Dispositivos nanoestructurados.

Un dispositivo fotovoltaico que comprende al menos dos contactos eléctricos,

dopantes tipo p y dopantes tipo n, que comprende además una región principal y nanohilos en una matriz alineada que entra en contacto con la región principal, en el que todos los nanohilos en la matriz tienen un tipo predominante de dopante, n o p, y al menos una porción de la región principal comprende además ese tipo predominante de dopado, en el que una superficie de la región principal está sustancialmente a lo largo de un plano y los nanohilos están alineados normalmente a ese plano,

caracterizado porque uno de los contactos eléctricos se extiende hasta el área donde los nanohilos entran en contacto con la región principal.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2009/006119.

Solicitante: Bandgap Engineering, Inc.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 6 Gill Street, Suite H Woburn, Massachusetts 01801 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.

Inventor/es: BUCHINE,BRENT A, MODAWAR,FARIS, BLACK,MARCIE R.

Fecha de Publicación: 8 de Enero de 2020.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L31/0236 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Texturas de superficie particulares.
H01L31/0352 H01L 31/00 […] › caracterizados por su forma o por las formas, dimensiones relativas o disposición de las regiones semiconductoras.
H01L31/068 H01L 31/00 […] › siendo las barreras de potencial únicamente del tipo homounión PN, p. ej. células solares homounión PN en silicio masivo o células solares homounión PN en láminas delgadas de silicio policristalino.

PDF original: ES-2774714_T3.pdf

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