ESTRUCTURA PARA AUMENTAR LA TENSION MAXIMA DE TRANSISTORES DE POTENCIA DE CARBURO DE SILICIO.
SE PRESENTA UN TRANSISTOR DE POTENCIA DE COMPUERTA AISLADA DE CARBURO DE SILICIO QUE PRESENTA UNA TENSION MAXIMA MAYOR.
EL TRANSISTOR INCLUYE UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO O DE COMPUERTA AISLADA CON UNA REGION PROTECTORA (23, 43) ADYACENTE A LA COMPUERTA AISLADA QUE TIENE UN TIPO DE CONDUCTIVIDAD OPUESTA A LA DE LA FUENTE (14, 34) PARA PROTEGER EL MATERIAL AISLANTE DE LA COMPUERTA (17, 37) CONTRA EL EFECTO DE DEGRADACION O RUPTURA DE UNA GRAN TENSION APLICADA A TRAVES DEL DISPOSITIVO. EL DISPOSITIVO INCLUYE OPCIONALMENTE UNA CAPA INTENSIFICADORA DE LA CORRIENTE (67, 83) QUE TIENE UN TIPO DE CONDUCTIVIDAD OPUESTA A LA DE LA REGION PROTECTORA Y SE COLOCA ENTRE LA REGION PROTECTORA Y OTRA REGION DEL TRANSISTOR CON EL PRIMER TIPO CONDUCTIVIDAD.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: COOPER, JAMES, ALBERT, JR.
TAN, JIAN.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 511 KERBER ROAD,WEST LAFAYETTE, IN 47906.
Inventor/es: COOPER, JAMES, ALBERT, JR., TAN, JIAN.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 6 de Febrero de 1998.
Fecha Concesión Europea: 12 de Enero de 2005.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L29/24 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › con únicamente materiales semiconductores inorgánicos, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, no previstos en los grupos H01L 29/16, H01L 29/18, H01L 29/20 o H01L 29/22.
- H01L29/739 H01L 29/00 […] › controlados por efecto de campo.
- H01L29/78 H01L 29/00 […] › estando producido el efecto de campo por una puerta aislada.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Mónaco, Irlanda, Finlandia, Oficina Europea de Patentes, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Federación de Rusia, Sudán, Tayikistán, Turkmenistán, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.
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