Fotodiodo de avalancha con acomplamiento de guía de ondas y método de fabricación del mismo.

Un fotodiodo de avalancha, que comprende:

un sustrato aislante de germanio,

GeOI, en donde:

una capa de absorción de germanio-intrínseco, I-Ge, (31) se dispone sobre el sustrato GeOI para la absorción de una señal óptica y la generación de portadoras foto-generadas;

una segunda capa de silicio-germanio tipo-p, SiGe, (24) se dispone sobre la capa de absorción de I-Ge (31), y una primera capa de SiGe tipo-p (23) se dispone sobre la segunda capa de SiGe tipo-p (24), en donde un contenido de germanio, Ge, en la primera capa de SiGe tipo-p (23) y en la segunda capa de SiGe tipo-p (24) es inferior o igual al 20%;

una primera capa de dióxido de silicio, SiO2 (72) se dispone adicionalmente sobre el sustrato GeOI, y una segunda capa de SiO2 (73) se dispone sobre la primera capa de SiO2 (72);

una capa de guía de ondas de SiGe (21) y una capa de guía de ondas de SiGe de tipo cónico (22) se disponen sobre la primera capa de SiO2 (72), en donde el contenido de Ge en cualquiera de las capas de guía de ondas de SiGe es menor o igual al 20%;

una capa de guía de ondas de silicio, Si, de tipo cónico (11) y una capa de guía de ondas de Si (12) se disponen adicionalmente sobre la segunda capa de SiO2 (73) y la capa de guía de ondas de SiGe (21) respectivamente;

una capa de multiplicación de Si tipo-n fuertemente dopada (13) se dispone sobre la capa de guía de ondas de SiGe de tipo cónico (22) y la primera capa de SiGe tipo-p (23);

se dispone un electrodo de cátodo (62) sobre la capa de multiplicación de Si tipo-n fuertemente dopada (13); y

se disponen los electrodos de ánodo (61) sobre el sustrato GeOI;

en donde la capa de guía de ondas de Si de tipo cónico (11), la capa de guía de ondas de Si (12), la capa de guía de ondas de SiGe (21) y la capa de guía de ondas de SiGe de tipo cónico (22) forman una estructura de acoplamiento de ondas evanescentes;

la capa de guía de ondas de SiGe (21), la capa de guía de ondas de SiGe de tipo cónico (22), la primera capa de SiGe tipo-p (23) y la segunda capa de SiGe tipo-p (24) forman una estructura de tipo cónico, en donde la capa de guía de ondas de SiGe (21), la capa de guía de ondas de SiGe de tipo cónico (22) y la primera capa de SiGe tipo-p (23) se disponen en el mismo plano y tienen el mismo espesor, una anchura de la capa de guía de ondas de SiGe de tipo cónico (22) disminuye desde la anchura de la capa de guía de ondas de SiGe (21) hasta la anchura de la primera capa de SiGe tipo-p (23); y la longitud de la primera capa de SiGe tipo-p (23) dispuesta sobre la segunda capa de SiGe tipo-p (24) se corresponde con la longitud de la segunda capa de SiGe tipo-p (24); y

la capa de guía de ondas de SiGe (21), la capa de guía de ondas de SiGe de tipo cónico (22), la primera capa de SiGe tipo-p (23), la segunda capa de SiGe tipo-p (24) y la capa de absorción de I-Ge (31) forman una estructura de acoplamiento de ondas evanescentes.