Dispositivos nanoestructurados.

Un dispositivo fotovoltaico que comprende al menos dos contactos eléctricos,

dopantes tipo p y dopantes tipo n, que comprende además una región principal y una región con nanoestructuras que entra en contacto con la región principal, en el que todos las estructuras tienen un tipo predominante de dopante, n o p, y al menos una porción de la región principal comprende además ese tipo predominante de dopado, caracterizado porque uno de los contactos eléctricos se extienden al área donde las nanoestructuras contactan con la región principal,

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E20150280.

Solicitante: Advanced Silicon Group Technologies, LLC.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 173 Bedford Road Lincoln, MA 01773 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.

Inventor/es: BUCHINE,BRENT A, MODAWAR,FARIS, BLACK,MARCIE R.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L31/0236 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Texturas de superficie particulares.
  • H01L31/0352 H01L 31/00 […] › caracterizados por su forma o por las formas, dimensiones relativas o disposición de las regiones semiconductoras.
  • H01L31/068 H01L 31/00 […] › siendo las barreras de potencial únicamente del tipo homounión PN, p. ej. células solares homounión PN en silicio masivo o células solares homounión PN en láminas delgadas de silicio policristalino.

PDF original: ES-2810301_T1.pdf

 

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