Sensor microelectrónico para el diagnóstico intestinal y del tracto digestivo y seguimiento de la motilidad del tracto digestivo.

Una cápsula ingerible para el diagnóstico intestinal y del tracto digestivo y el seguimiento de la motilidad del tracto digestivo que comprende:



1) un transistor sensible a la carga, o una matriz del mismo, para la detección de potenciales del tejido del tracto digestivo creados a partir de la señalización neuronal o a partir de los potenciales del tejido peristáltico muscular, en donde dicho transistor sensible a la carga es un transistor pseudoconductor de alta movilidad de electrones (PC-HEMT) que comprende:

a) una estructura de heterounión multicapa elaborada a partir de materiales semiconductores monocristalinos o policristalinos III-V, comprendiendo dicha estructura al menos una capa de amortiguación y al menos una capa barrera, apilándose dichas capas alternativamente y depositando dicha estructura sobre una capa sustrato;

b) un canal conductor que comprende un gas de electrones bidimensional (2DEG) o un gas de huecos bidimensional (2DHG), formado en la interfase entre dicha capa de amortiguación y dicha capa barrera y que proporciona una corriente de electrones o huecos en dicho transistor entre los contactos de fuente y drenaje;

c) los contactos de fuente y drenaje conectados a dicho canal conductor 2DEG o 2DHG y a metalizaciones eléctricas para conectar dicho transistor a un circuito eléctrico; y

d) un área de puerta abierta entre dichos contactos de fuente y drenaje; y

2) un transistor sensible a la presión, o una matriz del mismo, para la detección de cambios en la presión del tracto digestivo, en donde dicho transistor sensible a la presión es un transistor pseudoconductor de alta movilidad de electrones (PC-HEMT) que comprende:

a) una estructura de heterounión multicapa elaborada a partir de materiales semiconductores monocristalinos o policristalinos III-V, comprendiendo dicha estructura al menos una capa de amortiguación y al menos una capa barrera, apilándose dichas capas alternativamente y colocándose dicha estructura sobre membranas autoportantes;

b) un canal conductor que comprende un gas de electrones bidimensional (2DEG) o un gas de huecos bidimensional (2DHG), formado en la interfase entre dicha capa de amortiguación y dicha capa barrera y que proporciona una corriente de electrones o huecos en dicho transistor entre los contactos de fuente y drenaje;

c) los contactos de fuente y drenaje conectados a dicho canal conductor 2DEG o 2DHG y a metalizaciones eléctricas para conectar dicho transistor a un circuito eléctrico; y

d) un área de puerta abierta entre dichos contactos de fuente y drenaje; y

en donde:

(i) el espesor de una capa superior (barrera o de amortiguación) de dicha estructura de heterounión multicapa en dicha área de puerta abierta de uno cualquiera de dichos transistores sensibles a la carga o sensibles a la presión es de 5-9 nanómetros (nm) que corresponde al rango de corriente pseudoconductora entre el modo de funcionamiento normalmente encendido y normalmente apagado de los transistores, y

(ii) la superficie de dicha capa superior de la estructura de heterounión multicapa en uno cualquiera de dichos transistores sensibles a la carga o sensibles a la presión tiene una rugosidad de aproximadamente 0,2 nm o menos.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/IB2017/051322.

Solicitante: Epitronic Holdings Pte. Ltd.

Nacionalidad solicitante: Singapur.

Dirección: 100 Tras Street, Nr. 16-01 100 AM Singapore 079027 SINGAPUR.

Inventor/es: RAM,AYAL.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • A61B1/04 SECCION A — NECESIDADES CORRIENTES DE LA VIDA.A61 CIENCIAS MEDICAS O VETERINARIAS; HIGIENE.A61B DIAGNOSTICO; CIRUGIA; IDENTIFICACION (análisis de material biológico G01N, p.ej. G01N 33/48). › A61B 1/00 Instrumentos para proceder al examen médico de las cavidades o conductos del cuerpo por inspección visual o fotográfica, p. ej. endoscopios (examen de las cavidades o conductos del cuerpo utilizando ondas ultrasónicas, sónicas o infrasónicas A61B 8/12; instrumentos endoscópicos para la toma de muestras celulares o para biopsias A61B 10/04; con fines quirúrgicos A61B 17/00; instrumentos quirúrgicos que utilizan un rayo láser dirigido a lo largo o a través de un conducto flexible A61B 18/22 ); Dispositivos de iluminación al efecto (para los ojos A61B 3/00). › combinados con dispositivos fotográficos o de televisión.
  • A61B5/03 A61B […] › A61B 5/00 Medidas encaminadas a establecer un diagnóstico (diagnóstico por medio de radiaciones A61B 6/00; diagnóstico por ondas ultrasónicas, sónicas o infrasónicas A61B 8/00 ); Identificación de individuos. › Medida de la presión de los fluidos en el interior del cuerpo diferente a la presión sanguínea, p. ej. de la presión cerebral.
  • A61B5/07 A61B 5/00 […] › Endorradiosondas.
  • G01L9/00 SECCION G — FISICA.G01 METROLOGIA; ENSAYOS.G01L MEDIDA DE FUERZAS, TENSIONES, PARES, TRABAJO, POTENCIA MECANICA, RENDIMIENTO MECANICO O DE LA PRESION DE LOS FLUIDOS (pesado G01G). › Medida de la presión permanente, o cuasi-permanente de un fluido o de un material sólido fluyente por elementos eléctricos o magnéticos sensibles a la presión; Transmisión o indicación por medios eléctricos o magnéticos del desplazamiento de los elementos mecánicos sensibles a la presión, utilizados para medir la presión permanente o cuasi-permanente de un fluido o de un material sólido fluyente (medida de las diferencias entre dos o más valores de la presión G01L 13/00; medida simultánea de dos o más valores de la presión G01L 15/00).
  • H01L29/778 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › con un canal bidimensional de gas de portadores de carga, p. ej. transistores de efecto de campo con alta movilidad electrónica (HEMT).
  • H01L29/84 H01L 29/00 […] › controlables por la variación de una fuerza mecánica aplicada, p. ej. una presión (H01L 29/96 tiene prioridad).

PDF original: ES-2819878_T3.pdf

 

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