CIP-2021 : H01L 29/778 : con un canal bidimensional de gas de portadores de carga,

p. ej. transistores de efecto de campo con alta movilidad electrónica (HEMT).

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H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).

H01L 29/778 · · · · · con un canal bidimensional de gas de portadores de carga, p. ej. transistores de efecto de campo con alta movilidad electrónica (HEMT).

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Sensor microelectrónico para el diagnóstico intestinal y del tracto digestivo y seguimiento de la motilidad del tracto digestivo.

(17/06/2020) Una cápsula ingerible para el diagnóstico intestinal y del tracto digestivo y el seguimiento de la motilidad del tracto digestivo que comprende: 1) un transistor sensible a la carga, o una matriz del mismo, para la detección de potenciales del tejido del tracto digestivo creados a partir de la señalización neuronal o a partir de los potenciales del tejido peristáltico muscular, en donde dicho transistor sensible a la carga es un transistor pseudoconductor de alta movilidad de electrones (PC-HEMT) que comprende: a) una estructura de heterounión multicapa elaborada a partir de materiales semiconductores monocristalinos o policristalinos III-V, comprendiendo dicha…

Sensores microelectrónicos para monitorización no invasiva de parámetros fisiológicos.

(06/05/2020) Un sensor microelectrónico para monitorización no invasiva de al menos un parámetro fisiológico de un paciente, que comprende al menos un transistor de movilidad de electrones seudoconductivo de puerta abierta (PC-HEMT, del inglés pseudo-conductive high-electron mobility transistor), impreso en una placa de circuitos impresos flexible (PCB) , y conectado con su línea dedicada de contacto eléctrico impresa en dicha PCB ; caracterizado por que dicho transistor comprende: (a) una estructura de heterounión multicapa hecha de materiales semiconductores monocristalinos o policristalinos de nitruro de galio…

Capa tampón optimizada para transistor con efecto de campo de alta movilidad.

(15/10/2019) Apilamiento según un eje z para transistor con efecto de campo de alta movilidad electrónica, que comprende: - una capa tampón que comprende un primer material semiconductor que comprende un compuesto binario o ternario o cuaternario de nitruro y que presenta una primera banda prohibida, - una capa barrera que comprende un segundo material semiconductor que comprende un compuesto binario o ternario o cuaternario de nitruro y que presenta una segunda banda prohibida, - siendo la segunda banda prohibida superior a la primera banda prohibida, - una heterounión entre dicha capa tampón y dicha capa barrera y, - un gas bidimensional de electrones localizado en un plano…

TRANSISTOR TIPO JFET Y MÉTODO DE OBTENCIÓN DEL MISMO.

(30/03/2017). Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC). Inventor/es: ULLAN COMES,MIGUEL, FERNÉNDEZ MARTÍNEZ,Pablo, HIDALGO VILLENA,Salvador, FLORES GUAL,David, GIULIO VILLANI,Enrico.

Se detalla un dispositivo semiconductor correspondiente a un transistor tipo JFET que presenta una disposición multicapa de varios materiales, dando como resulta de esa disposición un dispositivo transistor tipo JFETvertical; es decir que la corriente fluye desde la parte superior del chip (fuente) hacia la parte inferior (drenador), atravesando todo el bloque de silicio, mientras que en un segundo aspecto de la invención se tiene un método para la fabricación del dispositivo JFET del primer aspecto; método que hace uso de la técnica de procesamiento DRIE (Deep reactive-ion etching).

Conductor de alta frecuencia con una conductividad mejorada.

(24/02/2016) Un conductor de alta frecuencia , que comprende por lo menos un material de base conductor de la electricidad, en el que la relación de las superficies externa e interna penetrables por una corriente del material de base al volumen total del material de base por subdivisión del material de base, perpendicularmente a la dirección de la corriente en dos segmentos (1a), (1b), que están distanciados por una pieza intermedia (1c) conductora de la electricidad así como conectados entre sí eléctrica y mecánicamente, que se compone de un material que es atacable por un agente corrosivo, frente al que es estable el material de base, ha aumentado en comparación con una conformación del material de base en la que se había suprimido esta subdivisión caracterizado por que por lo…

TRANSISTOR CON EFECTO DE CAMPO.

(01/04/2003). Ver ilustración. Solicitante/s: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.. Inventor/es: TANABE, MITSURU.

EN UN SUSTRATO INP SEMI - AISLANTE ADULTERADO CON HIERRO, UNA PRIMERA CAPA DE SEPARACION DE IN 0,52 AL 0,48 AS NO ADULTERADO, UNA SEGUNDA CAPA DE SEPARACION EN UNA ESTRUCTURA RETICULAR SUPERPUESTA DE IN 0,52 AL 0,48 AS NO ADULTERADO Y AL 0,25 GA 0,75 AS NO ADULTERADO, UNA TERCERA CA PA DE SEPARACION DE IN 0,52 AL 0,48 AS NO ADULTERADO, UNA CAPA DE CANAL DE IN 0,53 GA 0,47 AS, UNA CAPA DISTANCIADORA DE IN 0,52 AL 0,48 AS, NO ADULTERADO, UNA CA PA DE ADULTERACION DELTA DE SILICIO Y UNA CAPA SCHOTTKY DE IN SUB,0,52 AL 0,48 AS SON SATISFACTORIAMENTE SUPERPUESTAS. S OBRE LA CAPA SCHOTTKY, SE FORMA UNA CAPA DE RECUBRIMIENTO EN UNA ESTRUCTURA REBAJADA. SOBRE LA CAPA DE RECUBRIMIENTO, SE FORMAN UN ELECTRODO DE FUENTE Y UN ELECTRODO DE DRENAJE, CON UN ELECTRODO DE PUERTA EN UN AREA REBAJADA DE LA CAPA DE RECUBRIMIENTO.