DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICO.
SE EXPONE UN DISPOSITIVO OPTOELECTRONICO DE SEMICONDUCTOR EN FORMA DE UN LED,
QUE COMPRENDE UNA UNION P - N DE SILICIO (10) QUE TIENE UNA REGION FOTOACTIVA (18) QUE CONTIENE BETA DISILICIURO DE HIERRO ( BE - FESI 2 ). EL LED PRODUCE ELECTR OLUMINISCENCIA A UNA LONGITUD DE ONDA DE APROXIMADAMENTE 1,5 MI UM. SE DESCRIBEN TAMBIEN DISPOSITIVOS FOTODETECTORES.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: UNIVERSITY OF SURREY.
Nacionalidad solicitante: Reino Unido.
Dirección: ,GUILDFORD, SURREY GU2 5XH.
Inventor/es: LEONG, DANIEL, HARRY, MILTON, ANTHONY, HOMEWOOD, KEVIN, REESON, KAREN, JOY.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 22 de Octubre de 1997.
Fecha Concesión Europea: 8 de Marzo de 2006.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/265 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › produciendo una implantación de iones.
- H01L29/267 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › en diferentes regiones semiconductoras.
- H01L31/032 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos no cubiertos por los grupos H01L 31/0272 - H01L 31/0312.
- H01L31/068 H01L 31/00 […] › siendo las barreras de potencial únicamente del tipo homounión PN, p. ej. células solares homounión PN en silicio masivo o células solares homounión PN en láminas delgadas de silicio policristalino.
- H01L31/103 H01L 31/00 […] › siendo la barrera de potencial de tipo homounión PN.
- H01L31/105 H01L 31/00 […] › siendo la barrera de potencial de tipo PIN.
- H01L31/107 H01L 31/00 […] › funcionando la barrera de potencial en régimen de avalancha, p. ej. fotodiodo de avalancha.
- H01L31/108 H01L 31/00 […] › siendo la barrera de potencial del tipo Schottky.
- H01L33/00 H01L […] › Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50 tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00).
Países PCT: Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Países Bajos, Suecia, Irlanda, Oficina Europea de Patentes, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Federación de Rusia, Sudán, Tayikistán, Turkmenistán, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.
Patentes similares o relacionadas:
Dispositivo fotovoltaico con un conjunto de fibras para seguimiento del sol, del 6 de Mayo de 2020, de FUNDACIÓ INSTITUT DE CIÈNCIES FOTÒNIQUES: Un dispositivo fotovoltaico que comprende: una célula solar que comprende una capa activa que reside entre la primera capa de contacto […]
Procedimiento para fabricar una película delgada a base de CI(G)S fotovoltaica mediante el uso de un fundente con un punto de fusión bajo, del 6 de Mayo de 2020, de KOREA INSTITUTE OF ENERGY RESEARCH: Un procedimiento de fabricación de una película delgada a base de CI(G)S para una celda solar mediante el uso de un fundente que tiene un punto de fusión […]
Nanopartículas de calcogenuro metálico para preparar una capa de absorción de luz de una célula solar, y método de preparación para esto, del 15 de Enero de 2020, de LG CHEM LTD.: Nanopartículas de calcogenuro metálico usadas para formar capas de absorción de luz de células solares que comprenden dos fases seleccionadas de una primera fase que […]
Disposición, sistema y procedimiento para el procesamiento de cuerpos multicapa, del 4 de Diciembre de 2019, de (CNBM) Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Co., Ltd: Disposición de cuerpos multicapa (28a a 28e), que comprende - al menos dos cuerpos multicapa , cada uno de los cuales tiene al menos […]
Sistema de capas para células solares de película delgada con una capa de amortiguación de naxinisyclz, del 13 de Noviembre de 2019, de (CNBM) Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Co., Ltd: Sistema de capas para células solares de película delgada , que comprende: - una capa de absorción que contiene un semiconductor compuesto de calcogenuro, […]
Sistemas de capas para células solares, del 25 de Septiembre de 2019, de (CNBM) Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Co., Ltd: Sistema de capas para células solares de película delgada, que comprende una capa absorbente y una primera capa amortiguadora , estando […]
Nanocomposite fotovoltaico que comprende nano-heterouniones en volumen inorgánicas procesadas en solución, célula solar y dispositivos de fotodiodo que comprenden el nanocomposite, del 19 de Junio de 2019, de FUNDACIÓ INSTITUT DE CIÈNCIES FOTÒNIQUES: Un nanocomposite fotovoltaico que comprende una película de materiales semiconductores procesados en solución que comprenden un material de tipo-n […]
Método de fabricación de las nanopartículas de CI(G)S para la fabricación de capas absorbentes de luz, y de las nanopartículas de CI(G)S fabricadas con las mismas, del 19 de Febrero de 2019, de LG CHEM LTD.: Un método para preparar nanopartículas de CI(G)S que forman una capa de absorción de luz de células solares, el método comprende: disolver […]