Procedimiento de texturización de la superficie de un sustrato de silicio y sustrato de silicio texturizado para célula solar.

Procedimiento de texturizacion de la superficie de un sustrato de silicio en fase gaseosa,

que comprende al menos una etapa a) de exposicion de dicha superficie a un plasma de radiofrecuencia de SF6/O2 en una camara de reaccion de un aparato de grabado ionico reactivo durante un periodo comprendido entre 2 minutos y 30 minutos para producir un sustrato de silicio que tiene una superficie texturizada con estructuras piramidales, con una relacion de flujo de SF6/O2 comprendida entre 2 y 10,

caracterizado por que

durante la etapa a), la densidad de potencia generada con el plasma de radiofrecuencia es superior o igual a 3000 mW/cm2, y la presion de SF6/O2 en la camara de reaccion es inferior o igual a 100 mTorr, de forma que se produce un sustrato de silicio con una superficie texturizada que tiene estructuras piramidales de tipo invertido, presentando las estructuras piramidales invertidas un ancho comprendido entre 200 nm y 3 μm, y una profundidad comprendida entre 200 nm y 1 μm, y por que comprende antes de la etapa a), una etapa a') de exposicion de dicha superficie a un plasma de radiofrecuencia de oxigeno durante un periodo de hasta 8 minutos, siendo el plasma generado durante estas etapas a) y a') un plasma con una temperatura inferior o igual a 200 °C.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/FR2010/051756.

Solicitante: TOTAL S.A.

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: 2, Place Jean Millier, La Défense 6 92400 Courbevoie FRANCIA.

Inventor/es: MORENO, MARIO, ROCA I CABARROCAS,PERE, DAINEKA,DIMITRI.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L31/0236 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Texturas de superficie particulares.

PDF original: ES-2716503_T3.pdf

 

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