Diodo bipolar con absorbedor óptico de estructura cuántica.

Un elemento constructivo semiconductor bipolar de al menos cinco capas que convierte la luz en corriente eléctrica,

para lo cual se inserta una heteroestructura en una unión PN, es decir, previéndose capas de manera,

a) que la primera capa se componga de un material semiconductor dopado tipo p con una separación de banda X,

b) que la segunda y la cuarta capa se compongan de un material con una separación de banda Y mayor y presenten un grosor que permita tunelizar los portadores de carga,

c) que la tercera capa se componga de un material con una menor separación de banda Z y de un material con una elevada absorción de luz, y

d) que la quinta capa se componga de un material semiconductor dopado tipo n con una separación de banda X, de modo que entre la primera capa y la quinta capa se inserte una estructura cuántica de dos barreras de túnel, concretamente de la segunda y de la cuarta capa, en cuyo centro se dispone la tercera capa,

siendo una de las capas de a) y d) tan delgada que la luz incidente alcanza las demás capas,

caracterizado por que en la unión PN se insertan exactamente tres capas, es decir, una heteroestructura triple y por que la tercera capa es tan delgada que entre la segunda y la cuarta capa se configuran minibandas, es decir, un nivel de energía cuantificado.

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E10016068.

Solicitante: Dechamps & Sreball GbR.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: Adenauerallee 135 52066 Aachen ALEMANIA.

Inventor/es: SCHÜPPEN,ANDREAS PAUL.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L31/0352 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › caracterizados por su forma o por las formas, dimensiones relativas o disposición de las regiones semiconductoras.
  • H01L31/068 H01L 31/00 […] › siendo las barreras de potencial únicamente del tipo PN a homounión, p.ej. células solares PN a homounión de sílice homogéneo o de láminas de sílice policristalino.
  • H01L31/075 H01L 31/00 […] › siendo las barreras de potencial únicamente del tipo PIN, p.ej. células solares de sílice amorfo PIN.

PDF original: ES-2699713_T3.pdf

 

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