Dispositivo de transistor bipolar de compuerta aislada que comprende un transistor de efecto de campo de compuerta aislado conectado en serie con un transistor de efecto de campo de ensamblaje que tiene un contacto de drenaje modificado.

Un dispositivo transistor bipolar de puerta aislada en el que se conecta un primer transistor (1) de efecto de campo de puerta aislada en serie con un segundo transistor de efecto de campo,

FET, (2),

en el que el segundo transistor (2) de efecto de campo es un transistor de efecto de campo de unión JFET, y tiene una región (16) de contacto de drenaje modificado que está comprendido puramente de una primera área de contacto de tipo conductividad, el primer tipo de conductividad es opuesto a un segundo tipo de conductividad de una bolsa (11) que rodea la región (16) de contacto de drenaje modificada,

en el que el transistor (2) de efecto de campo de unión tiene una región (16A) de contacto de fuente dopada pesadamente del segundo tipo de conductividad que se conecta eléctricamente a una región (161) de contacto de drenaje dopada pesadamente del segundo tipo de conductividad del primer transistor (1) de efecto de campo de compuerta aislado, en el que tanto el primer transistor (1) de efecto de campo de compuerta aislado como el segundo transistor (2) de efecto de campo con región de contacto de drenaje modificado se incorporan en la región de superficie de un sustrato (10) común, en el que en dicho sustrato común, la región (161) de contacto de drenaje del primer transistor de efecto de campo de compuerta aislada se separa y se aísla de la región (16A) de contacto fuente del transistor de efecto de campo de unión, el primer transistor de efecto de campo de compuerta aislado tiene una región (131) fuente del segundo tipo de conductividad, y en el que la tensión disruptiva del primer transistor (1) de efecto de campo de compuesta aislada es mayor que la tensión de estrangulamiento, Vp, del segundo transistor (2) de efecto de campo.

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E15161312.

Solicitante: Eklund, Klas-Håkan.

Nacionalidad solicitante: Suecia.

Dirección: Norrtäljevägen 14D 753 27 Uppsala SUECIA.

Inventor/es: Eklund,Klas-Håkan.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L27/085 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › comprendiendo únicamente componentes de efecto de campo.
  • H01L29/08 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › con regiones semiconductoras conectadas a un electrodo que transporta la corriente a rectificar, a amplificar o conmutar, formando parte este electrodo de un dispositivo semiconductor que tiene tres electrodos o más.
  • H01L29/739 H01L 29/00 […] › controlados por efecto de campo.
  • H01L29/808 H01L 29/00 […] › de unión PN.
  • H01L29/861 H01L 29/00 […] › Diodos.

PDF original: ES-2660471_T3.pdf

 

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