Método de fabricación de célula solar.
Un método de fabricación de una célula solar (100) formando una unión p-n en un sustrato semiconductor (1) que tiene un primer tipo de conductividad,
en el que, al menos: un primer material de recubrimiento (8) que contiene un dopante del segundo tipo de conductividad y un agente para impedir que se disperse un dopante, incluyendo dicho agente un compuesto de silicio, está recubierto sobre el sustrato semiconductor que tiene el primer tipo de conductividad mediante serigrafía, y un segundo material de recubrimiento (9) que contiene un dopante del segundo tipo de conductividad está recubierto sobre el sustrato semiconductor que tiene el primer tipo de conductividad y el primer material de recubrimiento mediante recubrimiento por centrifugación, de modo que el segundo material de recubrimiento puede entrar en contacto con al menos el primer material de recubrimiento; y, una primera capa de difusión (2) formada recubriendo el primer material de recubrimiento, y una segunda capa de difusión (3) formada recubriendo el segundo material de recubrimiento, teniendo la segunda capa de difusión una conductividad inferior a la de la primera capa de difusión, se forman simultáneamente mediante un tratamiento térmico de difusión que da como resultado la formación de dicha unión p-n, en el que, además: el primer material de recubrimiento y el segundo material de recubrimiento difieren entre sí en cualquiera de al menos, el porcentaje de un contenido de dopante, una viscosidad, el contenido del agente para impedir que se disperse un dopante y un agente para impedir autodopaje, incluyendo dicho agente un compuesto de silicio, un tipo de dopante y/o grosores de película de recubrimiento del primer material de recubrimiento y el segundo material de recubrimiento durante el recubrimiento; y en el que el porcentaje del contenido de dopante del primer material de recubrimiento es 4 o más veces mayor que el porcentaje del contenido de dopante del segundo material de recubrimiento.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/JP2006/307595.
Solicitante: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Nacionalidad solicitante: Japón.
Dirección: 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku Tokyo JAPON.
Inventor/es: TAKAHASHI,MASATOSHI, OJIMA,SATOYUKI, ISHIKAWA,NAOKI, OHTSUKA,HIROYUKI, WATABE,TAKENORI, SAISU,SHIGENORI, UEGURI,TOYOHIRO, AKATSUKA,TAKESHI, ONISHI,TSUTOMU.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/225 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › utilizando la difusión en o fuera de un sólido a partir de o en una fase sólida, p. ej. una capa de óxido dopada.
- H01L31/0224 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Electrodos.
- H01L31/04 H01L 31/00 […] › adaptados como dispositivos de conversión fotovoltaica [PV] (ensayos de los mismos durante la fabricación H01L 21/66; ensayos de los mismos después de la fabricación H02S 50/10).
- H01L31/06 H01L 31/00 […] › caracterizados por al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.
- H01L31/068 H01L 31/00 […] › siendo las barreras de potencial únicamente del tipo homounión PN, p. ej. células solares homounión PN en silicio masivo o células solares homounión PN en láminas delgadas de silicio policristalino.
- H01L31/18 H01L 31/00 […] › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.
PDF original: ES-2764073_T3.pdf
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