CIP-2021 : H01L 29/808 : de unión PN.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L 29/808 · · · · · · de unión PN.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Método para fabricar un JFET de triple implante.
(08/04/2020). Solicitante/s: United Silicon Carbide Inc. Inventor/es: BHALLA,ANUP, LI,ZHONGDA.
Un método para crear un JFET (o 'transistor de efecto de campo de unión o juntura'), que comprende:
a. aplicar una primera máscara a una lámina u oblea para formar una primera capa de enmascaramiento dura y estampada en la parte superior de la oblea, de manera que la oblea comprende una región de deriva superior y una región de drenaje inferior ;
b. aplicar tres implantes a la porción 'no enmascarada' de la parte superior de la oblea para formar una región de la compuerta inferior (605b), una región del canal horizontal y una región de la compuerta superior (605a) en la parte o porción superior de la región de deriva ;
c. formar una región de la fuente en una parte o porción de la región de la compuerta superior;
d. conectar las regiones de la compuerta superior y la compuerta inferior (605a, 605b).
PDF original: ES-2794629_T3.pdf
Dispositivo de transistor bipolar de compuerta aislada que comprende un transistor de efecto de campo de compuerta aislado conectado en serie con un transistor de efecto de campo de ensamblaje que tiene un contacto de drenaje modificado.
(13/12/2017) Un dispositivo transistor bipolar de puerta aislada en el que se conecta un primer transistor de efecto de campo de puerta aislada en serie con un segundo transistor de efecto de campo, FET, ,
en el que el segundo transistor de efecto de campo es un transistor de efecto de campo de unión JFET, y tiene una región de contacto de drenaje modificado que está comprendido puramente de una primera área de contacto de tipo conductividad, el primer tipo de conductividad es opuesto a un segundo tipo de conductividad de una bolsa que rodea la región de contacto de drenaje modificada,
en el que el transistor de efecto de campo de unión tiene una región (16A) de contacto de fuente…
Procedimiento de fabricación de un transistor de efecto de campo de unión JFET.
(18/05/2016) Procedimiento de fabricación de un transistor de efecto de campo de tipo de puerta en zanja que comprende:
- La formación de al menos una zanja en una capa activa semiconductora de un primer tipo de conductividad de un substrato que comprende dos caras opuestas denominadas cara delantera y cara trasera,
- La implantación primaria de iones que tienen un segundo tipo de conductividad de modo que se implante cada zanja del substrato para formar una región activa de puerta,
- El depósito de una capa de silicio policristalino del segundo tipo de conductividad sobre la región activa de puerta implantada,
- La oxidación parcial de la capa de silicio policristalino para obtener una película (3') aislante eléctricamente de…
METODO PARA LA FABRICACION DE PRENDAS INTERIORES Y SIMILARES.
(01/11/1982). Solicitante/s: HASHIMOTO,KENJI YABUMOTO,KENJI.
METODO PARA LA FABRICACION DE PRENDAS INTERIORES Y SIMILARES. COMPRENDE LAS SIGUIENTES OPERACIONES: PRIMERA, SE CONFECCIONA UNA PIEZA FRONTAL PARA CUBRIR LA PARTE INFERIOR DEL ABDOMEN, CON UNA PROLONGACION QUE SE EXTIENDE HACIA AFUERA DESDE CADA UNA DE SUS PARTES LATERALES OPUESTAS SUPERIORES; SEGUNDA, SE CONFECCIONA UNA PIEZA POSTERIOR , PRINCIPALMENTE PARA CUBRIR LAS NALGAS, CON UNA PROLONGACION QUE SE EXTIENDE HACIA AFUERA DE CADA UNA DE SUS PARTES LATERALES OPUESTAS SUPERIORES, OBLICUAMENTE HACIA ARRIBA; TERCERA, SE CONFECCIONA UNA PIEZA DE UNION PARA CUBRIR LA PARTE DE ENTREPIERNA; Y POR ULTIMO, SE UNEN MEDIANTE COSTURAS ADECUADAS, APLICADAS A SUS BORDES, LAS TRES PIEZAS CONFECCIONADAS. LAS PIEZAS FRONTAL Y POSTERIOR GENERALMENTE SE HACEN DE GENERO DE PUNTO ESTIRABLE.