defectos están en el interior del cuerpo semiconductor.
  • H01L29/36 H01L 29/00 […] › caracterizados por la concentración o la distribución de impurezas.
  • H01L29/778 H01L 29/00 […] › con un canal bidimensional de gas de portadores de carga, p. ej. transistores de efecto de campo con alta movilidad electrónica (HEMT).

PDF original: ES-2727347_T3.pdf

 

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