Celda solar con sustrato corrugado flexible y método para la producción de la misma.
Un transductor fotoeléctrico que comprende:
un sustrato (1,
5) constituido por una hoja o banda elástica flexible, incluyendo el sustrato una superficie posterior plana y una superficie frontal con un patrón de superficie de una pluralidad de porciones de superficie elevadas y deprimidas repetidas que se extienden en al menos una dirección; sobre la misma, un electrodo del lado posterior (2, A) dispuesto en la superficie frontal del sustrato y que se adapta en forma a la superficie frontal del sustrato; sobre el mismo,
una capa (3) fotoeléctrica activa que se adapta en forma a la superficie frontal del sustrato y que tiene el patrón de partes de superficie elevadas y deprimidas repetidas que se extienden en la al menos una dirección y con un área de la superficie enfrentada frontal de la capa fotoeléctrica activa que sea mayor que el área de la superficie ocupada por la superficie lisa posterior del sustrato en un estado relajado; sobre la misma un electrodo del lado (4, B) frontal provisto en una superficie frontal de la capa fotoeléctrica activa; sobre el mismo una capa de protección frontal que comprende una hoja o banda de silicona elástica transparente dispuesta sobre la superficie superior de la capa fotoeléctrica activa;
donde la capa (3) fotoeléctrica activa es menos estirable y menos compresible que el sustrato (1, 5), permitiendo así que el sustrato (1, 5) cambie de forma mientras se mantiene el área de la superficie frontal del transductor fotoeléctrico, donde dicho el sustrato (1, 5) está constituido por una banda o lámina de silicona y la superficie frontal del sustrato es una superficie frontal tratada con plasma de argón que tiene cristales de cuarzo microscópicos (SiO2) u otras estructuras/granos de cuarzo.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/DK2009/050223.
Solicitante: Flexucell ApS.
Nacionalidad solicitante: Dinamarca.
Dirección: Primulavej 24 9750 Østervraa DINAMARCA.
Inventor/es: LARSEN,JENS WILLIAM, KIIL,HANS-ERIK.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L31/0236 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Texturas de superficie particulares.
- H01L31/0352 H01L 31/00 […] › caracterizados por su forma o por las formas, dimensiones relativas o disposición de las regiones semiconductoras.
- H01L31/075 H01L 31/00 […] › siendo las barreras de potencial únicamente del tipo PIN, p. ej. células solares de sílice amorfo PIN.
- H01L31/077 H01L 31/00 […] › Comprendiendo los dispositivos materiales monocristalinos o policristalinos.
- H01L31/18 H01L 31/00 […] › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.
PDF original: ES-2820875_T3.pdf
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