UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.

Dispositivo semi-conductor que comprende un conjunto de electrodos semiconductores,

cuyo cuerpo semiconductor tiene una estructura de diodo constituida por dos electrodos de diferentes tipos con una porción altamente ohmica otro electrodo rectificador llamado "electrodo de control" cuya capa de agotamiento puede interrumpir el camino de corriente en la estructura de diodo desde el electrodo de tipo diferente como electrodo de control, llamado "electrodo de fuente", al electrodo de tipo correspondiente al electrodo de control, llamado "electrodo de base", caracterizadas por el hecho de que la base y el electrodo de fuente están incluidos entre dos conductores que pueden estar conectados entre sí de una manera conductora mediante el control de la relación corriente-tensión con característica de ruptura y la porción de resistencia negativa adyacente tal como se obtiene entre la base y el electrodo de fuente por la acción de un potencial de bloqueo bajo que actúa entre el electrodo decontrol y el electro de fuente, por ejemplo el potencial de contracto entre el electrodo de control y el electrodo de fuente mismo

Tipo: Patente de Invención. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: P0257593.

Solicitante: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.

Nacionalidad solicitante: Países Bajos.

Fecha de Solicitud: 25 de Abril de 1960.

Fecha de Publicación: .

Fecha de Concesión: 6 de Mayo de 1960.

Clasificación PCT:

  • H01L29/739 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › controlados por efecto de campo.
  • H03K17/72 H […] › H03 CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS.H03K TECNICA DE IMPULSO (medida de las características de los impulsos G01R; modulación de oscilaciones sinusoidales por impulsos H03C; transmisión de información digital, H04L; circuitos discriminadores de detección de diferencia de fase entre dos señales de conteo o integración de ciclos de oscilación H03D 3/04; control automático, arranque, sincronización o estabilización de generadores de oscilaciones o de impulsos electrónicos donde el tipo de generador es irrelevante o esta sin especificar H03L; arranque, sincronización o estabilización de generadores cuando el tipo de generadores es indiferente o no especificado H03L; codificación, decodificación o conversión de código, en general H03M). › H03K 17/00 Conmutación o apertura de puerta electrónica, es decir, por otros medios distintos al cierre y apertura de contactos (amplificadores controlados H03F 3/72; disposiciones de conmutación para los sistemas de centrales que utilizan dispositivos estáticos H04Q 3/52). › Dispositivos semiconductores bipolares con al menos tres uniones PN, p. ej. tiristores, transistores uniunión programables, o con al menos cuatro electrodos, p. ej. conmutadores controlados por silicio, o con dos electrodos conectados a la misma región de conductividad, p. ej. transistores uniunión.
  • H03K3/02 H03K […] › H03K 3/00 Circuitos para la generación de impulsos eléctricos; Circuitos monoestables, biestables o multiestables (H03K 4/00 tiene prioridad; para generadores de funciones digitales en ordenadores G06F 1/02). › Generadores caracterizados por el tipo de circuito o por los medios utilizados para producir impulsos (H03K 3/64 - H03K 3/84 tienen prioridad).
  • H03K4/84 H03K […] › H03K 4/00 Generación de impulsos que tienen como característica esencial una pendiente definida o partes escalonadas. › Generadores en los cuales los dispositivos semiconductores son conductores durante el tiempo de retorno del ciclo.

Clasificación antigua:

  • H01L29/739 H01L 29/00 […] › controlados por efecto de campo.
  • H03K17/72 H03K 17/00 […] › Dispositivos semiconductores bipolares con al menos tres uniones PN, p. ej. tiristores, transistores uniunión programables, o con al menos cuatro electrodos, p. ej. conmutadores controlados por silicio, o con dos electrodos conectados a la misma región de conductividad, p. ej. transistores uniunión.
  • H03K3/02 H03K 3/00 […] › Generadores caracterizados por el tipo de circuito o por los medios utilizados para producir impulsos (H03K 3/64 - H03K 3/84 tienen prioridad).
  • H03K4/84 H03K 4/00 […] › Generadores en los cuales los dispositivos semiconductores son conductores durante el tiempo de retorno del ciclo.
UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.

Patentes similares o relacionadas:

Dispositivo semiconductor con estructura de terminación mejorada para aplicaciones de alto voltaje y su procedimiento de fabricación, del 3 de Junio de 2020, de Vishay General Semiconductor LLC: Un dispositivo semiconductor que comprende una estructura de terminación, con dicho dispositivo semiconductor que comprende: - un sustrato semiconductor que […]

Semiconductor de potencia no uniforme y método de fabricación, del 7 de Mayo de 2019, de IXYS CORPORATION: Un dispositivo semiconductor transistor bipolar de puerta aislada comprendiendo: una pastilla semiconductora con un área activa comprendiendo un conjunto de celdas […]

Unidad de grifo para un dosificador de bebida, del 14 de Marzo de 2018, de KONINKLIJKE PHILIPS N.V: Una parte de dispensación de bebida para su uso con una unidad de cartucho que tiene un canal interior para la dispensación de una bebida, comprendiendo […]

Dispositivo de transistor bipolar de compuerta aislada que comprende un transistor de efecto de campo de compuerta aislado conectado en serie con un transistor de efecto de campo de ensamblaje que tiene un contacto de drenaje modificado, del 13 de Diciembre de 2017, de Eklund, Klas-Håkan: Un dispositivo transistor bipolar de puerta aislada en el que se conecta un primer transistor de efecto de campo de puerta aislada en serie con un segundo transistor […]

ESTRUCTURA PARA AUMENTAR LA TENSION MAXIMA DE TRANSISTORES DE POTENCIA DE CARBURO DE SILICIO., del 16 de Julio de 2005, de COOPER, JAMES, ALBERT, JR. TAN, JIAN: SE PRESENTA UN TRANSISTOR DE POTENCIA DE COMPUERTA AISLADA DE CARBURO DE SILICIO QUE PRESENTA UNA TENSION MAXIMA MAYOR. EL TRANSISTOR INCLUYE UN […]

FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR., del 16 de Agosto de 2002, de TOTEM SEMICONDUCTOR LTD: UN METODO PARA FORMAR UN FOSO DOPADO COMO PARTE DE LA FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TAL COMO UN DISPOSITIVO DE POTENCIA CON PUERTA DE FOSO, TRANSISTOR […]

MÉTODO PARA LA FABRICACIÓN DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DE ENERGÍA, del 15 de Septiembre de 2011, de ABB TECHNOLOGY AG: Método para la fabricación de un dispositivo semiconductor de energía, que comprende las siguientes etapas de fabricación: Se produce una […]

Imagen de 'DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS NANOELECTRICOS'DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS NANOELECTRICOS, del 16 de Diciembre de 2007, de BTG INTERNATIONAL LIMITED: Componente de circuito electrónico, que comprende un sustrato que soporta portadores de carga móviles, medios […]

Utilizamos cookies para mejorar nuestros servicios y mostrarle publicidad relevante. Si continua navegando, consideramos que acepta su uso. Puede obtener más información aquí. .