Capa tampón optimizada para transistor con efecto de campo de alta movilidad.

Apilamiento (10) según un eje z para transistor con efecto de campo de alta movilidad electrónica,

que comprende:

- una capa tampón (12) que comprende un primer material semiconductor que comprende un compuesto binario o ternario o cuaternario de nitruro y que presenta una primera banda prohibida,

- una capa barrera (13) que comprende un segundo material semiconductor que comprende un compuesto binario o ternario o cuaternario de nitruro y que presenta una segunda banda prohibida,

- siendo la segunda banda prohibida superior a la primera banda prohibida,

- una heterounión (15) entre dicha capa tampón (12) y dicha capa barrera (13) y,

- un gas bidimensional de electrones (9) localizado en un plano xy perpendicular al eje z y en las inmediaciones de la heterounión (15),

en el que:

- dicha capa tampón (12) comprende una zona (Vf) que comprende cargas negativas fijas (70) de densidad volúmica ([Fv]) superior o igual a 1017 cm-3, presentando dicha zona (Vf) un espesor (t) inferior o igual a 200 nm, caracterizado porque:

estando el producto de la densidad volúmica de cargas negativas fijas ([Fv]) por el espesor (t) de la zona (Vf) comprendido entre 1012 cm-2 y 3.1013 cm-2, obteniéndose dichas cargas fijas a partir de impurezas de tipo aceptor (A) introducidas en dicha capa tampón.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2015/097004.

Solicitante: THALES.

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: Tour Carpe Diem, Place des Corolles, Esplanade Nord 92400 Courbevoie FRANCIA.

Inventor/es: JACQUET,JEAN-CLAUDE, AUBRY,RAPHAËL, GAMARRA,PIERO, JARDEL,OLIVIER, PIOTROWICZ,STÉPHANE.

Fecha de Publicación: 15 de Octubre de 2019.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L29/20 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › con únicamente compuestos A III B V aparte de los materiales de dopado u otras impurezas.
H01L29/205 H01L 29/00 […] › en diferentes regiones semiconductoras.
H01L29/32 H01L 29/00 […] › los defectos están en el interior del cuerpo semiconductor.
H01L29/36 H01L 29/00 […] › caracterizados por la concentración o la distribución de impurezas.
H01L29/778 H01L 29/00 […] › con un canal bidimensional de gas de portadores de carga, p. ej. transistores de efecto de campo con alta movilidad electrónica (HEMT).

PDF original: ES-2727347_T3.pdf

Patentes similares o relacionadas:

Sensor microelectrónico para el diagnóstico intestinal y del tracto digestivo y seguimiento de la motilidad del tracto digestivo, del 17 de Junio de 2020, de Epitronic Holdings Pte. Ltd: Una cápsula ingerible para el diagnóstico intestinal y del tracto digestivo y el seguimiento de la motilidad del tracto digestivo que comprende: 1) un transistor […]

Sensores microelectrónicos para monitorización no invasiva de parámetros fisiológicos, del 6 de Mayo de 2020, de Epitronic Holdings Pte. Ltd: Un sensor microelectrónico para monitorización no invasiva de al menos un parámetro fisiológico de un paciente, que comprende al menos un transistor […]

TRANSISTOR TIPO JFET Y MÉTODO DE OBTENCIÓN DEL MISMO, del 30 de Marzo de 2017, de CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC): Se detalla un dispositivo semiconductor correspondiente a un transistor tipo JFET que presenta una disposición multicapa de varios materiales, dando […]

Conductor de alta frecuencia con una conductividad mejorada, del 24 de Febrero de 2016, de FORSCHUNGSZENTRUM JULICH GMBH: Un conductor de alta frecuencia , que comprende por lo menos un material de base conductor de la electricidad, en el que la relación de las superficies externa e interna […]

TRANSISTOR CON EFECTO DE CAMPO., del 1 de Abril de 2003, de MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.: EN UN SUSTRATO INP SEMI - AISLANTE ADULTERADO CON HIERRO, UNA PRIMERA CAPA DE SEPARACION DE IN 0,52 AL 0,48 AS NO ADULTERADO, UNA SEGUNDA CAPA DE SEPARACION […]

PERFECCIONAMIENTOS EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES., del 1 de Octubre de 1980, de WESTERN ELECTRIC COMPANY, INC.: Perfeccionamientos en dispositivos semiconductores que comprenden una pluralidad de capas de material semiconductor unidas a tope de un tipo […]

Componente de semiconductor de potencia con capa amortiguadora, del 2 de Mayo de 2012, de SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH & CO. KG: Un componente de semiconductor con por lo menos una transición desde un primer dopado hasta un segundo dopado, una transición PN, con una secuencia de capas de una primera zona […]

PROCEDIMIENTO DE UTILIZACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR QUE COMPRENDE UN SUSTRATO QUE TIENE UN ISLOTE SEMICONDUCTOR DIELECTRICAMENTE AISLADO., del 16 de Febrero de 2001, de HARRIS CORPORATION: LA ZONA DE OCUPACION Y EL GROSOR DE ESTRUCTURAS DE TRANSISTOR EN ISLOTES AISLADOS DIELECTRICAMENTE, QUE EMPLEAN UN SUBCOLECTOR ENTERRADO PARA […]