APARATO RECEPTOR LÁSER BASADO EN FOTODIODO DE AVALANCHA TERMORREGULADO CON CONTROL EMBEBIDO.
Aparato receptor láser basado en fotodiodo de avalancha termorregulado con control embebido,
para la recepción de haces láser modulados en formato binario, con un fotodiodo de avalancha (2) que se encuentra sometido a tres lazos de control regulados por un microcontrolador (48): un lazo de control térmico encargado de mantener estable la temperatura del fotodiodo de avalancha (2); un lazo de control de sensibilidad del fotodiodo encargado de mantener estable la fotosensibilidad del fotodiodo de avalancha (2); un lazo de control de ganancia RMS encargado de controlar la ganancia y mantener la estabilidad de la señal proveniente del fotodiodo de avalancha (2). Aplicable para comunicaciones ópticas por láser.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/ES2012/000018.
Solicitante: UNIVERSIDAD DE MALAGA.
Nacionalidad solicitante: España.
Inventor/es: ROMERO SANCHEZ,JORGE, FERNANDEZ RAMOS,RAQUEL, MARTIN CANALES,JOSE FRANCISCO, RIOS GÓMEZ,FRANCISCO JAVIER, MARTÍN MARTÍN,FRANCISCO JAVIER.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L31/024 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Disposiciones para la refrigeración, el calentamiento, la ventilación o la compensación de temperatura (para dispositivos fotovoltaicos H01L 31/052).
- H01L31/107 H01L 31/00 […] › funcionando la barrera de potencial en régimen de avalancha, p. ej. fotodiodo de avalancha.
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