ESTRUCTURA Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE CELULA SOLAR CON CONTACTOS TRASEROS AUTOALINEADOS DE ALEACION DE ALUMINIO.
UN DISEÑO CELULAR SOLAR MEJORADO Y METODO DE FABRICACION QUE PRIMERAMENTE USA DOS MATERIALES,
SILICIO Y ALUMINIO IMPURIFICADOS DEL TIPO N PARA FORMAR UNA CELULA SOLAR DE CONTACTO POSTERIOR DE UNION DE ALEACION P-N. LA UNIONES DE ALEACION DE ALUMINIO SON COLOCADAS EL LADO POSTERIOR (NO ILUMINADO) DE LA CELULA, POR MEDIO DE LAS CUALES SE COMBINAN LAS CARACTERISTICAS DESEABLES DE ALUMINIO (COMO UN DOPANTE, METAL DE CONTACTO Y REFLECTOR DE LUZ), CON LAS VENTAJAS DE UNA CELULA DE CONTACTO POSTERIOR. EL DISEÑO CELULAR Y EL METODO DE FABRICACION INCLUYE TALES CARACTERISTICAS COMO TEXTURIZACION DE LA SUPERFICIE, ESPEJOS PORTADORES MINORITARIOS DEL CAMPO DE LA SUPERFICIE DELANTERA Y TRASERA, PASIVACION DE LA SUPERFICIE USANDO CAPAS DE OXIDACION, USO DE CONTACTOS AI COMO REFLECTORES DE LUZ, PROTECCION INTRINSECA CONTRA POLARIZACION IVERSA DEBIDO A LAS REGIONES CONTIGUAS N{SUP,+} Y P{SUP,+}, Y UN DISEÑO DE CONTACTO DE BARRAS DE BUS MEJORADO ADECUADO PARA INTERCONECTAR CELULAS QUE USAN UNA TECNOLOGIA DE MONTAJE DE SUPERFICIES. UN METODO MEJORADO DE FORMACION DE CONTACTOS OHMICOS USA UNA TECNICA DE AUTOALINEAMIENTO PARA FORMAR CONTACTOS OHMICOS.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: EBARA SOLAR, INC.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 811 ROUTE 51 SOUTH,LARGE, PENNSYLVANIA 15025.
Inventor/es: MEIER, DANIEL L.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 10 de Marzo de 2004.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L31/0216 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Revestimientos (H01L 31/041 tiene prioridad).
- H01L31/0224 H01L 31/00 […] › Electrodos.
- H01L31/0236 H01L 31/00 […] › Texturas de superficie particulares.
- H01L31/0352 H01L 31/00 […] › caracterizados por su forma o por las formas, dimensiones relativas o disposición de las regiones semiconductoras.
- H01L31/068 H01L 31/00 […] › siendo las barreras de potencial únicamente del tipo homounión PN, p. ej. células solares homounión PN en silicio masivo o células solares homounión PN en láminas delgadas de silicio policristalino.
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