Sensores microelectrónicos para monitorización no invasiva de parámetros fisiológicos.

Un sensor microelectrónico para monitorización no invasiva de al menos un parámetro fisiológico de un paciente,

que comprende al menos un transistor de movilidad de electrones seudoconductivo de puerta abierta (PC-HEMT, del inglés pseudo-conductive high-electron mobility transistor), impreso en una placa de circuitos impresos flexible (PCB) (108), y conectado con su línea dedicada de contacto eléctrico (103) impresa en dicha PCB (108); caracterizado por que dicho transistor comprende:

(a) una estructura de heterounión multicapa hecha de materiales semiconductores monocristalinos o policristalinos de nitruro de galio (GaN) y nitruro de galio aluminio (AlGaN), y depositada en una capa de sustrato (10) o colocada en membranas independientes (23);

• dicha estructura comprende (i) una capa de GaN superior rebajada en un área de puerta abierta (17) del transistor al grosor de 5-9 nm y que tiene la rugosidad de superficie de 0.2 nm o menos, (ii) una capa inferior amortiguadora de GaN (11), y (iii) una capa de barrera de AlGaN (12) entremedio; dichas capas tienen polaridad de cara-Ga, formando así un canal conductor (13) de gas de orificio bidimensional (2DHG, del inglés twodimensional hole gas) en la capa de GaN superior, cerca de la interfaz con dicha capa de barrera de AlGaN (12);

o

• dicha estructura comprende (i) una capa de GaN superior rebajada en un área de puerta abierta (17) del transistor al grosor de 5-9 nm y que tiene la rugosidad de superficie de 0.2 nm o menos, (ii) una capa inferior amortiguadora de GaN (11), y (iii) una capa de barrera de AlGaN (12) entremedio; dichas capas tienen polaridad de cara-N, formando así un canal conductor (13) de gas de electrones bidimensional (2DEG, del inglés two20 dimensional electron gas) en la capa de GaN superior, cerca de la interfaz con dicha capa de barrera de AlGaN (12); y

(b) contactos de fuente y drenaje (15) conectados a dicho canal conductor de 2DEG o 2DHG (13) y a metalizaciones eléctricas (14) para conectar dicho transistor a un circuito eléctrico (102).

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/IB2017/051320.

Solicitante: Epitronic Holdings Pte. Ltd.

Nacionalidad solicitante: Singapur.

Dirección: 100 Tras Street, Nr. 16-01 100 AM Singapore 079027 SINGAPUR.

Inventor/es: RAM,AYAL.

Fecha de Publicación: 6 de Mayo de 2020.

Clasificación Internacional de Patentes:

A61B5/00 NECESIDADES CORRIENTES DE LA VIDA. › A61 CIENCIAS MEDICAS O VETERINARIAS; HIGIENE. › A61B DIAGNOSTICO; CIRUGIA; IDENTIFICACION (análisis de material biológico G01N, p.ej. G01N 33/48). › Medidas encaminadas a establecer un diagnóstico (diagnóstico por medio de radiaciones A61B 6/00; diagnóstico por ondas ultrasónicas, sónicas o infrasónicas A61B 8/00 ); Identificación de individuos.
H01L29/778 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › con un canal bidimensional de gas de portadores de carga, p. ej. transistores de efecto de campo con alta movilidad electrónica (HEMT).

PDF original: ES-2813111_T3.pdf

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