PERFECCIONAMIENTOS EN DETECTORES DE IONIZACION ACUMULATIVA.
FOTODETECTORES DE IONIZACION ACUMULATIVA. COMPRENDE UNA PLURALIDAD DE CAPAS SEMICONDUCTORAS (10,
11, 12, 13, 14, 15) DE TIPO DE CONDUCTIVIDAD ALTERNATIVAMENTE OPUESTO. LAS HETEROUNIONES (1.1; 1.2; 1.3) EN LAS ETAPAS AMPLIFICADORAS, ESTAN FORMADAS POR LAS CAPAS P Y N (10 Y 11; 12 Y 13; 14 Y 15) Y LAS HETEROUNIONES (1.4 Y 1.5) FORMADAS ENTRE LAS CAPAS N Y P (11 Y 12; 13 Y 14). AL APLICAR TENSION A LOS ELECTRODOS (21, 22, 23), FABRICADOS SOBRE LAS CAPAS P (10, 12, 14), SE PROPORCIONA POLARIDAD DIRECTA A LAS HETEROUNIONES (1.4; 1.5) Y POLARIDAD INVERSA A LAS HETEROUNIONES (1.1; 1.2; 1.3) Y SIRVEN PARA SEPARAR LAS LAGUNAS ACUMULADAS EN LAS TRAMPAS DEL DISPOSITIVO (1); ESTA SEPARACION DE LAGUNAS AYUDA TAMBIEN A MEJORAR EL TIEMPO DE RESPUESTA DEL DISPOSITIVO (1).
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: WESTERN ELECTRIC COMPANY, INC..
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 222 BROADWAY,NEW YORK,N.Y.10038.
Fecha de Solicitud: 5 de Agosto de 1980.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 16 de Abril de 1981.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L31/107 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › funcionando la barrera de potencial en régimen de avalancha, p. ej. fotodiodo de avalancha.
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